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公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。测温单元形成于空腔上方的氧化硅薄膜后得到的温度传感器性能较好。在其中一个实施例中,所述测温单元包括:金属层,所述金属层为金属铂层,所述金属铂层呈连续弓字形结构;和第二金属层,位于所述金属铂层外侧两端,用于引出所述温度传感器的输出端子。在其中一个实施例中,所述测温单元包括:多晶硅层,包括并排且间隔设置的n型多晶硅条和p型多晶硅条;和第三金属层,所述第三金属层包括位于相邻多晶硅条之间的金属结构,所述n型多晶硅条和p型多晶硅条通过所述金属结构串联,所述第三金属层还包括位于所述多晶硅层外侧两端的第二金属结构,用于引出所述温度传感器的输出端子。附图说明图为一实施例中温度传感器制备方法的方法流程图;图a~c为一实施例中温度传感器制备方法各步骤对应生成的结构剖视图。图为一实施例中温度传感器侧视图;图为与图对应的温度传感器俯视图。进口温度传感器,认准深圳市美信美科技。长沙扁平形温度传感器工艺
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同时,需要在对应温度传感器引出端子处开设通孔,通过通孔可引出输出端子。在本实施例中,是在两端的金属铝上方的钝化层开设通孔。钝化层可为氧化硅层或氮化硅层,也可为叠设的氧化硅层和氮化硅层。在一实施例中,测温单元为一热电偶传感结构,其具体形成过程为:步骤s:在所述氧化硅薄膜上淀积一层多晶硅层,所述多晶硅层包括并排且间隔设置的n型多晶硅条和p型多晶硅条。如图和图所示,在氧化硅薄膜上淀积一层多晶硅层,该多晶硅层包括并排且间隔设置的n型多晶硅条和p型多晶硅条。n型多晶硅可为在多晶硅内部掺杂ⅴ族元素形成导电类型为n型的多晶硅,且其内部掺杂均匀。p型多晶硅可为在多晶硅内部掺杂ⅲ族元素形成导电类型为p型的多晶硅,且其内部掺杂均匀。n型多晶硅条和p型多晶硅条形状相同,在本方案中,n型多晶硅条和p型多晶硅条为长条型,多晶硅条平行设置,具有相同的间距。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。
需要在对应温度传感器引出端子处开设通孔,通过通孔可引出输出端子。在本实施例中,是在外侧多晶硅端部的金属铝上方的钝化层开设通孔。钝化层可为氧化硅层或氮化硅层,也可为叠设的氧化硅层和氮化硅层。上述温度传感器制备方法,可以得到氧化硅薄膜,且氧化硅薄膜与硅通过空腔隔离,空腔下方的硅不会影响上方氧化硅薄膜的隔离效果,因此无需通过深槽刻蚀工艺将多余的硅刻蚀掉。简化了制备过程。节约制备时间,节省了制备成本。由于氧化硅薄膜导热率低,将测温单元制备在氧化硅薄膜上,具有较好的测温效果。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。本公司一直秉承优势服务,诚信合作的原则,以现代化管理以及优势的渠道价格、良好的信誉与广大客户建立了长期友好的合作关系,为广大厂商和市场客户提供优势的产品服务。使温度传感器性能更加稳定。还涉及一种温度传感器,包括:基底。深圳美信美科技有限公司是温度传感器实力供货商。
空腔上方为残留的未氧化的硅以及在硅上生成的氧化硅薄膜,通过刻蚀工艺去除上方的氧化硅薄膜,保留空腔上方的硅,此时硅的厚度减小,继续通过上述热氧化、刻蚀和热氧化的循环工艺逐渐减小空腔上方硅的厚度,直至后一次热氧化后空腔上方的硅全部生成氧化硅薄膜,由此实现上层氧化硅薄膜与下层硅通过空腔隔离。此时,温度传感器的基作完成。在一实施例中,在得到上述氧化硅薄膜后还可在氧化硅薄膜上形成氮化硅薄膜或者聚酰亚胺薄膜,由于氧化硅内部存在较大的应力,氧化硅薄膜容易断裂。在氧化硅薄膜上面再淀积一层氮化硅薄膜或者聚酰亚胺薄膜,可以平衡氧化硅内部应力。使氧化硅薄膜结构更加稳定。步骤s:在所述氧化硅薄膜上形成测温单元,所述测温单元用于感测环境温度。在温度传感器基作完成后,需要做基底上形成测温单元,测温单元是温度传感器的工作单元。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。深圳美信美提供靠谱的温度传感器芯片。重庆巨大规模温度传感器精度哪家好
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本文所使用的所有的技术和科学术语与属于的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。本申请提供一种温度传感器的制备方法,如图所示,其步骤包括:步骤s:在硅片上形成若干沟槽。结合图a所示,获取一硅晶片,从硅片上方垂直向下开设若干并列的沟槽形成沟槽阵列。在一实施例中,先在硅片上形成具有阵列图案的光刻胶层,再以光刻胶作为掩膜版对硅片进行刻蚀形成若干沟槽。在本实施例中,刻蚀可为常规的干法刻蚀,具体为深度离子刻蚀。干法刻蚀具有更高的刻蚀精度和更好的各向异性性能,其精度可达亚微米级别,通过干法刻蚀,可以得到形态较好的沟槽,尤其是沟槽尺寸较小时利用干法刻蚀效果更佳。可通过调节掩膜板图案和控制刻蚀参数得到不同形态的沟槽,其中,沟槽的宽度可为~μm,沟槽的深度可为~μm,相邻沟槽之间的间隔可为~μm。沟槽的俯视形貌可以为圆形、方形或其他形状。沟槽的宽度为沟槽侧壁的大距离。如果沟槽为圆形,则沟槽的宽度为其直径,如果沟槽为正方形,则沟槽的宽度为其对角的距离。长沙扁平形温度传感器工艺
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