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钛酸钡半导瓷的PTC效应起因于粒界（晶粒间界）．对于导电电子来说，晶粒间界面相当于一个势垒．当温度低时，由于钛酸钡内电场的作用，导致电子极容易越过势垒，则电阻值较小．当温度升高到居里点温度（即临界温度）附近时，内电场受到破坏，它不能帮助导电电子越过势垒．这相当于势垒升高，电阻值突然增大，产生PTC效应．钛酸钡半导瓷的PTC效应的物理模型有海望表面势垒模型、丹尼尔斯等人的钡缺位模型和叠加势垒模型，它们分别从不同方面对PTC效应作出了合理解释．热敏电阻合金一般均具有较高的电阻率和电阻温度系数，因此可以制成小型化的高灵敏度的测温传感器。嘉定区温度控制热敏电阻厂家供应

实验表明，在工作温度范围内，PTC热敏电阻的电阻-温度特性可近似用实验公式表示：RT=RT0 expBp（T-T0）热敏电阻式中RT、RT0表示温度为T、T0时电阻值，Bp为该种材料的材料常数．PTC效应起源于陶瓷的粒界和粒界间析出相的性质，并随杂质种类、浓度、烧结条件等而产生***变化．**近，进入实用化的热敏电阻中有利用硅片的硅温度敏感元件，这是体型小且精度高的PTC热敏电阻，由n型硅构成，因其中的杂质产生的电子散射随温度上升而增加，从而电阻增加．嘉定区温度控制热敏电阻厂家供应嘉定区恒温加热热敏电阻产品介绍。

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钛酸钡晶体属于钙钛矿型结构，是一种铁电材料，纯钛酸钡是一种绝缘材料．在钛酸钡材料中加入微量稀土元素，进行适当热处理后，在居里温度附近，电阻率陡增几个数量级，产生PTC效应，此效应与BaTiO3晶体的铁电性及其在居里温度附近材料的相变有关．钛酸钡半导瓷是一种多晶材料，晶粒之间存在着晶粒间界面．该半导瓷当达到某一特定温度或电压，晶体粒界就发生变化，从而电阻急剧变化．

金属热敏电阻材料 此类材料作为热电阻测温、限流器以及自动恒温加热元件均有较为***的应用。如铂电阻温度计、镍电阻温度计、铜电阻温度计等。其中铂侧温传感器在各种介质中(包括腐蚀性介质)，表现出明显的高精度和高稳定的特征。但是，由于铂的稀缺和价格昂贵而使它们的广泛应用受到一定的限制。铜测温传感器较便宜，但在腐蚀性介质中长期使用，可导致静态特性与阻值发生明显变化。**近有资料报导，铜测温传感器可在空气介质中-60~180℃温度范围使用。但是，国外为了在-60~180℃长期地测量温度和在250℃短期测量温度，普遍大量使用着镍测温传感器，并认为镍是一种较理想的材料，因为它们具有高的灵敏度、满意的重现性和稳定性热敏电阻主要缺点：除特殊高温热敏电阻外，绝大多数热敏电阻*适合0～150℃范围，使用时必须注意。

热敏电阻的技术参数：⑩比较高工作温度Tmax：在规定的技术条件下，热敏电阻器长期连续工作所允许的比较高温度。⑾开关温度tb:PTC热敏电阻器的电阻值开始发生跃增时的温度。⑿耗散系数H：温度增加1℃时，热敏电阻器所耗散的功率，单位为mW/℃。

热敏电阻的主要缺点：热敏电阻①阻值与温度的关系非线性严重；②元件的一致性差，互换性差；③元件易老化，稳定性较差；④除特殊高温热敏电阻外，绝大多数热敏电阻*适合0～150℃范围，使用时必须注意。 半导体热敏电阻材料按电阻温度系数也可分为负电阻温度系数材料和正电阻温度系数材料。宝山区热敏电阻怎么样

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BT=CT2+DT+E，上式中，C、D、E为常数。另外，因生产条件不同造成的B值的波动会引起常数E发生变化，但常数C、D不变。因此，在探讨B值的波动量时，只需考虑常数E即可。常数C、D、E的计算，常数C、D、E可由4点的（温度、电阻值）数据（T0,R0).(T1,R1）.(T2,R2）and(T3,R3），通过式3～6计算。首先由式样3根据T0和T1,T2,T3的电阻值求出B1,B2,B3，然后代入以下各式样。

电阻值计算例：试根据电阻－温度特性表，求25°C时的电阻值为5(kΩ），B值偏差为50(K）的热敏电阻在10°C～30°C的电阻值。步骤（1）根据电阻－温度特性表，求常数C、D、E。To=25+273.15T1=10+273.15T2=20+273.15T3=30+273.15（2）代入BT=CT2+DT+E+50，求BT。（3）将数值代入R=5exp {(BT1/T-1/298.15）}，求R。*T:10+273.15～30+273.15。 嘉定区温度控制热敏电阻厂家供应

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