代理分销商WILLSEMI韦尔ESD63011N

ESD5305F：四通道单向低电容瞬态电压抑制器

      产品描述：ESD5305F是一款专为保护高速数据接口设计的低电容瞬态电压抑制器（TVS）阵列。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件，免受由静电放电（ESD）引起的过应力影响。ESD5305F结合了四对低电容转向二极管和一个TVS二极管，以提供各方面的瞬态保护。封装与环保信息：ESD5305F采用SOT23-6L封装，满足无铅和无卤素环保要求。

产品特性：

反向截止电压：5V

根据IEC61000-4-2标准，每条线路提供±30kV（接触放电）的ESD保护

根据IEC61000-4-5标准，可承受高达6A（8/20μs）的峰值脉冲电流

低电容：CI/O-GND=0.65pF（典型值，Vcc=浮动状态）；CI/O-GND=0.35pF（典型值，Vcc=5V）

极低泄漏电流：IR<1nA（典型值）

低钳位电压：VCL=16.5V@IPP=16A（TLP）

采用固态硅技术

应用领域：

USB2.0

HDMI1.3

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便携式电子产品

笔记本电脑

关于ESD5305F 如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 RB521C30-2/TR 肖特基二极管 封装：SOD-923。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD63011N

ESD73034D四线路、双向、极低电容瞬态电压抑制器

产品描述：

     ESD73034D是一种极低电容的瞬态电压抑制器（TVS）阵列，专为保护高速数据接口而设计。它被特别设计用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件，免受静电放电（ESD）引起的过度应力。ESD73034D结合了四对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，ESD73034D可用于提供高达±10kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD73034D采用DFN2510-10L封装。标准产品为无铅和无卤素。

产品特性

截止电压：±3.3VMax

根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线路瞬态保护：±10kV（接触放电）

根据IEC61000-4-4（EFT）的瞬态保护：40A（5/50ns）

根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：5.5A（8/20μs）

极低电容：CJ=0.2pFtyp

低漏电流

低箝位电压：VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

固态硅技术

应用领域

USB3.0和USB3.1

HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

便携式电子设备

笔记本电脑

     ESD73034D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器，保护敏感元件免受静电放电损害，适用于USB3.0、HDMI等高速接口和便携式设备，紧凑且环保。详情查阅数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WH2503DWL2801E18-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装：SOT-23-5。

    WAS3157B是一款高性能的单刀双掷（SPDT）CMOS模拟开关，专为总线切换或音频切换应用设计。它具备高达400MHz的-3dB带宽和低导通电阻（典型值为5.5Ω）。此外，其SEL引脚具有过压保护功能，允许引脚上的电压超过VCC，至高可达7.0V，而不会损坏部件或影响其操作，无论工作电压如何。WAS3157B还配备了智能电路，以至小化VCC泄漏电流，即使在SEL控制电压低于VCC电源电压时也是如此。简而言之，在实际应用中，无需额外的设备来使SEL电平与VCC电平保持一致。WAS3157B采用标准的SOT-363(SC-70-6L)封装，标准产品为无铅和无卤素。

特性：

· 电源电压：1.5~5.5V

· 导通电阻：在VCC=4.5V时为5.5Ω-3dB

· 带宽：在CL=5pF时为400MHz

· 断开隔离度：在10MHz时为-69dB

· 低静态电流：<1uA

· 先断后合功能ESD保护：HBM为±8000V，MM为±600V

应用领域：

· 手机

· MID（移动互联网设备）

· 其他便携式设备

    WAS3157B是一款功能强大且易于集成的模拟开关解决方案，适用于需要高效、可靠的切换功能的各种便携式设备。其优异的性能和多种保护功能使其成为现代电子设备中的理想选择。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。

ESD5311Z单线、双向、极低电容瞬态电压抑制器

产品描述

     ESD5311Z是一款极低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它特别针对连接到数据和传输线的敏感电子组件，以防止因静电放电（ESD）而产生的过应力。ESD5311Z包含一个极低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，ESD5311Z可用于提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5311Z采用DFN0603-2L封装。标准产品为无铅且无卤素。

产品特性

截止电压：5V

每条线路根据IEC61000-4-2（ESD）标准进行瞬态保护：±20kV（接触放电）

根据IEC61000-4-4（EFT）标准进行瞬态保护：40A（5/50ns）

根据IEC61000-4-5（浪涌）标准进行瞬态保护：4A（8/20μs）

极低电容：CJ=0.25pF（典型值）

极低漏电流：IR<1nA（典型值）

低钳位电压：VCL=21V（典型值）@IPP=16A（TLP）

应用领域

USB2.0和USB3.0

HDMI1.3和HDMI1.4

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便携式电子设备

笔记本电脑 

     ESD5311Z专为高速数据接口设计，极低电容，出色保护，防止静电放电损害。适用于USB、HDMI等接口，保护敏感组件。紧凑封装，适合便携式设备。详情查阅手册或联系我们。 WL2801E12-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装：SOT-23-5。

    WNM2020是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计，以在低栅极电荷下提供出色的RDS（ON）。这款器件非常适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2020是无铅且无卤素的。

    WNM2020是一款高性能的N沟道MOS场效应晶体管，专为高效率的电源管理应用而设计。其采用的先进沟槽技术使得该晶体管在导通状态下具有很低的电阻（RDS（ON）），从而减少了功率损耗并提高了整体效率。同时，低栅极电荷使得该晶体管能够快速响应栅极驱动信号，进一步提高了开关速度。这款晶体管非常适合用于DC-DC转换器，其中高效率的电源开关是至关重要的。

    此外，它还可以用于各种充电电路，如电池充电器和太阳能充电器，以确保能量的有效转换和利用。作为一款标准产品，WNM2020不仅具有出色的电性能，还符合环保要求，不含有铅和卤素等有害物质。这使得它在各种环保法规日益严格的市场中具有广的适用性。总之，WNM2020是一款高性能、高效率且环保的N沟道增强型MOS场效应晶体管，非常适合用于各种电源管理和充电应用。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WNM6002-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-323-3。规格书WILLSEMI韦尔WH2503D

ESD9X5VL-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD） 封装：FBP-02C。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD63011N

    WS4665是一个单通道负载开关，提供可配置的上升时间以极小化涌流。该设备包含一个N型MOSFET，可以在0.8V至5.5V的输入电压范围内工作，并支持连续电流上线为6A。开关由开/关输入（ON）控制，该输入能够直接与低电压控制信号接口。在WS4665中，增加了一个230Ω的片上负载电阻，用于在开关关闭时进行快速输出放电。WS4665采用小型、节省空间的2.00mmx2.00mm8引脚DFN封装。标准产品为无铅且无卤素。

主要特性：

· 集成单通道负载开关

· 输入电压范围：0.8V至5.5V

· 极低导通电阻（RON）RON=14mΩatVIN=5V(VBIAS=5V)

· 连续开关上限电流为6A

· 低控制输入阈值，支持1.2V、1.8V、2.5V和3.3V逻辑

· 可配置的上升时间

· 快速输出放电（QOD）

· ESD性能经过JESD22测试2000VHBM和1000VCDM

应用领域：

· 超极本TM

· 笔记本电脑/上网本

· 平板电脑

· 消费电子产品

· 机顶盒/住宅网关

· 电信系统

    WS4665适用于多种应用场合，如超极本、笔记本电脑/上网本、平板电脑、消费电子产品、机顶盒/住宅网关以及电信系统等。如需更多信息或技术规格，请查阅相关数据手册或与我们联系。 代理分销商WILLSEMI韦尔ESD63011N

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