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菲涅尔透镜从设计上划分为两类。正菲涅尔透镜：光线从一侧进入，经过菲涅尔透镜在另一侧出来聚焦成一点或以平行光射出。焦点在光线的另一侧，并且是有限共轭。这类透镜通常设计为准直镜（如投影用菲涅尔透镜，放大镜）以及聚光镜（如太阳能用聚光聚热用菲涅尔透镜。负菲涅尔透镜：和正焦菲涅尔透镜刚好相反，焦点和光线在同一侧，通常在其表面进行涂层，作为第1反射面使用。菲涅尔透镜从结构上划分圆形菲涅尔透镜，菲涅尔透镜阵列，柱状菲涅尔透镜，线性菲涅尔透镜，衍射菲涅尔透镜，菲涅尔反射透镜，菲涅尔光束分离器和菲涅尔棱镜。柱状菲涅尔透镜24小时服务客服电话。自动化菲涅尔透镜欢迎选购

菲涅尔透镜基本工作原理十分简单：假设一个透镜的折射能量只只发生在光学表面（如：透镜表面），拿掉尽可能多的光学材料，而保留表面的弯曲度。另外一种理解就是，透镜连续表面部分“坍陷”到一个平面上。从剖面看，其表面由一系列锯齿型凹槽组成，中心部分是椭圆型弧线。每个凹槽都与相邻凹槽之间角度不同，但都将光线集中一处，形成中心焦点，也就是透镜的焦点。每个凹槽都可以看做一个单独的小透镜，把光线调整成平行光或聚光。这种透镜还能够消除部分球形像差。什么是菲涅尔透镜有哪些平面菲涅尔透镜材料模板有哪些？

焦点和光线在同一侧，通常在其表面进行涂层，作为**反射面使用。1)圆形菲涅尔透镜2)菲涅尔透镜阵列3)柱状菲涅尔透镜4)线性菲涅尔透镜5)衍射菲涅尔透镜6)菲涅尔反射透镜7)菲涅尔光束分离器和菲涅尔棱镜。菲涅尔透镜的作用，简单的说就是在透镜的一侧有等距的齿纹。通过这些齿纹，可以达到对指定光谱范围的光带通(反射或者折射)的作用。传统的打磨光学器材的带通光学滤镜造价昂贵，菲涅尔透镜可以极大的降低成本。典型的例子就是PIR（被动红外线探测器）。PIR普遍的用在警报器上，每个PIR上都有个塑料的小帽，此即菲涅尔透镜。小帽的内部都刻上了齿纹，这种菲涅尔透镜可以将入射光的频率峰值限制到10微米左右（人体红外线辐射的峰值）。

壳材806可以具有小于10nm、小于5nm、小于1nm的厚度或单层原子。图9a至9c示出了根据一些实施例的图案化在vcsel结构的顶层802上的元原子的不同示例。图9a示出了***元结构902，其中，壳材806围绕用于每个元原子的芯材804，但是不覆盖顶层802在每个元原子之间的区域。在蚀刻工艺期间，使用例如光刻胶或硬掩模来保护壳材806的围绕芯材804的部分，以移除壳材806在顶层802的表面上的暴露部分。图9b示出了第二元结构904，其中，壳材906共形地覆盖包括芯材804的所有表面和顶层802的表面。图9c示出了第三元结构906，其中，壳材806*覆盖芯材804的一个或多个侧壁。在沉积壳材806后，可以执行包层各向异性干法蚀刻工艺，以移除壳材806的所有水平平面部分，*留下芯材804的侧壁上的那些部分。图10示出了根据实施例的包括不止一种类型的元原子的元结构1000(这里称为“元分子(metamolecule)”)的另一示例。根据实施例，***元原子1002包括具有基部1006和顶部1008的芯材。基部1006可以比顶部1008更宽或更窄。第二元原子1004包括芯材1010，并且***元原子1002和第二元原子1004二者被壳材1012环绕。菲涅尔透镜作用发展现状。

可以确定在***多个vcsel结构和第二多个vcsel结构之间的孔径宽度的大小，使得从发射的辐射生成任意数目的不同横向激光模式和斑点模式。通过从具有不同孔径宽度的vcsel结构发射辐射，可以降低斑点噪声。在使用具有两个不同孔径宽度的两组vcsel结构的示例中，斑点噪声降低大约可以使用附加的vcsel结构阵列，其中每个阵列具有不同的孔径宽度，以将斑点噪声降低因数其中n是不同vcsel阵列的数目。接着，在操作1106，在由***和第二vscel结构发射的辐射被从物体反射出来之后，在检测器处接收该辐射。所接收的辐射可被用来定义物体的数字3d图像。当然，在一些实施例中，如先前结合系统所描述的，可以执行附加操作。具体地，辐射可以从与***和第二多个vcsel结构布置在相同衬底上的第三多个vcsel结构发射。第三多个vcsel结构中的每个vcsel结构包括不同于***和第二多个vcsel结构的孔径宽度的孔径宽度，使得从第三多个vcsel结构发射的辐射产生了不同于***和第二斑点图案的第三斑点图案。除非一其他方式明确声明，否则可以明白的是，诸如“处理”、“计算”、“运算”、“确定”之类的术语指的是计算机或计算系统或类似电子计算设备的动作和/或处理。菲涅尔透镜性能价格咨询。惠州投影用的菲涅尔透镜

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图3示出了根据实施例的光源202或者光源202的至少一部分的自顶向下的视图。光源202包括衬底302，该衬底具有布置在衬底302的表面上的多个vcsel结构304。在一些实施例中，衬底302可以是：包括第iv族半导体材料(例如，si、ge、sige)、第iii-v族半导体材料(例如，gaas、gaassb、gaasin)、和/或根据本公开将明白的任何一种或多种其他适当材料的大块衬底；绝缘体上的x(xoi)结构，其中，x是前述材料(例如，第iv和/或iii-v族半导体材料)之一，绝缘体材料是氧化物材料或介电材料或者一些其他电绝缘材料，从而xoi结构包括两个半导体层之间的电绝缘材料层；或者一些其他适当的多层结构，其中，顶层包括前述半导体材料(例如，第iv和/或iii-v族半导体材料)之一。这里使用的“第iv族半导体材料”(或“第iv族材料”或统称“iv”)在包括至少一种第iv族元素(例如，硅、锗、碳、锡)，例如，硅(si)、锗(ge)、硅锗(sige)等。这里使用的“第iii-v族半导体材料”(或“第iii-v族材料”或统称“ii-v”)包括至少一种第iii族元素(例如，铝、镓、铟)和至少一种第v族元素(例如，氮、磷、砷、锑、铋)，例如，砷化镓(gaas)、砷化镓铟(ingaas)、砷化铝铟(inalas)、磷化镓(gap)、锑化镓(gasb)、磷化铟。自动化菲涅尔透镜欢迎选购

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