比较好的电池片打磨

    与BSF电池相比，光电转换效率更高PERC电池市占率呈现大幅提升趋势，由2016年的，现已成为电池片主流产品发展历程，PERC技术出现并引起重视PERC电池技术起点源于1989年澳洲新南威尔士大学的马丁·格林教授研究组公开的研究成果，实现了，PERC电池背面钝化的AlOx介质膜的钝化作用引起重视，PERC技术开始逐步走向产业化，国内PERC电池步入萌芽期2012年由中电光伏牵头的国家863项目正式吹响了我国PERC电池产业化的号角2013-2014年在诸多厂家与机构长期的技术储备和研究基础下国内PERC电池进入商业化和量产化的基础阶段，其中晶澳作为国内打通PERC产业链的企业，其批量试产效率达到，并率先实现小批量生产，国内PERC电池进入高速成长阶段2015年国内PERC电池产能达到世界，占全球PERC电池产能的35%2016年由国家能源局实施的“光伏计划”国内PERC电池正式开启产业化量产，平均效率达到，常规电池的市场份额开始下降，国内PERC电池市场份额提升至15%，其产能已增至，成为市场主流2019年PERC电池规模化量产加速，量产效率达，产能占比超过50%，正式超过BSF电池成为主流的光伏电池技术根据CPIA预计，到2022年PERC电池量产效率将达，产能占比将超过80%。

   未来10年晶体硅太阳能电池所占份额尽管会因薄膜太阳能电池的发展等原因而下降，其主导地位仍不会根本改变。比较好的电池片打磨

    未来的电池技术，现在看到我们刚才讲的是P型PERC，未来的我们大家都在探讨，有TOPN型的还有异质结，还有钙钛矿技术。从我个人或者公司内部认为钙钛矿单独的大量利用可能还需要时间，终还是要钙钛矿和硅电池结合起来，这样可能是为了光伏电池技术的发展。如果是把钙钛矿和硅做成叠层的结构电池能够量产，未来我相信电池的转换效率超过30%甚至35%都是完全有可能。组件的封装技术方面，各方面从提高光学利用率包括减少电耗损失以及增加电池密度各方面的技术，由于时间关系就跳过去了。事实上，从30年前开始，未来双面电池将逐渐普及，因为它可以在不同的场景中增加发电能力，降低度电成本，未来双面组件将逐渐成为主流，至少35年后，双面组件将成为主流，因为双面组件可以充分利用散色光。 比较好的电池片打磨在有栅线的面涂覆减反射源，以防大量的光子被光滑的硅片表面反射掉。

    形状不规则的片料或大块硅料在指定区域砸碎，对片料进行破碎，使用砸料箱，注意此过程必须戴PVC手套、护目镜，防止危害人体。挑选“硅料表面比较光滑的面”。大小块料要尽量均匀，碎料尽量用来填缝隙。在装料过程中，一定不能碰到坩埚内壁，发现破坏要取出硅料，重新喷涂，直至符合要求再用。一半的硅料装完后，领取掺杂剂，用电子天平称重后均匀的放置到硅料的表面。掺杂剂假如完成后，继续加入硅料，直至达到规定数量为止。加热在真空状态下开始加热、按照一定的工艺程序，对硅料、热场、坩埚等进行排湿、排杂。熔化熔化与加热的延伸、也可以理解为加热，但在工艺程序上的设计上有较大的差别，熔化是将固体硅转化成液体硅，温度比较高可达1560度。操作者在中心观测孔观测是否融化完成，连续观测3-5分钟，若没有硅料固体出现，程序方可继续向后运行。长晶熔进入长晶阶段，打开隔热笼以冷却DS-BLOCK，坩埚内硅液顺着温度梯度，从底部向顶部定向凝固。操作者在中心观察孔观察是否透顶手动选择合适的步骤。退火因在长晶阶段硅锭存在温度梯度，内部存在应力。若直接冷却出炉，硅锭存在隐裂，在开方和线切阶段，外力作用会使硅片破裂。

    P2O5在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅和磷原子。生成的P2O5淀积在硅片表面与硅继续反应生成SiO2和磷原子，并在硅片表面形成磷-硅玻璃（PSG），磷原子向硅中扩散,制得N型半导体。刻蚀在扩散工序，采用背靠背的单面扩散方式，硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射，P-N结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到P-N结的背面，造成短路通路。短路通道等效于降低并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净，避免了P-N结短路并且造成并联电阻降低。湿法刻蚀工艺流程：上片→蚀刻槽（H2SO4HNO3HF）→水洗→碱槽(KOH)→水洗→HF槽→水洗→下片HNO3反应氧化生成SiO2，HF去除SiO2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面，使电池片变得光滑；碱槽的主要溶液为KOH；H2SO4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来，并不参与反应。干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时，一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强，选择合适的气体，就可以让硅片更快速的进行反应，实现刻蚀；另一方面，可利用电场对等离子体进行引导和加速，使等离子体具有一定能量，当轰击硅片的表面时，硅片材料的原子击出。

  原始的解决方法是用强碱来粗剥一下，但随着原材料变薄也可用低一些的浓度与IPA混合溶液处理，5~6分钟即可。

    原位掺杂:PECVD制备多晶硅膜并原位掺杂工艺优势:沉积速度快，沉积温度低，轻微的绕镀，可以用PECVD直接制备多晶硅层，流程相对简化劣势:厚度均匀性较差，纯度低，存在气泡爆膜问题，导致致密度和良率较低目前产业化程度较慢，根据Solarzoom，目前拉普拉斯、捷佳伟创、金辰股份、无锡微导等国内设备厂商已经布局该方法原则上没有绕镀问题，与PERC产线不兼容，更适合新的产线，后续有望通过工艺的成熟改善镀膜稳定性，成为主流技术3.离子注入:LPCVD制备多晶硅膜结合扩硼及离子注入磷工艺优势:离子注入技术是单面工艺，掺杂离子无需绕镀，工艺温度低，成膜速度快劣势:扩硼工艺要比扩磷工艺难度大，需要更多的扩散炉和两倍的LPCVD，设备成本高，靶材用量大，方阻均匀性有偏差目前主要是隆基绿能有布局，因占地面积较大，几乎没有绕镀问题但是设备成本昂贵，正逐渐被边缘化成本分析，大部分的TOPCon产线可以从PERC产线升级得来，极大降低设备投资成本TOPCon产线延长了PERC产线生命周期，有助于降低折旧费用主要新增的设备包括:多晶硅/非多晶硅沉积的LPCVD/PECVD/PVD设备、硼扩散设备等。 测试反射率，太高表示沒有金字塔，因为片子表面有一層較厚的SiO2。比较好的电池片打磨

目前太阳能电池使用的多晶硅材料，多半是含有大量单晶颗粒的体。比较好的电池片打磨

    电池片制作的七步工艺流程：电池片工艺流程共分为7步:第一步：制绒(INTEX)第二步：扩散(DIFF)第三步：后清洗(刻边/去PSG)第四步：镀减反射膜(PECVD)第五步：丝网、烧结(PRINTER)第六步：测试、分选(TESTER+SORTER)第七步：包装(PACKING)。1制绒制绒的目的是在硅片表面形成绒面面，以减少电池片的反射率，绒面凹凸不平可以增加二次反射，改变光程及入射方式。通常情况下用碱处理单晶，可以得到金字塔状绒面；用酸处理多晶，可以得到虫孔状无规则绒面。处理方式区别主要在与单多晶性质的区别。工艺流程：制绒槽→水洗→碱洗→水洗→酸洗→水洗→吹干。一般情况下，硅与HF、HNO3（硅表面会被钝化）认为是不反应的。当存在于两种混合酸的体系中，硅与混合溶液的反应是持续性的。2扩散扩散是为电池片制造心脏，是为电池片制造P-N结，POCl3是当前磷扩散用较多的选择。POCl3为液态磷源，液态磷源扩散具有生产效率较高、稳定性好、制得PN结均匀平整及扩散层表面良好等优点。POCl3在大于600℃的条件下分解生成五氯化磷（PCl5）和五氧化二磷（P2O5），PCl5对硅片表面有腐蚀作用，当有氧气O2存在时，PCl5会分解成P2O5且释放出氯气，所以扩散通氮气的同时通入一定流量的氧气。

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