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EVG®150--光刻胶自动处理系统

EVG®150是全自动化光刻胶处理系统中提供高吞吐量的性能与在直径承晶片高达300毫米。EVG150设计为完全模块化的平台，可实现自动喷涂/旋转/显影过程和高通量性能。EVG150可确保涂层高度均匀并提高重复性。具有高形貌的晶片可以通过EVG的OmniSpray技术进行均匀涂覆，而传统的旋涂技术则受到限制。EVG®150特征：晶圆尺寸可达300毫米多达六个过程模块可自定义的数量-多达二十个烘烤/冷却/汽化堆多达四个FOUP装载端口或盒式磁带装载 EVG同样为客户提供量产型掩模对准系统。衬底光刻机技术服务

EVG的掩模对准系统含有：EVG610；EVG620NT半自动/全自动掩模对准系统；EVG6200NT半自动/全自动掩模对准系统；IQAligner自动掩模对准系统；IQAlignerNT自动掩模对准系统；【EVG®610掩模对准系统】EVG®610是一个紧凑的和多用途R＆d系统，可以处理小基板片和高达200毫米的晶片。EVG®610技术数据：EVG610支持多种标准光刻工艺，例如真空，硬，软和接近曝光模式，并可选择背面对准功能。此外，该系统还提供其他功能，包括键合对准和纳米压印光刻（NIL）。EVG610提供快速的处理和重新安装工具，可满足用户需求的变化，转换时间不到几分钟。其先进的多用户概念可以适应从初学者到**级别的所有需求，因此使其非常适合大学和研发应用。衬底光刻机技术服务EVG与研究机构合作超过35年，能够深入了解他们的独特需求。

光刻机处理结果:EVG在光刻技术方面的合心竞争力在于其掩模对准系统（EVG6xx和IQAligner系列）以及高度集成的涂层平台（EVG1xx系列）的高吞吐量的接近和接触曝光能力。EVG的所有光刻设备平台均为300mm，可完全集成到HERCULES光刻轨道系统中，并辅以其用于从上到下侧对准验证的计量工具。高级封装：在EVG®IQAligner®上结合NanoSpray™曝光的涂层TSV底部开口；在EVG的IQAlignerNT®上进行撞击40μm厚抗蚀剂；负侧壁，带有金属兼容的剥离抗蚀剂涂层;金属垫在结构的中间；用于LIGA结构的高纵横比结构，用EVG®IQAligner®曝光200μm厚的抗蚀剂的结果；西门子星状测试图暴露在EVG®6200NT上，展示了高分辨率的厚抗蚀剂图形处理能力；MEMS结构在20μm厚的抗蚀剂图形化的结果。

这使得可以在工业水平上开发新的设备或工艺，这不仅需要高度的灵活性，而且需要可控和可重复的处理。EVG在要求苛刻的应用中积累了多年的旋涂和喷涂经验，并将这些知识技能整合到EVG100系列中，可以利用我们的工艺知识为客户提供支持。光刻胶处理设备有：EVG101光刻胶处理，EVG105光刻胶烘焙机，EVG120光刻胶处理自动化系统；EVG150光刻胶处理自动化系统。如果您需要了解每个型号的特点和参数，请联系我们，我们会给您提供蕞新的资料。或者访问岱美仪器的官网获取相关的信息。EVG在1985年发明了世界上弟一个底部对准系统，对准晶圆键合和纳米压印光刻技术方面开创并建立了行业标准。

EV集团（EVG）是面向MEMS，纳米技术和半导体市场的晶圆键合机和光刻设备的LINGXIAN供应商，日前宣布已收到其制造设备和服务组合的多个订单，这些产品和服务旨在满足对晶圆的新兴需求，水平光学（WLO）和3D感应。市场lingxian的产品组合包括EVG®770自动UV-纳米压印光刻（UV-NIL）步进器，用于步进重复式主图章制造，用于晶圆级透镜成型和堆叠的IQAligner®UV压印系统以及EVG®40NT自动测量系统，用于对准验证。EVG的WLO解决方案由该公司的NILPhotonics®能力中心提供支持。使用ZUIXIN的压印光刻技术和键合对准技术在晶圆级制造微透镜，衍射光学元件和其他光学组件可带来诸多好处。这些措施包括通过高度并行的制造工艺降低拥有成本，以及通过堆叠使ZUI终器件的外形尺寸更小。EVG是纳米压印光刻和微成型领域的先驱和市场LINGDAOZHE，拥有全球ZUI大的工具安装基础。除了光刻机之外，岱美还代理了EVG的键合机等设备。衬底光刻机技术服务

EVG所有掩模对准器都支持EVG专有的NIL技术。衬底光刻机技术服务

EVG®610特征：晶圆/基板尺寸从小到200mm/8顶侧和底侧对准能力高精度对准台自动楔形补偿序列电动和程序控制的曝光间隙支持蕞新的UV-LED技术蕞小化系统占地面积和设施要求分步流程指导远程技术支持多用户的概念（无限数量的用户帐户和程序，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）便捷处理和转换重组台式或带防震花岗岩台的单机版EVG®610附加功能：键对准红外对准纳米压印光刻（NIL）EVG®610技术数据：对准方式上侧对准：≤±0.5µm底面要求：≤±2,0µm红外校准：≤±2,0µm/具体取决于基板材料键对准：≤±2,0µmNIL对准：≤±2,0µm衬底光刻机技术服务