聊城高压可控硅模块批发
可控硅模块采用陶瓷覆铜工艺,电流承载能力大,热循环负载次数是国标的进10倍,焊接工艺独特,绝缘强度高,导热性能好。可控硅模块的工作场所应干燥、无腐蚀性气体、通风、无尘,环境温度范围-25℃--45℃,下面为大家介绍可控硅模块的安装步骤: 1、散热器和风机按通风要求装配于机箱合适位置。散热器表面必须平整光洁。在模块导热底板与散热器表面均匀涂覆一层导热硅脂,然后用螺钉把模块固定于散热器上,四个螺钉用力要均等。
2、用接线端头环带将铜线扎紧,浸锡,套上绝缘热缩管,用热风或热水加热收缩,导线截面积按电流密度<4A/mm2选取,禁止将铜线直接压接在可控硅模块电极上。
3、 将接线端头平放于可控硅模块电极上用螺钉紧固,保持良好的平面压力接触。
4、可控硅模块的电极易掀起折断,接线时应防止重力将电极拉起折断。 淄博正高电气有限公司得到市场的一致认可。聊城高压可控硅模块批发
单向可控硅的检测
万用表选用电阻R×1档,用红黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑笔接的引脚为控制极G,红笔接的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A,红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短接线瞬间短接阳极A和控制极G,此时万用表指针应向右偏转,阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔,阴极K接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏。 聊城高压可控硅模块批发欢迎各界朋友莅临参观。
可控硅模块的应用领域
该智能模块应用于控温、调光、励磁、电镀、电解、充放电、电焊机、等离子拉弧、逆变电源等需对电力能量大小进行调整和变换的场合,如工业、通讯、**等各类电气操控、电源等,依据还可经过模块的操控端口与多功用操控板联接,结束稳流、稳压、软启动等功用,并可结束过流、过压、过温、缺持平维护功用。
可控硅模块的操控办法
经过输入模块操控接口一个可调的电压或许电流信号,经过调整该信号的大小即可对模块的输出电压大小进行滑润调度,结束模块输出电压从0V至任一点或悉数导通的进程。
电压或电流信号可取自各种操控外表、核算机D/A输出,电位器直接从直流电源分压等各种办法;操控信号选用0~5V,0~10V,4~20mA三种对比常用的操控办法。
双向可控硅晶闸管使用中,应特别注意以下事项:
1.灵敏度
双向可控硅是一个三端元件,但我们不再称其两极为阴阳极,而是称作T1和T2极,G为控制极,其控制极上所加电压无论为正向触发脉冲或负向触发脉冲均可使控制极导通,但是触发灵敏度互不相同,即保证双向可控硅能进入导通状态的较小门极电流IGT是有区别的。
2.可控硅过载的保护
可控硅元件优点很多,但是它过载能力差,短时间的过流,过压都会造成元件损坏,因此为保证元件正常工作,需有条件:
(1)外加电压下允许超过正向转折电压,否则控制极将不起作用;
(2)可控硅的通态平均电流从安全角度考虑一般按较大电流的1.5~2倍来取;
(3)为保证控制极可靠触发,加到控制极的触发电流一般取大于其额值,除此以外,还必须采取保护措施,一般对过流的保护措施是在电路中串入快速熔断器,其额定电流取可控硅电流平均值的1.5倍左右,其接入的位置可在交流侧或直流侧,当在交流侧时额定电流取大些,一般多采用前者,过电压保护常发生在存在电感的电路上,或交流侧出现干扰的浪涌电压或交流侧的暂态过程产生的过压。由于,过电压的尖峰高,作用时间短,常采用电阻和电容吸收电路加以。
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可控硅模块与其它功率器件一样,工作时由于自身功耗而发热。如果不采取适当措施将这种热量散发出去,就会引起模块管芯PN结温度急剧上升。致使器件特性恶化,直至完全损坏。晶闸管的功耗主要由导通损耗、开关损耗、门极损耗三部分组成。在工频或400Hz以下频率的应用中相当主要的是导通损耗。为了确保器件长期可靠地工作,设计时散热器及其冷却方式的选择与电力半导体模块的电流电压的额定值选择同等重要,千万不可大意!散热器的常用散热方式有:自然风冷、强迫风冷、热管冷却、水冷、油冷等。考虑散热问题的总原则是:控制模块中管芯的结温Tj不超过产品数据表给定的额定结温不断开发新的产品,并建立了完善的服务体系。聊城高压可控硅模块批发
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可控硅模块的特性
单向晶闸管模块具有其独特的特性:当阳极连接到反向电压时,或阳极连接到正向电压时,但控制极不增加电压,则不会导通,当阳极和控制极同时连接到正向电压时,将变为接通状态。一旦接通,控制电压将失去控制作用。无论有无控制电压,无论控制电压的极性如何,都将始终处于接通状态。若要关闭,只能将阳极电压降到某个临界值或反向。
双向晶闸管模块的管脚大多按T1、T2和G的顺序从左到右排列(当电极管脚朝着带有字符的一侧向下时)。当改变施加到控制极G的触发脉冲的大小或时间时,其接通电流的大小可以改变。 聊城高压可控硅模块批发
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