南昌莱姆电流传感器设计标准

校准和校验：定期对电压传感器进行校准和校验，以确保测量结果的准确性和可靠性。防雷保护：在雷电活动频繁的地区，应采取适当的防雷措施，如安装避雷器或使用防雷设备，以保护电压传感器免受雷击损坏。温度补偿：某些电压传感器的性能可能会受到温度的影响，因此在使用时要注意温度补偿，以确保测量结果的准确性。总之，正确选择、安装和使用电压传感器，遵循相关的操作指南和安全规范，可以确保传感器的性能和可靠性，并保证测量结果的准确性。磁通门电流传感器，具有很强的抗干扰能力和稳定性，可以在各种复杂的环境下准确地测量电流。南昌莱姆电流传感器设计标准

考虑到光学电流测量方法目前仍对温度、振动等环境敏感，对光源要求苛刻，因此在当前的技术水平下，再提高其精度等级具有较大难度[54]。霍尔电流传感器通常需要在铁芯上开口，因此对铁芯加工工艺有一定要求，且开环霍尔电流传感器由于开口漏磁的影响，其精度一般不高；形成闭环可以获得较高的精度，但要实现高精度需要对传感器进行复杂的屏蔽设计，使得测量结构复杂，整机异常笨重，且霍尔传感器本身也对温度敏感，一般不适用于精密电流测量。分流器的原理极为简单，但分流器在交流电流下具有集肤效应，另外当通过电流较大时，分流器易产生温升而使其温度特性变差，此时多采用多个分流器并联的方法来扩大测量的范围，导致分流器的体积会过分庞大；再者，当应用于大交流电流中含有较小的直流分量时，受限于信噪比，难以完成小 直流分量的高精度测量。而传统的磁调制器法电流传感器具有强抗干扰能力，测量精度高，但其性价比不高，主要成本来自于外接交流激励源及复杂的解调电路，而自激振荡 磁通门传感器法也是基于磁调制原理，但其结构简单，不需外加交流激励源。镇江漏电保护电流传感器厂家直销磁通门电流传感器确实具有很强的抗干扰能力。这种抗干扰能力主要归功于它的激励磁场持续振荡的特性。

可以观察到基于铁芯C1磁化曲线的对称性及激磁方波电压的对称性，激磁电流波形正向峰值与反向峰值电流满足I+m=-I-m=Im=ρVOH/RS，且铁芯C1工作点在线性区与饱和区之间周期性变化，因此当自激振荡磁通门传感器一次测量电流为0时，激磁电流iex在单个周期内正负半波波形中心对称，即在单个周期内激磁电流iex平均值为0，对于信号采样而言，即在RS上的采样电压信号满足采样电压VRS平均值为0。接下来对一次电流为正向及反向直流时的自激振荡磁通门传感器振荡过程进行分析。当IP>0时，激磁电压波形Vex及激磁电流iex波形如图2－4中蓝色曲线所示，图中红色曲线为IP=0时激磁电流波形。

对于交、直流电流信号检测，除了磁调制方法，还有基于欧姆定律的分流器法、基于电磁感应原理的罗氏线圈法、基于霍尔效应原理的霍尔电流传感器法以及基于磁光效应的光电电流传感器法等。这些测量方法理论上均可用于交直流电流的测量，但具有不同的特点。除了罗氏线圈电流传感器无法进行交直流同时测量，其他四种方法皆可测量交直流电流，但各有优缺点，因此各自的适用场合不同。光学电流传感器电流检测部分为无源结构，因此具有高可靠性特点，在电磁环境恶劣、测量安全性及可靠性要求较高场合使用，但受限于成本因素，在电网电流测量中在小部分场合使用。罗氏线圈传感器的输出信号与被测电流的平方成正比，因此它适用于测量中低成本的交流电流。

式（3－3）表明新型交直流电流传感器灵敏度与终端测量电阻 RM  阻值成正比，与 反馈绕组匝数 NF 成反比。负号没有实际意义，表示输出与输入信号反相。同时，由于环形铁芯 C1 与环形铁芯 C2 工作在完全相反的激磁状态，采样电阻 RS2 上的交直流采样电压信号 VRS2  中的交直流电流信号理论上与 VRS1  幅值相同，而方向相 反。下一节将具体介绍反向激磁的环形铁芯 C2 在系统中的具体作用。新型交直流传感器是基于 PI  比例积分放大电路进行误差控制的，理论上比例积分 环节将会保证系统稳态误差为 0，而实际上闭环交直流传感器工作的电磁环境更为复杂， 在输入端除了一次绕组 WP 中交直流电流 IP 外，还有在环形铁芯 C1 上激磁绕组 W1 端的 激磁电压 Vex1 ，在输出端存在反馈绕组 WF  中的反馈电流。由于这个感应电流与被测导体中的电流成正比，因此可以通过测量这个感应电流来间接测量被测导体中的电流。无锡电流传感器输出电流

用超导 材料制成的，在超导状态下检测外磁场变化的一种新型磁测装置，SQUID磁敏传感器。南昌莱姆电流传感器设计标准

磁通门传感器是一种根据电磁感应现象加以改造的变压器式的器件，只是它的变压器效应是用于对外界被测磁场进行调制。它的基本原理可以由法拉第电磁感应定律进行解释。磁通门传感器是采用某些高导磁率，低矫顽力的软磁材料（例如坡莫合金）作为磁芯，磁芯上缠绕有激励线圈和感应线圈。在激励线圈中通入交变电流，则在其产生的激励磁场的作用下，感应线圈中产生由外界环境磁场调制而成的感应电势。该电势包含了激励信号频率的各个偶次谐波分量，通过后续的各种传感器信号处理电路，利用谐波法对感应电势进行检测处理，使得该电势与外界被测磁场成正比。又因为磁通门传感器的磁芯只有工作在饱和状态下才能获得较大的信号，所以该传感器又称为磁饱和传感器。与磁通门相关的技术问世于20世纪30年代初期，首先在1931年，Thomas申请了关于磁通门的一项知识产权，接着，有关科学家们根据与磁现象相关的各种大量的实验，总结并提出磁通门技术的工作原理，且当时的实验精度达到了纳特（nT）级别。随后各国的科学家们对与磁通门相关的技术做了进一步的实验和探讨研究，从而证实了磁通门技术的实用性和可发展性，在随后的几十年里，利用该技术制造的各种仪器得到了不断的改进和完善。南昌莱姆电流传感器设计标准