北京半导体放电管销售代理

时间:2023年12月28日 来源:

气体放电管有二极放电管及三极放电管两种类型。有的气体放电管带有电极引线,有的则没有电极引线。气体放电管的各种电气特性,如直流击穿电压、冲击击穿电压、耐冲击电流、耐工频电流能力和使用寿命等,能根据使用系统的要求进行调整优化。这种调整往往是通过改变放电管内的气体种类、压力、电极涂敷材料成分及电极间的距离来实现的。气体放电管的结构及特性开放型气体放电管放电通路的电气特性主要取决于环境参数,因而工作的稳定性得不到保证。为了提高气体放电管的工作稳定性,气体放电管大都采用金属化陶瓷绝缘体与电极进行焊接技术,从而保证了封接的外壳与放电间隙的气密性,这就为选择放电管中的气体种类和压力创造了条件,气体放电管内一般充电极有氖或氢气体。半导体放电管只选凯轩业科技有限公司,信赖之选。北京半导体放电管销售代理

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绝缘电阻和极间电容放电管的绝缘电阻值很大,厂家一般给出的是绝缘电阻的初始值,约为数千兆欧。绝缘电阻值的降低会导致漏流的增大,有可能产生噪音干扰。放电管的寄生电容很小,极间电容一般在1pF~5pF范围,极间电容在很宽的频率范围内保持近似不变,同型号放电管的极间电容值分散性很小。二、使用选择直流放电电压的选择:从不影响被保护系统正常运行的要求出发,希望放电管的直流放电电压选得高些。但直流放电电压高的管子,冲击放电电压也高;从被保护电子设备的耐受性来说看,希望管子的直流放电电压选得低一些。所以,放电管的支流放电电压应在这两种相互制约的要求之间进行折衷选择。北京半导体放电管销售代理深圳市凯轩业科技有限公司专业设计半导体放电管研究生产价格优势,品质专业,欢迎咨询。

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玻璃放电管使用方法:①玻璃放电管既可以用作电源电路的保护,也可以用作信号电路的保护;既可以用作共模保护,也可以用作差模保护。但只能用在浪涌电流不大于3kA的地方。②直流击穿电压VS的选择:直流击穿电压VS的最小值应大于可能出现的比较高电源峰值电压或比较高信号电压。③在有可能出现续流的地方(如电源电路)使用时,必须串联限流电阻或自恢復保险丝,防止玻璃放电管击穿后长时间导通而损坏。玻璃放电管应用:踏歌电子玻璃放电管广泛应用于供电、数据、资讯接收、医疗器械、通讯、消费类产品,高频电路、3G通讯产品、通讯基站设备及其他静电通讯及家电等系列产品,并在许多国家取得**。a、用于供电b、用于数据传递装置c、天线装置或天线/信号电路包括可动部件d、抗静电装置e、多种医疗器械

玻璃放电管的工作原理:玻璃放电管由封装在充满惰性气体的玻璃管中相隔一定距离的两个电极组成。中间所充的气体主要是氖或氩,并保持一定压力。当其两端电压低于放电电压时,气体放电管是一个绝缘体。当其两端电压升高到大于放电电压时,产生弧光放电,气体电离放电后由高阻抗转为低阻抗,使其两端电压迅速降低。玻璃放电管受到瞬态高能量冲击时,它能以10-9秒量级的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,通过高达千安量级的浪涌电流。玻璃放电管特性:优点:绝缘电阻高(≥108Ω),极间电容小(≤0.8pF)、放电电流较大(比较大达3kA)、双向对称性、反应速度快,导通后电压较低,此外还有直流击穿电压高(比较高达5000V)、体积小、寿命长。用户的信赖之选,有想法可以来我司咨询!晶体管设计,就选深圳市凯轩业电子科技。

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气体放电管的主要参数1)反应时间指从外加电压超过击穿电压到产生击穿现象的时间,气体放电管反应时间一般在μs数量极。2)功率容量指气体放电管所能承受及散发的比较大能量,其定义为在固定的8×20μs电流波形下,所能承受及散发的电流。3)电容量指在特定的1MHz频率下测得的气体放电管两极间电容量。气体放电管电容量很小,一般为≤1pF。4)直流击穿电压当外施电压以500V/s的速率上升,放电管产生火花时的电压为击穿电压。气体放电管具有多种不同规格的直流击穿电压,其值取决于气体的种类和电极间的距离等因素。5)温度范围其工作温度范围一般在-55℃~+125℃之间。6)绝缘电阻是指在外施50或100V直流电压时测量的气体放电管电阻,一般>1010Ω。厂家直销,原装气体放电管就选凯轩业科技。甘肃半导体放电管生产企业

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半导体放电管是一种过压保护器件,是利用晶闸管原理制成的,依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电,可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围,构成了过压保护的范围。选用半导体放电管应注意以下几点:1、比较大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。如FCCPart68A类型的IPP应大于100A;Bellcore1089的IPP应大于25A。2、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的比较大瞬间峰值电压。3、半导体放电管处于导通状态(导通)时,所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm,Pcm=KVT*IPP,其中K由短路电流的波形决定。对于指数波,方波,正弦波,三角波K值分别为1.00,1.4,2.2,2.8。4、反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的最大工作电压。如在POTS应用中,比较大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V,所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中,比较大DC电压(150V)和比较大信号电压(3V)之和为153V,所以应选择VBR大于153V的器件。5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位,器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。即:IH(系统电压/源阻抗)。北京半导体放电管销售代理

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