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光电三极管也是一种晶体管,它有三个电极。当光照强弱变化时,电极之间的电阻会随之变化。光电三极管是在光电二极管的基础上发展起来的光电器件,它本身具有放大功能。目前的光电三极管是采用硅材料制作而成的。这是由于硅元件较锗元件有小得多的暗电流和较小的温度系数。硅光电三极管是用N型硅单晶做成N—P—N结构的。管芯基区面积做得较大,发射区面积却做得较小,入射光线主要被基区吸收。与光电二极管一样,入射光在基区中激发出电子与空穴。在基区漂移场的作用下,电子被拉向集电区,而空穴被积聚在靠近发射区的一边。由于空穴的积累而引起发射区势垒的降低,其结果相当于在发射区两端加上一个正向电压,从而引起了倍率为β+1(相当于三极管共发射极电路中的电流增益)的电子注入,这就是硅光电三极管的工作原理。光电二极管(Photo-Diode)和普通二极管一样,也是由一个PN结组成的半导体器件,也具有单方向导电特性。北京质量光电三极管商家
光电二极管的关键要求之一是收集光的合适区域。在标准PN结内,这相对较小,但可以通过使用PIN二极管来增加面积。由于本征区域包含在用于集光的有源结中,因此用于集光的区域要大得多,从而使PIN光电二极管更有效。在光电二极管制造过程中,在P型和N型层之间插入了厚的本征层。该中间本征层可以是完全本征的,或者是非常轻掺杂的以使其成为N-层。在某些情况下,它可以作为外延层生长到衬底上,或者它可以包含在衬底本身内。P+扩散层的开发可以在重掺杂的N型外延层上进行。触点采用金属设计,可制成阳极和阴极等两个端子。二极管的前部区域可以分为两种类型,例如有源表面和无源表面。非活性表面的设计可以用二氧化硅(SiO2)完成。在活动表面上,光线可以照射在其上,而在非活动表面上,光线不能照射。通过抗反射材料覆盖活性表面,使光的能量不会损失,比较高可以转化为电流。吉林多功能光电三极管采购光伏模式也称为零偏压模式。当光电二极管工作在低频应用和超能级光应用时,这种模式是优先。
光电二极管是一种将光转换为电流的半导体器件,在p(正)和n(负)层之间,存在一个本征层。光电二极管接受光能作为输入以产生电流。光电二极管也被称为光电探测器,光电传感器或光探测器。光电二极管工作在反向偏置条件下,即光电二极管的p-侧与电池(或电源)的负极相连,n-侧与电池的正极相连。典型的光电二极管材料是硅、锗、磷化砷化铟镓和砷化铟镓。在内部,光电二极管具有滤光器、内置透镜和表面区域。当光电二极管的表面积增加时,会缩短响应时间。很少有光电二极管看起来像发光二极管(LED)。它有两个终端,如下所示。较小的端子用作阴极,较长的端子用作阳极。
光照特性是指在阴极和阳极之间的光电二极管电压恒定时,光通量与光电流的关系。光特性曲线的斜率称为光电二极管灵敏度。光谱特性光电流与入射光波长之间的关系称为光谱特性。光子能量与光波长有关:波长越长,光子能量越小;波长越短,光子能量越大。光电二极管的作用与用途光电二极管的功能光电二极管***用于:1、光控光电二极管可用作光电开关,其电路如下图所示。当没有光时,光电二极管VD1由于反向电压而截止。晶体管VT1和VT2也因无基极电流而截止。继电器处于释放状态。当光在VD1上发射时,它从截止过渡到导通。于是,VT1、VT2依次导通,继电器K吸合,接通控制电路。诚信商家,价格优势,专业设计光电二三极管深圳市凯轩业科技有限公司。
光电二极管(Photo-Diode)和普通二极管一样,也是由一个PN结组成的半导体器件,也具有单方向导电特性。但在电路中它不是作整流元件,而是把光信号转换成电信号的光电传感器件。普通二极管在反向电压作用时处于截止状态,只能流过微弱的反向电流,光电二极管在设计和制作时尽量使PN结的面积相对较大,以便接收入射光。光电二极管是在反向电压作用下工作的,没有光照时,反向电流极其微弱,叫暗电流;有光照时,反向电流迅速增大到几十微安,称为光电流。光的强度越大,反向电流也越大。光的变化引起光电二极管电流变化,这就可以把光信号转换成电信号,成为光电传感器件。
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光电二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的**部分也是一个PN结,和普通二极管相比,在结构上不同的是,为了便于接受入射光照,PN结面积尽量做的大一些,电极面积尽量小些,而且PN结的结深很浅,一般小于1微米。光电二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时,反向电流很小(一般小于0.1微安),称为暗电流。当有光照时,携带能量的光子进入PN结后,把能量传给共价键上的束缚电子,使部分电子挣脱共价键,从而产生电子---空穴对,称为光生载流子。北京质量光电三极管商家
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