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发展趋势：2001年到2010年这10年间，我国集成电路产量的年均增长率超过25%，集成电路销售额的年均增长率则达到23%。2010年国内集成电路产量达到640亿块，销售额超过1430亿元，分别是2001年的10倍和8倍。中国集成电路产业规模已经由2001年不足世界集成电路产业总规模的2%提高到2010年的近9%。中国成为过去10年世界集成电路产业发展较快的地区之一。国内集成电路市场规模也由2001年的1140亿元扩大到2010年的7350亿元，扩大了6.5倍。国内集成电路产业规模与市场规模之比始终未超过20%。如扣除集成电路产业中接受境外委托代工的销售额，则中国集成电路市场的实际国内自给率还不足10%，国内市场所需的集成电路产品主要依靠进口。集成电路的布局类似于一幢现代大楼，拥有不同功能的楼层和分隔，以实现高效和功能隔离。ITR12579

集成电路是主流，就是把实现某种功能的电路所需的各种元件都放在一块硅片上，所形成的整体被称作集成电路。对于“集成”，想象一下我们住过的房子可能比较容易理解：很多人小时候都住过农村的房子，那时房屋的主体也许就是三两间平房，发挥着卧室的功能，门口的小院子摆上一副桌椅，就充当客厅，旁边还有个炊烟袅袅的小矮屋，那是厨房，而具有独特功能的厕所，需要有一定的隔离，有可能在房屋的背后，要走上十几米……后来，到了城市里，或者乡村城镇化，大家都住进了楼房或者套房，一套房里面，有客厅、卧室、厨房、卫生间、阳台，也许只有几十平方米，却具有了原来占地几百平方米的农村房屋的各种功能，这就是集成。FDPF2710T集成电路也被称为微电路、微芯片或芯片，采用半导体晶圆制造方式，将电路组件小型化并集成在一块表面上。

基尔比和诺伊斯是集成电路的发明者，他们的发明为半导体工业带来了技术革新，推动了电子元件微型化的进程。在20世纪50年代，电子元件的体积和重量都非常大，而且工作效率低下。基尔比和诺伊斯的发明改变了这一局面，他们将多个晶体管、电容器和电阻器等元件集成在一起，形成了一个微小的芯片，从而实现了电子元件的微型化。这一发明不仅提高了电子元件的性能，而且使得电子设备的体积和重量很大程度上减小，为电子设备的发展奠定了基础。集成电路的发明不仅推动了电子元件微型化的进程，而且为电子设备的应用提供了更多的可能性。

集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。集成电路发明者为杰克·基尔比（基于锗（Ge）的集成电路）和罗伯特·诺伊斯（基于硅（Si）的集成电路）。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。集成电路的不断创新和发展，为社会经济提供了强大的支撑，推动了科技进步和产业升级。

集成电路的低功耗特性是指在电路运行时，电路所消耗的能量非常少。这种低功耗特性可以使得电子设备更加节能环保，同时也可以延长电子设备的使用寿命。此外，低功耗特性还可以降低电路的发热量，减少电子设备的散热负担，从而提高电子设备的稳定性和可靠性。集成电路的低功耗特性是现代半导体工业主流技术的重要特点之一。它可以使得电子设备更加节能环保，同时也可以延长电子设备的使用寿命。此外，低功耗特性还可以降低电路的发热量，减少电子设备的散热负担，从而提高电子设备的稳定性和可靠性。因此，集成电路的低功耗特性是现代半导体工业主流技术的重要特点之一。随着集成电路外形尺寸的不断缩小，每个芯片所能封装的电路数量不断增加，提高了集成度和功能性。NCP6335DFCT1G

现代的计算、通信、制造和交通系统都依赖于集成电路的应用，集成电路对于数字革新的推动起到了重要作用。ITR12579

在光刻工艺中，首先需要将硅片涂上一层光刻胶，然后使用光刻机将光刻胶暴露在紫外线下，形成所需的图案。接着，将硅片放入显影液中，使未暴露的光刻胶被溶解掉，形成所需的图案。通过将硅片放入蚀刻液中，将暴露出来的硅片部分蚀刻掉，形成所需的电路结构。光刻工艺的精度和稳定性对电路的性能和可靠性有着重要的影响。外延工艺是集成电路制造中用于制备复杂器件的重要工艺之一，其作用是在硅片表面上沉积一层外延材料，以形成复杂的电路结构和器件。外延材料可以是硅、砷化镓、磷化铟等半导体材料。在外延工艺中，首先需要将硅片表面清洗干净，然后将外延材料沉积在硅片表面上。外延材料的沉积过程需要控制温度、压力和气体流量等参数，以保证外延层的质量和厚度。外延工艺的精度和稳定性对电路的性能和可靠性有着重要的影响。外延工艺还可以用于制备光电器件、激光器件等高级器件，具有普遍的应用前景。ITR12579