规格书WILLSEMI韦尔WH2503D

时间:2024年03月13日 来源:

    WNM2030是一种N型增强型MOS场效应晶体管,采用先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)与低栅极电荷。这款器件适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2030为无铅产品。小型SOT-723封装。

主要特性:

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 优异的开启电阻

· 极低的阈值电压

应用领域:

· DC/DC转换器

· 电源转换器电路

· 便携式设备的负载/电源切换

   WNM2030是专为现代电子系统电源管理设计的高性能MOS场效应晶体管。其RDS(ON)和低栅极电荷特性使其在DC-DC转换、电源开关和充电电路中表现出色。采用先进沟槽技术,提供高密度和低功耗。快速开关操作适用于高频电源管理。小型SOT-723封装适合便携式设备,且无铅设计满足环保要求。WNM2030为现代电源管理提供高效、可靠和环保的解决方案。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WPT2E33-3/TR 三极管(BJT) 封装:SOT-89-3。规格书WILLSEMI韦尔WH2503D

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ESD73034D四线路、双向、极低电容瞬态电压抑制器

产品描述:

     ESD73034D是一种极低电容的瞬态电压抑制器(TVS)阵列,专为保护高速数据接口而设计。它被特别设计用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件,免受静电放电(ESD)引起的过度应力。ESD73034D结合了四对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,ESD73034D可用于提供高达±10kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD73034D采用DFN2510-10L封装。标准产品为无铅和无卤素。

产品特性:

· 截止电压:±3.3VMax

· 根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线路瞬态保护:±10kV(接触放电)

· 根据IEC61000-4-4(EFT)的瞬态保护:40A(5/50ns)

· 根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:5.5A(8/20μs)

· 极低电容:CJ=0.2pFtyp

· 低漏电流低箝位电压:VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固态硅技术

应用领域:

· USB3.0和USB3.1

· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

      ESD73034D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器,保护敏感元件免受静电放电损害。适用于USB3.0、HDMI等高速接口和便携式设备。紧凑、环保。详情查阅数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WNM65626DVWL2810D33-4/TR 线性稳压器(LDO) 封装:XDFN-4-EP(1x1)。

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     ESD9X5VL是一款单向瞬态电压抑制器(TVS),为可能遭受静电放电(ESD)的敏感电子元件提供极高水平的保护。它被设计用于替代消费设备中的多层变阻器(MLV),适用于手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、液晶电视等设备。ESD9X5VL结合了一对极低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,它可用于提供高达±20kV(接触和空气放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受8/20μs脉冲的峰值电流高达4A。ESD9X5VL采用FBP-02C封装,标准产品为无铅、无卤素。

特性:

· 截止电压:5V

· 根据IEC61000-4-2(ESD)为每条线路提供瞬态保护:±20kV(接触和空气放电)

· IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)

· IEC61000-4-5(浪涌):4A(8/20μs)

· 极低电容:CJ=1.2pF(典型值)

· 极低漏电流:IR<1nA(典型值)

· 低箝位电压:VCL=18V(典型值)@IPP=16A(TLP)

· 固态硅技术

应用:

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便携式电子产品

· 笔记本电脑

    ESD9X5VL是保护高速数据接口免受静电放电损害的瞬态电压抑制器。响应迅速,避免噪声和干扰,高可靠且适用于便携式设备。详情查阅手册或联系我们。

WPM1481:单P沟道、-12V、-5.1A功率MOSFET

产品描述:

    WPM1481是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1481为无铅产品。小型DFN2*2-6L封装。

产品特性:

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 出色的导通电阻

· 适用于更高的直流电流

· 极低的阈值电压

应用领域:

· 继电器、电磁阀、电机、LED等的驱动器

· DC-DC转换电路

· 电源开关

· 负载开关

· 充电应用  

     WPM1481是一款高性能的P沟道功率MOSFET,专为高电流应用而设计。其出色的RDS(ON)和极低的阈值电压使其成为DC-DC转换、电源开关和充电电路的理想选择。同时,其小型DFN2*2-6L封装使得它在空间受限的应用中也能发挥出色。WPM1481作为无铅产品,还符合环保要求。无论是用于驱动继电器、电磁阀、电机还是LED,WPM1481都能提供可靠且高效的性能。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WNM3008-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:SOT-23。

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ES9DN12BA瞬态电压抑制器

    ES9DN12BA是一款瞬态电压抑制器(TVS),专为保护连接到数据和传输线的敏感电子元件免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和雷电等过应力影响而设计。封装与环保特性:DFN1006-2L封装:紧凑的尺寸使得它易于集成到各种电路板中。无铅和无卤素:符合环保要求,适用于对无铅和无卤素有需求的场合。

特性:

· 截止电压:±12V。

· 按照IEC61000-4-2标准的ESD保护:±30kV(接触放电)

· 按照IEC61000-4-5标准的浪涌保护:5.5A(8/20μs)

· 典型电容:CJ=27pF

· 极低泄漏电流:IR=0.1nA

· 低钳位电压:在IPP=16A(TLP)时,VCL=20V。

· 固态硅技术:确保器件性能稳定和长寿命。

应用:

· 计算机及其外设:如键盘、鼠标、显示器等。

· 手机

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

    ES9DN12BA是一款高效、可靠的瞬态电压抑制器,专为保护敏感电子元件免受静电和电气瞬变的影响而设计。其优异的保护能力、紧凑的封装和环保特性使其成为各种电子设备制造商的理想选择。无论是计算机、手机还是便携式电子设备,ES9DN12BA都能提供强大的保护,确保设备的稳定性和可靠性。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WNM2021-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:SOT-323。规格书WILLSEMI韦尔ESD56321N09

ESD5451Z-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN0603-2L。规格书WILLSEMI韦尔WH2503D

    ESD5641DXX是一款专为保护电源接口设计的瞬态电压抑制器。它非常适合用于替代便携式电子产品中的多个离散组件。ESD5641DXX特别为USB端口设计,采用了具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。封装与环保:ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封装。标准产品为无铅和无卤素。

技术特性:

· 反向截止电压:7.5V~15V

· 根据IEC61000-4-5标准的浪涌保护8/20μs

· 根据IEC61643-321标准的浪涌保护10/1000μs

· 低钳位电压

· 固态硅技术

应用领域:

· 电源保护

· 电源管理

    ESD5641DXX瞬态电压抑制器以其出色的浪涌保护能力和低钳位电压,为电源接口提供了可靠的防护。特别适合用于USB端口保护,其紧凑的封装和环保特性使其成为便携式电子产品的理想选择。无论是在电源保护还是电源管理方面,ESD5641DXX都能提供出色的性能和可靠性。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WH2503D

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