代理分销商WILLSEMI韦尔WNM65627DV
ES9DN12BA瞬态电压抑制器
ES9DN12BA是一款瞬态电压抑制器（TVS），专为保护连接到数据和传输线的敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷电等过应力影响而设计。封装与环保特性：DFN1006-2L封装：紧凑的尺寸使得它易于集成到各种电路板中。无铅和无卤素：符合环保要求，适用于对无铅和无卤素有需求的场合。
特性：
· 截止电压：±12V。
· 按照IEC61000-4-2标准的ESD保护：±30kV（接触放电）
· 按照IEC61000-4-5标准的浪涌保护：5.5A（8/20μs）
· 典型电容：CJ=27pF
· 极低泄漏电流：IR=0.1nA
· 低钳位电压：在IPP=16A（TLP）时，VCL=20V。
· 固态硅技术：确保器件性能稳定和长寿命。
应用：
· 计算机及其外设：如键盘、鼠标、显示器等。
· 手机
· 便携式电子设备
· 笔记本电脑
ES9DN12BA是一款高效、可靠的瞬态电压抑制器，专为保护敏感电子元件免受静电和电气瞬变的影响而设计。其优异的保护能力、紧凑的封装和环保特性使其成为各种电子设备制造商的理想选择。无论是计算机、手机还是便携式电子设备，ES9DN12BA都能提供强大的保护，确保设备的稳定性和可靠性。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD5471Z-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN0603-2L。代理分销商WILLSEMI韦尔WNM65627DV
WAS4729QB：低导通电阻（0.8Ω）双SPDT模拟开关，具有负摆幅音频功能
产品描述：
WAS4729QB是一款高性能的双单极双掷（SPDT）模拟开关，具有负摆幅音频功能，其典型导通电阻Ron为0.8Ω（在3.6VVCC下）。该开关在2.3V至5.5V的宽VCC范围内工作，并设计为先断后通的操作模式。选择输入与TTL电平兼容。WAS4729QB还配备了智能电路，即使在控制电压低于VCC电源电压时，也能至小化VCC泄漏电流。这一特性非常适合移动手机应用，因为它允许直接与基带处理器的通用I/O接口，同时极大限度地减少电池消耗。换句话说，在实际应用中，无需额外的设备来将控制电平调整到与VCC相同。WAS4729QB采用QFN1418-10L封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性
供电电压：2.3V~5.5V
极低导通电阻：0.8Ω（在3.6V下）
高关断隔离度：-81dB@1KHz
串扰抑制：-83dB@1KHz-3dB带宽：80MHz
轨到轨信号范围
先断后通开关
HBM JEDEC：JESD22-A114IO至GND：±8KV
电源至GND：±5KV
应用领域
手机、PDA、数码相机和笔记本电脑
LCD显示器、电视和机顶盒
音频和视频信号路由
WAS4729QB是高性能模拟开关，专为移动设备设计，适合音频和视频信号路由，性能优越可靠。详情请查阅数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WCR1K2N65TGESD63011N-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1006-2L。
ESD5641DXX是一款专为保护电源接口设计的瞬态电压抑制器。它非常适合用于替代便携式电子产品中的多个离散组件。ESD5641DXX特别为USB端口设计，采用了具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。封装与环保：ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封装。标准产品为无铅和无卤素。
技术特性：
· 反向截止电压：7.5V~15V
· 根据IEC61000-4-5标准的浪涌保护8/20μs
· 根据IEC61643-321标准的浪涌保护10/1000μs
· 低钳位电压
· 固态硅技术
应用领域：
· 电源保护
· 电源管理
ESD5641DXX瞬态电压抑制器以其出色的浪涌保护能力和低钳位电压，为电源接口提供了可靠的防护。特别适合用于USB端口保护，其紧凑的封装和环保特性使其成为便携式电子产品的理想选择。无论是在电源保护还是电源管理方面，ESD5641DXX都能提供出色的性能和可靠性。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。
ESD5341N：单线、单向、低电容瞬态电压抑制器
ESD5341N是一款低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它被特别用来保护连接到数据和传输线的敏感电子组件，以防止由静电放电（ESD）引起的过度压力。ESD5341N包含一个低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可以提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5341N采用DFN1006-2L封装，为标准产品，无铅且不含卤素。
其主要特性包括：
· 截止电压：5V
· 根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线瞬态保护：±20kV（接触放电）
· 根据IEC61000-4-4（EFT）的瞬态保护：40A（5/50ns）
· 根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：4A（8/20μs）
· 低电容：CJ=1.0pF（典型值）
· 极低漏电流：IR<1nA（典型值）
· 低箝位电压：VCL=18V（典型值）@IPP=16A（TLP）
· 固态硅技术
应用领域包括：
· USB接口
· HDMI接口
· DVI
· 便携式电子设备
· 笔记本电脑
ESD5341N为高速数据接口提供了出色的静电放电保护，特别适用于需要高数据传输速率和严格ESD防护的应用。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系制造商。 ESD54211N-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：WBFBP-02C-C。
WD3133高效率、1.2-MHzDC-DC升压转换器
产品描述：
WD3133是一款高效率、高功率的峰值电流模式升压转换器。内部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET，至小电流限制为1A。对于使用锂离子电池的便携式设备，WD3133可以从3.3V~5V的输入电压输出典型的12V/200mA~300mA。这款升压转换器WD3133采用脉冲宽度调制（PWM）模式，固定开关频率为1.2MHz，以减少输出纹波并提高转换效率。它还允许使用小型外部组件。在轻负载电流下，转换器进入跳过模式，以在绝大部分的负载电流范围内保持高效率。内置的软启动电路可以至小化启动时的涌入电流。WD3133采用SOT-23-5L封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性：
宽输入电压范围：2.7V至5.5V1.25V（±2%）
高精度参考电压1.2MHz开关频率
高达93%的效率
超过1A（至小值）的功率开关电流限制
从3.3V~5V的输入提供典型的12V/200mA~300mA输出
内置软启动
应用领域：
智能手机
平板电脑
便携式游戏机
平板电脑（PADs）
WD3133是专为便携式设备设计的高效升压转换器，1.2MHz开关频率和宽输入电压范围使其适用于多种场景，如智能手机、平板电脑和游戏机等。其软启动电路和电流限制功能增强了安全性和可靠性，是电源管理的理想选择。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。 WAS4766C-9/TR 模拟开关 封装：WLCSP-9L。代理分销商WILLSEMI韦尔WNM65627DV
WNM3018-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-323。代理分销商WILLSEMI韦尔WNM65627DV
RB521S30肖特基势垒二极管
特性：小型表面贴装类型、高可靠性低正向电压、、无铅器件
应用：低电流整流
介绍：
RB521S30是一款肖特基势垒二极管，它具有一系列出色的特性，使其在各种应用中表现优异。首先，其小型表面贴装类型使得它在空间受限的环境中也能轻松安装，同时确保了高效的热量散发。其次，高可靠性确保了器件在长时间使用下仍能保持稳定的性能，减少了维护和更换的频率。
此外，低正向电压是肖特基势垒二极管的一个关键特性，它允许在较低的电压下实现高效的整流功能。这一特性使得RB521S30在需要低电流整流的场合中表现出色，如某些电子设备中的电源管理部分。
值得注意的是，RB521S30是无铅器件，符合现代环保标准。随着全球对环保意识的日益增强，无铅器件已成为许多行业的首要选择。这使得RB521S30在追求高性能的同时，也符合了环保要求。
总的来说，RB521S30肖特基势垒二极管以其小型化、高可靠性、低正向电压和无铅环保等特性，成为低电流整流应用中的理想选择。无论是电子设备制造商还是电路设计工程师，都能从中受益。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WNM65627DV