微透镜纳米压印现场服务

首先准备一块柔性薄膜作为弹性基底层，然后将巯基-烯预聚物旋涂在具有表面结构的母板上，弹性薄膜压印在巯基-烯层上，与材料均匀接触。巯基-烯材料可以在自然环境中固化通过“点击反应”形成交联聚合物，不受氧气和水的阻聚作用。顺利分离开母板后，弹性薄膜与固化后的巯基-烯层紧密连接在一起，获得双层结构的复合柔性模板。由于良好的材料特性，刚性巯基-烯结构层可以实现较高的分辨率。因此，利用该方法可以制备高 分辨的复合柔性模板，经过表面防粘处理后可以作为软压印模板使用。该研究利用新方法制备了以PDMS和PET为弹性基底的亚100nm线宽的光栅结构复合软压印模板。相关研究成果发表于《纳米科技与纳米技术杂志》（JournalofNanoscienceandNanotechnology）。（来自网络。SmartNIL集成了多次使用的软标记处理功能，因此还可以实现无人可比的吞吐量。微透镜纳米压印现场服务

EVG公司技术开发和IP总监MarkusWimplinger补充说：“我们开发新技术和工艺以应对jiduan复杂的挑战，帮助我们的客户成功地将其新产品创意商业化。技术，我们创建了我们的NILPhotonics能力中心。“在具有保护客户IP的强大政策的框架内，我们为客户提供了从可行性到生产阶段的产品开发和商业化支持。这正是我们jintian与AR领域的lingxian者WaveOptics合作所要做的，为终端客户提供真正可扩展的解决方案。”EVG的NILPhotonics®能力中心框架内的协作开发工作旨在支持WaveOptics的承诺，即在工业，企业和消费者等所有主要市场领域释放AR在大众市场的应用，并遵循公司模块计划的推出。微透镜纳米压印现场服务EVG的EVG ® 620 NT是智能NIL ® UV纳米压印光刻系统。

IQAlignerUV-NIL自动化紫外线纳米压印光刻系统应用：用于晶圆级透镜成型和堆叠的高精度UV压印系统IQAlignerUV-NIL系统允许使用直径从150mm至300mm的压模和晶片进行微成型和纳米压印工艺，非常适合高度平行地制造聚合物微透镜。该系统从从晶圆尺寸的主图章复制的软性图章开始，提供了混合和整体式微透镜成型工艺，可以轻松地将其与工作图章和微透镜材料的各种材料组合相适应。此外，EVGroup提供合格的微透镜成型工艺，包括所有相关的材料专业知识。EVGroup专有的卡盘设计可为高产量大面积印刷提供均匀的接触力。配置包括从压印基材上释放印章的释放机制。

HERCULES®NIL特征：全自动UV-NIL压印和低力剥离蕞多300毫米的基材完全模块化的平台，具有多达八个可交换过程模块（压印和预处理）200毫米/300毫米桥接工具能力全区域烙印覆盖批量生产ZUI小40nm或更小的结构支持各种结构尺寸和形状，包括3D适用于高地形（粗糙）表面*分辨率取决于过程和模板HERCULES®NIL技术数据：晶圆直径（基板尺寸）：100至200毫米/200和300毫米解析度：≤40nm（分辨率取决于模板和工艺）支持流程：SmartNIL®曝光源：大功率LED（i线）>400mW/cm²对准：≤±3微米自动分离：支持的前处理：提供所有预处理模块迷你环境和气候控制：可选的工作印章制作：支持的EVG770是用于步进重复纳米压印光刻的通用平台，可用于进行母版制作或对基板上的复杂结构进行直接图案化。

EVG®510HE特征：用于聚合物基材和旋涂聚合物的热压印应用自动化压印工艺EVG专有的独力对准工艺，用于光学对准的压印和压印完全由软件控制的流程执行闭环冷却水供应选项外部浮雕和冷却站EVG®510HE技术数据：加热器尺寸：150毫米，200毫米蕞大基板尺寸：150毫米，200毫米蕞小基板尺寸：单芯片，100毫米蕞大接触力：10、20、60kN最高温度：标准：350°C；可选：550°C夹盘系统/对准系统150毫米加热器：EVG®610，EVG®620，EVG®6200200毫米加热器：EVG®6200，MBA300，的SmartView®NT真空：标准：0.1毫巴可选：0.00001mbar纳米压印技术可以应用于各种领域，包括纳米电子器件、纳米光学器件、纳米生物传感器等。微透镜纳米压印现场服务

EVG620 NT支持多种标准光刻工艺，例如真空，软，硬和接近曝光模式，以及背面对准选项。微透镜纳米压印现场服务

纳米压印光刻设备-处理结果：新应用程序的开发通常与设备功能的提高紧密相关。EVG的NIL解决方案能够产生具有纳米分辨率的多种不同尺寸和形状的图案，并在显示器，生物技术和光子应用中实现了许多新的创新。HRISmartNIL®压印上的单个像素的1.AFM图像压印全息结构的AFM图像资料来源：EVG与SwissLithoAG合作（欧盟项目SNM）2.通过热压花在PMMA中复制微流控芯片资料来源：EVG3.高纵横比（7：1）的10µm柱阵列由加拿大国家研究委员会提供4.L/S光栅具有优化的残留层，厚度约为10nm资料来源：EVG5.紫外线成型镜片300µm资料来源：EVG6.光子晶体用于LED的光提取多晶硅的蜂窝织构化（mc-Si）由FraunhoferISE提供7.金字塔形结构50µm资料来源：EVG8.蕞小尺寸的光模块晶圆级封装资料来源：EVG9.光子带隙传感器光栅 资料来源：EVG（欧盟Saphely项目）10.在强光照射下对HRISmartNIL®烙印进行完整的晶圆照相 资料来源：EVG微透镜纳米压印现场服务