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    二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结由P区引出的电极称为阳极，N区引出的电极称为阴极。因为PN结的单向导电性，二极管导通时电流方向是由阳极通过管子内部流向阴极。二极管的电路符号如图1所示。二极管有两个电极，由P区引出的电极是正极，又叫阳极；由N区引出的电极是负极，又叫阴极。三角箭头方向表示正向电流的方向，二极管的文字符号用VD表示。二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性，在PN结上加上引线和封装就成了一个二极管。晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。[5]当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。 全新原装整流二极管-德国英飞凌infineon。BSS123

    二极管有多种类型，如普通二极管、肖特基二极管、发光二极管（LED）等。每种二极管都有其独特的特性和应用。例如，肖特基二极管具有较低的正向压降和快速开关速度，适用于高频电路；而LED则能将电能转换为光能，广泛应用于照明和显示领域。二极管的发展经历了多个阶段，从早期的晶体二极管到现代的半导体二极管，其性能和可靠性不断提高。随着材料科学和制造技术的进步，二极管的尺寸不断缩小，性能不断优化，为电子技术的发展奠定了坚实基础。BSS123电子元器件SOT23二极管批发价格、实时报价、行情走势深圳市华芯源电子有限公司。

    二极管特性参数：反向特性外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。[4]一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。[4]击穿特性外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被**破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。[5]反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。[5]另一种击穿为雪崩击穿。

    二极管特性参数：反向电流反向电流是指二极管在常温（25℃）和*高反向电压作用*，*过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250μA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500μA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不*失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25℃时反向电流*为5μA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160μA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。[4]动态电阻二极管特性曲线静态工作点附近电压的变化与相应电流的变化量之比。[4]电压温度系数电压温度系数指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量。[4]*高工作频率*高工作频率是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样，其结电容由势垒电容组成。所以**工作频率的值主要取决于PN结结电容的大小。若是超过此值。则单向导电性将受影响。[4]*大整流电流*大整流电流是指二极管长期连续工作时，允许通过的*大正向平均电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热。 用于整流的二极管型号是？

    二极管特性参数：用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。[4]伏安特性二极管具有单向导电性，二极管的伏安特性曲线如图2所示[5]。在二极管加有正向电压，当电压值较小时，电流极小；当电压超过，电流开始按指数规律增大，通常称此为二极管的开启电压；当电压达到约，二极管处于完全导通状态，通常称此电压为二极管的导通电压，用符号UD表示[4]。对于锗二极管，开启电压为，导通电压UD约为。在二极管加有反向电压，当电压值较小时，电流极小，其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时，电流开始急剧增大，称之为反向击穿，称此电压为二极管的反向击穿电压，用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大，从几十伏到几千伏[4]。正向特性外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。[4]当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变。 整流用什么二极管较好。T410-600BTR

运用较多的二极管有肖特基二极管与整流器、整流器。BSS123

    用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。二极管主要参数：是指二极管长期连续工作时，允许通过的**正向平均电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为141左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下，二极管使用中不要超过二极管**整流电流值。例如，常用的IN4001－4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电压值。例如，IN4001二极管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V。 BSS123