成都多功能光电经销商

时间:2024年05月12日 来源:

光电器件的工作原理基于光电效应和半导体物理原理。光电效应是指当光照射到金属或半导体材料表面时,会将光子能量转移给电子,从而使其获得足够的能量逃逸出材料表面,产生光电子。半导体物理原理是指当半导体材料中掺杂了不同的杂质原子时,会形成PN结,在PN结处会形成电场,当光照射到PN结上时,会产生电子-空穴对,这些载流子会被电场分离,从而产生电流。在光电器件中,光电二极管、光电探测器和光电晶体管的工作原理都基于光电效应和PN结的电场作用。光电阻的工作原理则基于光照射到光敏材料上产生电阻变化。而光电开关的工作原理则是通过光电传感器检测光信号,从而控制电路的开关状态。高速光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。成都多功能光电经销商

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性能良好的雪崩光电二极管的光电流平均增益嚔可以达到几十、几百倍甚至更大。半导体中两种载流子的碰撞离化能力可能不同,因而使具有较高离化能力的载流子注入到耗尽区有利于在相同的电场条件下获得较高的雪崩倍增。但是,光电流的这种雪崩倍增并不是理想的。一方面,由于嚔随注入光强的增加而下降,使雪崩光电二极管的线性范围受到一定的限制,另一方面更重要的是,由于载流子的碰撞电离是一种随机的过程,亦即每一个别的载流子在耗尽层内所获得的雪崩增益可以有很泛的几率分布,因而倍增后的光电流I比倍增前的光电流I0有更大的随机起伏,即光电流中的噪声有附加的增加。与真空光电倍增管相比,由于半导体中两种载流子都具有离化能力,使得这种起伏更为严重。深圳IV光电批发公司四川全波段光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。

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所谓的夹层探测器或双色光电二极管,由两个(或多个)光电二极管依次组成。顶部的光电二极管由具有带隙能量的材料制成,吸收短波长的光,同时传输大部分不能被吸收的长波长的光。这些透射光然后照射到另一个光电二极管上。光电二极管检测到的功率比取决于波长。同样的原理也可以应用在由相同材料制成的光电二极管上,因为在较长的波长下(更接近带隙),顶部的光电二极管不会吸收所有的光。人们再次从两个光电二极管得到一个与波长有关的信号比例。夹层探测器可用于远程温度测量,例如,你使用两个光电二极管的信号比率:温度越高,短波长的相对辐射量就越高。多段式光电二极管和光电二极管阵列光电二极管不仅有单段检测器。有双段和四段光电二极管,可用于精密传感,也有一维和二维光电二极管阵列。更多细节,请参见位置敏感探测器一文。光电二极管有时被集成到激光二极管的封装中。它可以检测到一些通过高反射背面的光,其功率与输出功率成正比。获得的信号可用于稳定输出功率,或检测设备的退化。

向pn结施加反向偏置电压会导致耗尽区变宽。这在光电二极管应用的背景下有两个有益的影响。首先,如上一篇文章所述,较宽的耗尽区会使光电二极管更敏感。因此,当您想要产生与照度相关的更多输出信号时,光电导模式是一个不错的选择。其次,较宽的耗尽区会降低光电二极管的结电容。在上面所示的电路中,反馈电阻和结电容(以及其他电容源)的存在限制了系统的闭环带宽。与基本的RC低通滤波器一样,减小电容会增加截止频率。因此,光电导模式允许更宽的带宽,并且当您需要化检测器响应照度快速变化的能力时更可取。反向偏压还扩展了光电二极管的线性工作范围。如果您担心在高照度下保持测量,您可以使用光电导模式,然后根据您的系统要求选择反向偏置电压。但请记住,更多的反向偏压也会增加暗电流。西安低噪声光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。

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光电传感器工作原理:光电元件是光电传感器中重要的组成部分,它的工作原理是不同类型的光电效应。根据波粒二象性,光是由光速运动的光子所组成,当物体受到光线照射时,其内部的电子吸收了光子的能量后改变状态,自身的电性质也会发生改变,这样的现象称为光电效应。光/电转换器的工作原理将反光靶贴在秒表检定仪夹具的打头上,使光/电转换器的光束对准光靶,当信号使夹具打头启动秒表时,光敏管受光的强弱产生相应变化的电信号经过适当的电子线路输出一个幅度较大的方波信号接到时间计数器上开始计时,等下一个停止信号到来时即停止计时,这样就完成了一个时间间隔的检定(光/电转换器除普通光源外还有红外光源的)。光/电转换器的工作原理机/电转换器的基本原理是产生一个电脉冲信号,脉冲宽度即为夹具两次动作的时间间隔。深圳在线光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。广州在线光电模块

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光电二极管可以在两种非常不同的模式下工作。光伏模式:像太阳能电池一样,被照亮的光电二极管产生一个可以测量的电压。然而,该电压对光功率的依赖性是非线性,而且动态范围相当小。另外,也没有达到速度。光导模式:在这里,对二极管施加反向电压(即在没有入射光线的情况下二极管不导电的方向施加电压),并测量由此产生的光电流。该反向偏置模式的简单解决方案是基于一个电压源和一个负载电阻。光电流对光功率的依赖性在光功率的六个或更多数量级上可以是非常线性的,例如,对于活性面积为几平方毫米的硅p-i-n光电二极管来说,其范围从几纳瓦到几十毫瓦。反向电压的大小对光电流几乎没有影响,而对暗电流(通常很小)(在没有光的情况下获得)有一些影响。较高的反向电压往往会使反应更快,但也会增加器件的加热,这对高光电流来说是个问题。成都多功能光电经销商

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