武汉磁通门电流传感器

磁电流传感器的种类很多，按照测试原理可以划分为：罗氏（Rogowski）线圈、电流互感器、分流器、巨磁阻效应（GMR）、巨磁阻抗（GMI）各向异性（AMR）、隧道效应（TMR）、光学效应、霍尔效应等等。Rogowski 线圈测量电流的基本原理是电磁感应和安培环路定律，又叫电流测量线圈或者微分电流传感器，如下图所示。根据线圈上的感应电流信号与通过线圈的额电流变化率成正比的顾虑，通过积分还原一次回路电流值。这是一种交流电流的测量方法。Rogowski 线圈不含磁性材料，所以没有磁滞效应和磁饱和现象，测量的范围从数安培到几千安培，结构简单，测量回路与被测电流之间没有直接的关系，具有测量范围广、精度高、稳定性高、响应频率范围宽等优点，可以用来测量交流、直流和瞬态电流，用在继电保护、可控硅整流、变频调速等场合。用电设备通过电流传感器来实现测量、检测、保护、反馈控制等功能。武汉磁通门电流传感器

电流互感器(currenttransformer, CT)依据电磁感应原理测量电流，它主要应用于电力系统电流测量和继电保护系统中，其运行稳定性影响测量的准确性和保护装置动作的可靠性。但是电流互感器只能进行交流电流的测量，磁芯容易受到饱和的影响，并且体积较大，测量频率较低，价格昂贵。 巨磁阻(GMR)效应在微小磁场测量领域实现了巨大的改变，尤其在利用涡流传感器进行无损检测方面取得了很大的进展。巨磁阻传感器具有低功耗、尺寸小、高灵敏度以及频率与灵敏度的不相关性等特点；其缺点是这类传感器对外界磁场比较敏感，不是很适合用于复杂电流检测。徐州光伏逆变器电流传感器服务电话磁通门电流传感器频响宽，有着很好的频响特性，纳吉伏研发的磁通门电流传感器带宽可达10MHz。

电流传感器的误差由其铁芯励磁电流引起，励磁电流越小则误差越小。零磁通电流互感器采用电子线路跟踪互感器铁芯中的励磁电流并进行补偿，使铁芯中的磁通动态地接近零，达到减小电流互感器误差的目的。在零磁通互感器中，交流信号可以比较容易的依据法拉第电磁感应定律进行检测和补偿，直流信号则需要利用高磁导率铁磁材料的对称非线性，通过检测直流偏置磁场导致感应电压产生的偶次谐波或二次谐波来间接实现。若同时测量交流和直流信号，普通零磁通互感器需要分别进行交流补偿线路和直流补偿线路的设计，然后在输出端将交流、直流信号进行叠加还原，其电路结构复杂，成本较高。

电流传感器的发展趋势是： 1、高灵敏度 被检测信号的强度越来越弱，这就需要磁性传感器灵敏度得到极大提高。应用方面包括电流传感器、角度传感器、齿轮传感器、太空环境测量。 2、温度稳定性 更多的应用领域要求传感器的工作环境越来越严酷，这就要求磁传感器必须具有很好的温度稳定性，行业应用包括汽车电子行业。 3、抗干扰性 很多领域里传感器的使用环境没有任何评比，就要求传感器本身具有很好的抗干扰性。包括汽车电子、水表等等。 4、小型化、集成化、智能 要想做到以上需求，这就需要芯片级的集成，模块级集成，产品级集成。 5、高频特性 随着应用领域的推广，要求传感器的工作频率越来越高，应用领域包括水表、汽车电子行业、信息记录行业。 6、低功耗 很多领域要求传感器本身的功耗极低，得以延长传感器的使用寿命。应用在植入身体内磁性生物芯片，指南针等等。电流传感器的主要功能是将信息变换成符合标准的电信号。

电流测量是人类观察和利用电现象的一门历史悠久并不断发展的技术学科。无论是在电力、冶金、 化工、机械和电气机车等工业领域，还是在核物理、大功率电子学等科学领域都涉及到交直流大电流的测量问题国。电流测量的覆盖范围很广，对于电流幅值大小的不同，电流变化特性的不同有着不同的测量方法。常用的大电流测量传感器有电流互感 器、分流器和霍尔传感器等。电流互感器的基本原理是电磁感应现象，当一、二次绕组均绕在同一铁芯上时，给一次绕组输入电流，由于电磁感应，会在二次绕组中感应出电动势,从而产生对应的二次电流。其优点是将一次大电流转变为较小的二次电流并实现了一次电流与测量回路的电气隔离，保障了测量仪器与测量人员的安全，然而基于电磁感应原理的电流互感器无法进行直流电流测量，在被测信号含有直流分量时极易饱和。无锡纳吉伏科技有限公司团队是国内早期研发磁调制式电流传感器并推向市场的厂商，已有10年技术积累。珠海电流传感器连接

电流传感器的技术参数主要包括精度、带宽、灵敏度、线性度等。武汉磁通门电流传感器

对比上述几种电流传感器当中，分流器、互感器和磁电流传感器，优缺点如下： 分流器 优点：足够简单、使用灵活、电流低时成本优势明显、适用于一百安培以下； 缺点：只适用于直流、电流大时设计困难、插入损坏大效率低、隔离应用时系统复杂； 互感器 优点：简单、交流精度较高； 缺点：只适用于交流或者脉动直流、体积大； 磁电流传感器 优点：交直流通用、微秒级响应、体积小插入损耗低、隔离应用时系统简单； 缺点：半导体器件抗冲击能力弱、容易磁饱和；武汉磁通门电流传感器