南通地面光伏电站技改

微型逆变器在传统的PV系统中，每一路组串型逆变器的直流输入端，会由10块左右光伏电池板串联接入。当10块串联的电池板中，若有一块不能良好工作，则这一串都会受到影响。若逆变器多路输入使用同一个MPPT，那么各路输入也都会受到影响，大幅降低发电效率。在实际应用中，云彩，树木，烟囱，动物，灰尘，冰雪等各种遮挡因素都会引起上述因素，情况非常普遍。而在微型逆变器的PV系统中，每一块电池板分别接入一台微型逆变器，当电池板中有一块不能良好工作，则只有这一块都会受到影响。其他光伏板都将在比较好工作状态运行，使得系统总体效率更高，发电量更大。在实际应用中，若组串型逆变器出现故障，则会引起几千瓦的电池板不能发挥作用，而微型逆变器故障造成的影响相当之小。运维团队通过培训和学习，不断提升自身专业技能和知识水平，为光伏电站运维提供有力保障。南通地面光伏电站技改

太阳能光伏并网原理1：光伏发电并网原理:依靠太阳能电池组件,利用半导体材料的电子学特性,当太阳光照射在半导体PN结上,产生了较强的内建静电场,在内建静电场的作用下,将光能转化成电能。其工作原理是：太阳电池组件产生的直流电经并网逆变器转换成符合电网要求的交流电之后，直接进入公共电网，光伏电池方阵所产生的电力除了供给交流负载外，多余的电力反馈给电网。在阴雨天或夜晚，太阳电池组件没有产生电能或者电能不能满足负载需求时，就由电网供电。由于太阳能发电直接供入电网，免除配置蓄电池，省掉了蓄电池储能和释放的过程，减少了能量的损耗，并降低了系统的成本。但是，系统需要**的并网逆变器，以保证输出的电力满足电网对电压、频率等指标的要求。因为逆变器效率的问题，会有部分能量损失。苏州工业光伏电站清洗通过科学的运维管理，延长光伏电站设备使用寿命，提高发电效率。

1、运维人员配备及介入时间光伏电站运维人员配置根据电站容量一般按10MW配置1.2~1.5个运维员，比较低不低于4人，实行两班倒机制。一个电站按站长1人、副站长1人、值长2~4人、电气专工、普通运维人员的组织架构进行人员配备。所有人员需取得特种作业证（高压电工）及调度颁发的运维证书。运维人员的比较好介入时间是电站建设期中开始进行电气调试的时候，此时运维人员可以跟着厂家、调试单位工程师一起参与各电力设备的调试，熟悉电站电力设备的配置情况，对电站电气设备配置有个更清晰的了解，同时进行设备材料、设备安装质量。尤其是监控后台的调试，调试期间运维人员要多与厂家沟通监控后台的制作细节，方便今后自己的使用。对于电站内的通讯线要及时要求调试单位或自己做好标签，也是为了方便后期设备维护。调试期间介入对今后电站投运后接手运维工作能做到知根知底，得心应手。

组件清扫维护清扫条件：光伏方阵输出低于初始状态（上一次清洗结束时）输出的85%。

清洗标准：组件清洗后，表面无肉眼可见的油污、斑点及附着物，用白手套或白纱布擦拭组件表面，无灰尘覆盖现象。1.组件清洗条件光伏发电系统的光伏组件清洗工作应选择在清晨、傍晚、夜间或阴雨天（辐照度低于200W/㎡的情况下）进行，严禁选择中午前后或阳光比较强烈的时段进行清洗工作。在早晚清洗时，也要选择在阳光暗弱的时间段内进行。2.组件清洗方法组件清洗方法可分为常规清洗及雨天清洗，其中常规清洗包含普通清扫和冲洗清洁。 通过优化光伏电站运维管理，降低运维成本，提高电站整体经济效益。

集中型逆变器集中逆变技术是若干个并行的光伏组串被连到同一台集中逆变器的直流输入端，一般功率大的使用三相的IGBT功率模块，功率较小的使用场效应晶体管，同时使用DSP转换控制器来改善所产出电能的质量，使它非常接近于正弦波电流，一般用于大型光伏发电站（>10kW）的系统中。比较大特点是系统的功率高，成本低，但由于不同光伏组串的输出电压、电流往往不完全匹配（特别是光伏组串因多云、树荫、污渍等原因被部分遮挡时），采用集中逆变的方式会导致逆变过程的效率降低和电户能的下降。同时整个光伏系统的发电可靠性受某一光伏单元组工作状态不良的影响。***的研究方向是运用空间矢量的调制控制以及开发新的逆变器的拓扑连接，以获得部分负载情况下的高效率。运维团队密切关注光伏电站行业政策变化，及时调整运维策略，确保电站合规运营。海南太阳能光伏电站

光伏电站运维过程中，注重环境保护，实现绿色清洁能源的可持续利用。南通地面光伏电站技改

技术路线TOPCon电池的**工序存在多条技术路线。TOPCon电池的制备工序包括清洗制绒、正面硼扩散、刻蚀去硼硅玻璃（BSG）和背结、氧化层钝化接触制备、正面氧化铝/氮化硅沉积、背面氮化硅沉积、丝网印刷、烧结和测试。其中，氧化层钝化接触制备为TOPCon在PERC的基础上增加的工序，也是TOPCon的**工序，目前主要有4种技术路线：①LPCVD本征+磷扩：利用LPCVD设备生长氧化硅层并沉积多晶硅，再利用扩散炉在多晶硅中掺入磷制成PN结，形成钝化接触结构后进行刻蚀。LPCVD+磷扩目前行业占比66.3%，设备成熟度高但存在绕镀问题。②LPCVD离子注入：利用LPCVD设备制备钝化接触结构，再通过离子注入机精细控制磷在多晶硅中的分布实现掺杂，随后进行退火处理，***进行刻蚀。③PECVD原位掺杂：利用PECVD设备制备隧穿氧化层并对多晶硅进行原位掺杂。PECVD路线目前行业占比约为20.7%，PECVD优势在于绕镀问题小，单台产能大。同时PECVD也可结合PEALD达到较好均匀性和致密性的氧化硅层。④PVD原位掺杂：利用PVD设备，在真空条件下采用溅射镀膜，使材料沉积在衬底表面。行业占比约13%。南通地面光伏电站技改