山东键合机键合精度

时间:2024年06月18日 来源:

EVG®620BA键合机选件 自动对准 红外对准,用于内部基板键对准 NanoAlign®包增强加工能力 可与系统机架一起使用 掩模对准器的升级可能性 技术数据 常规系统配置 桌面 系统机架:可选 隔振:被动 对准方法 背面对准:±2µm3σ 透明对准:±1µm3σ 红外校准:选件 对准阶段 精密千分尺:手动 可选:电动千分尺 楔形补偿:自动 基板/晶圆参数 尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米 厚度:0.1-10毫米 ZUI高堆叠高度:10毫米 自动对准 可选的 处理系统 标准:3个卡带站 可选:ZUI多5个站 晶圆键合机系统 EVG®520 IS,拥有EVG®501和EVG®510键合机的所有功能;200 mm的单个或双腔自动化系统。山东键合机键合精度

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一旦认为模具有缺陷,墨水标记就会渗出模具,以便于视觉隔离。典型的目标是在100万个管芯中,少于6个管芯将是有缺陷的。还需要考虑其他因素,因此可以优化芯片恢复率。质量体系确保模具的回收率很高。晶圆边缘上的裸片经常会部分丢失。芯片上电路的实际生产需要时间和资源。为了稍微简化这种高度复杂的生产方法,不对边缘上的大多数模具进行进一步处理以节省时间和资源的总成本。半导体晶圆的光刻和键合技术以及应用设备,可以关注这里:EVG光刻机和键合机。 EVG6200键合机键合精度对于无夹层键合工艺,材料和表面特征利于键合,但为了与夹层结合,键合材料沉积和组成决定了键合线的材质。

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EVG®805解键合系统用途:薄晶圆解键合。EVG805是半自动系统,用于剥离临时键合和加工过的晶圆叠层,该叠层由器件晶圆,载体晶圆和中间临时键合胶组成。该工具支持热剥离或机械剥离。可以将薄晶圆卸载到单个基板载体上,以在工具之间安全可靠地运输。特征:开放式胶粘剂平台解键合选项:热滑解键合解键合机械解键合程序控制系统实时监控和记录所有相关过程参数薄晶圆处理的独特功能多种卡盘设计,可支撑ZUI大300mm的晶圆/基板和载体高形貌的晶圆处理技术数据晶圆直径(基板尺寸)晶片ZUI大300mm高达12英寸的薄膜组态1个解键合模块选件紫外线辅助解键合高形貌的晶圆处理不同基板尺寸的桥接能力 

键合机特征高真空,对准,共价键合 在高真空环境(<5·10-8mbar)中进行处理 原位亚微米面对面对准精度 高真空MEMS和光学器件封装原位表面和原生氧化物去除 优异的表面性能 导电键合 室温过程 多种材料组合,包括金属(铝) 无应力键合界面 高键合强度 用于HVM和R&D的模块化系统 多达六个模块的灵活配置 基板尺寸蕞/大为200毫米 完全自动化 技术数据 真空度 处理:<7E-8mbar 处理:<5E-8毫巴 集群配置 处理模块:蕞小3个,蕞/大6个 加载:手动,卡带,EFEM 可选的过程模块: 键合模块 ComBond®基活模块(CAM) 烘烤模块 真空对准模块(VAM) 晶圆直径 高达200毫米除了支持3D互连和MEMS制造,晶圆级和先进封装外,EVG的EVG500系晶圆键合机还可用于研发,中试和批量生产。

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EVG®850LT特征利用EVG的 LowTemp™ 等离子基活技术进行SOI和直接晶圆键合适用于各种熔融/分子晶圆键合应用生产系统可在高通量,高产量环境中运行盒到盒的自动操作(错误加载,SMIF或FOUP)无污染的背面处理超音速和/或刷子清洁机械平整或缺口对准的预键合先进的远程诊断技术数据晶圆直径(基板尺寸)100-200、150-300毫米全自动盒带到盒带操作预键合室对准类型:平面到平面或凹口到凹口对准精度:X和Y:±50µm,θ:±0.1°结合力:蕞高5N键合波起始位置:从晶圆边缘到中心灵活真空系统:9x10-2mbar(标准)和9x10-3mbar(涡轮泵选件)EVG键合机也可以通过添加电源来执行阳极键合。对于UV固化的黏合剂,可选的键合室盖里具有UV源。甘肃图像传感器键合机

EVG®500系列键合模块-适用于GEMINI,支持除紫外线固化胶以外的所有主流键合工艺。山东键合机键合精度

GEMINI®FB特征:新的SmartView®NT3面-面结合对准具有亚50纳米晶片到晶片的对准精度多达六个预处理模块,例如:清洁模块LowTemp™等离子基活模块对准验证模块解键合模块XT框架概念通过EFEM(设备前端模块)实现ZUI高吞吐量可选功能:解键合模块热压键合模块技术数据晶圆直径(基板尺寸)200、300毫米蕞高处理模块数:6+的SmartView®NT可选功能:解键合模块热压键合模块EVG的GEMINIFBXT集成熔融键合系统,扩展了现有标准,并拥有更高的生产率,更高的对准和涂敷精度,适用于诸如存储器堆叠,3D片上系统(SoC),背面照明的CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。该系统采用了新的SmartViewNT3键合对准器,该键合对准器是专门为<50nm的熔融和混合晶片键合对准要求而开发的。 山东键合机键合精度

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