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热释电探测器是基于一种与温度有关的自发电极化（或电偏振）材料制作的，这种材料被称作热释电材料。在热平衡条件下，电非对称性可由自由电荷补偿，因而热释电探测器无信号。当外界温度变化过快时，这种电非对称性将无法得到补偿，电信号就这样产生了。其它热探测器都是直接探测温度的***值，而热释电探测器则是探测温度的变化量，它是一种交流型器件。热释电材料总体可分为单晶、聚合物和陶瓷三种类型。热释电探测器因其独特的性质而在光谱学、辐照度学、远距离温度测量、红外热像仪方向遥感等方面得到了重要的应用。通过手机完成全部操作，配合移动互联网，将红外热像仪的操作性与便携性上升到了一个全新的高度。testo 875-2i红外热像仪附件

红外热像仪QWIP的基础结构是多量子阱结构,虽然该结构可以被许多Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料所实现,但基于GaAs/铝镓砷(AlGaAs)材料制作的QWIP是应用***､技术成熟､性能优异的QWIP｡对于通过改变GaAs/AlGaAs材料中A1的原子百分比,可使相应的QWIP连续覆盖MIR､LWIR甚至VLWIR波段｡GaAs/AlGaAs材料体系在Ⅲ-Ⅴ族半导体材料团体里能一枝独秀的**主要原因是,它与GaAs衬底在所有的A1组分条件下都能实现非常完美的晶格匹配,这一优势使该材料体系的生长技术既成熟又低廉,极大地推动了GaAs/AlGaAs QWIP的发展｡一般而言,大家所谓的QWIP都特指GaAs/AlGaAs QWIP｡透过火焰测温红外热像仪推荐咨询直到红外热像仪可以接入智能手机，并通过APP与互联网相连，才刷新了人们对这个专业仪器的纯工具印象。

nGaAs是由两种Ⅲ-Ⅴ族半导体材料组成的三元系半导体化合物，它的带隙随组分比例的变化而变化。基于此材料制备的IR探测器，其响应截止波长可达到3μm以上，响应范围完全覆盖NIR波段，是该波段探测器团体里**重要的成员。在该体系下，其他化合物性能如下图所示：与其它的常用IR探测器相比，InGaAs探测器的兴起较晚，在上世纪80年代才开始走进人类的视野。近年来，得益于NIR成像的强势崛起，InGaAs的发展势头也十分迅猛。在实际生产中，一般将InGaAs材料生长在磷化铟(InP)衬底上，红外热像仪两者的晶格失配度也会随InGaAs组分的变化而变化。

美国**高空区域防御系统(Theatre High Altitude Area Defense, THAAD)即萨德系统,其拦截导弹的IR导引头就采用了RVS生产的AE194 InSb FPA探测器｡RVS生产的小型InSb FPA探测器还大量地应用到了美国第四代空-空导弹的制导系统中｡由美国SBRC(Santa Barbara Research Center)主持､美国国家光学天文台(National Optical Astronomy Observatories, NOAO)和美国海军天文台(U.S.Naval Observatory, USNO)协同参与的ALADDIN(advanced large area detector development in lnSb)计划,其研制的1024x1024像元规模的InSb FPA探测器应用到了天文观测中。作为ALADDIN的升级产品,ORION将InSb FPA的像元规模提升至2Kx2K,该计划在RVS､NOAO和USNO的共同努力下也已经顺利完成,其红外热像仪产品在美国天文事业的发展中发挥着重要作用｡目前电力行业是我国民用红外热像仪应用**多的行业，国内大多数红外公司都是靠这个吃饭。

一般而言,所谓的T2SLS探测器都是基于砷化铟(InAs)/锑化镓(GaSb)材料制作的｡InAs/GaSb T2SLS是一个由InAs和GaSb薄层交替构筑的多量子阱交互作用体系,该结构中InAs与GaAs的能带以II类方式对准｡这种能带续接方式可引发强有力的载流子隧穿现象,使该结构适用于MIR和LWIR探测｡理论预言在LWIR波段的性能T2SLS探测器的性能有望超过QWIP和HgCdTe探测器,然而在实验中,T2SLS探测器的暗电流仍处于较高的水平,远远达不到预期目**24x1024规模的T2SLS FPA探测器已研制成功,彰显了这种探测器的巨大潜力｡与前面几种探测器一样,T2SLS FPA探测器也是第三代红外热像仪系统的成员之一红外热像仪数据可实时显示在监测器上，也可以发送到数字存储装置中以便进行分析。单晶炉红外热像仪联系方式

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