代理分销商WILLSEMI韦尔ESD5345E

WPM3401：单P沟道、-30V、-4.6A功率MOSFET

     WPM3401是一种P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别定制于极小化导通电阻。这些器件特别适合低电压应用、笔记本电脑的电源管理以及其他需要高侧开关的电池供电电路。

其主要特性包括：

· 沟槽技术

· 超高密度的单元设计

· 优异的导通电阻，适用于更高的直流电流

· 小型SOT-23-3L封装

应用领域包括：

· 笔记本电脑的电源管理

· 便携式设备

· 电池供电系统

· DC/DC转换器

· 负载开关

      WPM3401是一种高性能的功率MOSFET，专为需要高效、紧凑和可靠功率管理的应用而设计。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD5301N-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1006-2L。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD5345E

ESD5451N：双向瞬态电压保护神

     ESD5451N是一款高效的双向瞬态电压抑制器，专为保护电子设备免受静电放电、电气快速瞬变和雷电等瞬态电压侵害而设计。它能承受高达±30kV的接触和空气放电，以及峰值脉冲电流达8A（8/20μs），为低速数据线和控制线提供强大的保护

    这款抑制器采用DFN1006-2L封装，具有无铅和无卤素等环保特性。其反向截止电压为±5VMax，电容典型值为17.5pF，漏电流极低，典型值小于1nA。此外，其低钳位电压特性使其在电流脉冲下仍能保持稳定的电压输出。

    ESD5451N适用于多种应用场景，包括手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备，以及网络通信设备等。其出色的瞬态电压抑制能力和稳定性，为电子设备提供了可靠的保障。

    安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销，可以提供样品供您测试。如有关于ESD5451N的进一步问题或需求，请随时与我们联系。我们期待与您合作，为您提供优异的产品和服务。 中文资料WILLSEMI韦尔ESD5621W04WAS4768Q-10/TR 模拟开关/多路复用器 封装：QFN-10(1.8x1.4)。

ESD73034D四线路、双向、极低电容瞬态电压抑制器

产品描述：

     ESD73034D是一种极低电容的瞬态电压抑制器（TVS）阵列，专为保护高速数据接口而设计。它被特别设计用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件，免受静电放电（ESD）引起的过度应力。ESD73034D结合了四对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，ESD73034D可用于提供高达±10kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD73034D采用DFN2510-10L封装。标准产品为无铅和无卤素。

产品特性

截止电压：±3.3VMax

根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线路瞬态保护：±10kV（接触放电）

根据IEC61000-4-4（EFT）的瞬态保护：40A（5/50ns）

根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：5.5A（8/20μs）

极低电容：CJ=0.2pFtyp

低漏电流

低箝位电压：VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

固态硅技术

应用领域

USB3.0和USB3.1

HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

便携式电子设备

笔记本电脑

     ESD73034D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器，保护敏感元件免受静电放电损害，适用于USB3.0、HDMI等高速接口和便携式设备，紧凑且环保。详情查阅数据手册或联系我们。

  BL1551B是一款模拟开关，具体地说：它是一个单通道、高带宽的单刀双掷（SPDT）模拟开关。这种开关特别适用于数据和音频信号的切换。

  以下是BL1551B的主要特性和优势：

高带宽：BL1551B具有高达350MHz的带宽，这使得它能够处理高速信号切换，满足许多高速应用的需求。

低导通电阻：在5V工作电压下，其导通电阻为2.7Ω，这有助于减少信号在开关过程中的损失，保证信号的完整性。

高效的隔离度：在1MHz的频率下，BL1551B的隔离度达到-84dB，这意味着在开关处于关闭状态时，信号泄漏非常小，从而确保了良好的信号隔离效果。

宽工作电压范围：BL1551B的工作电压范围从1.8V到5.5V，这意味着它可以在多种不同的电压环境下工作，为设计者提供了更大的灵活性。

  此外，BL1551B的封装类型为SC-70-6，这有助于实现紧凑的电路设计和高效的热性能。在实际应用中，BL1551B可广泛应用于移动电话、便携式电子设备等领域。其出色的性能参数和广泛的应用范围使得BL1551B在市场上具有一定的竞争力。

  安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销，我们非常荣幸能为您推荐BL1551B这款模拟开关，并提供样品供您测试，如需更多信息或支持，请随时联系我们。 ESD54191CZ-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DWN0603-2L。

WD3133高效率、1.2-MHzDC-DC升压转换器

产品描述：

     WD3133是一款高效率、高功率的峰值电流模式升压转换器。内部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET，至小电流限制为1A。对于使用锂离子电池的便携式设备，WD3133可以从3.3V~5V的输入电压输出典型的12V/200mA~300mA。这款升压转换器WD3133采用脉冲宽度调制（PWM）模式，固定开关频率为1.2MHz，以减少输出纹波并提高转换效率。它还允许使用小型外部组件。在轻负载电流下，转换器进入跳过模式，以在绝大部分的负载电流范围内保持高效率。内置的软启动电路可以至小化启动时的涌入电流。WD3133采用SOT-23-5L封装。标准产品为无铅且无卤素。

产品特性：

宽输入电压范围：2.7V至5.5V1.25V（±2%）

高精度参考电压1.2MHz开关频率

高达93%的效率

超过1A（至小值）的功率开关电流限制

从3.3V~5V的输入提供典型的12V/200mA~300mA输出

内置软启动

应用领域：

智能手机

平板电脑

便携式游戏机

平板电脑（PADs）

      WD3133是专为便携式设备设计的高效升压转换器，1.2MHz开关频率和宽输入电压范围使其适用于多种场景，如智能手机、平板电脑和游戏机等。其软启动电路和电流限制功能增强了安全性和可靠性，是电源管理的理想选择。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。 ESD5651N-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1006-2L。中文资料WILLSEMI韦尔ESD5621W04

WPM3022-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-23。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD5345E

ESD5311Z单线、双向、极低电容瞬态电压抑制器

产品描述

     ESD5311Z是一款极低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它特别针对连接到数据和传输线的敏感电子组件，以防止因静电放电（ESD）而产生的过应力。ESD5311Z包含一个极低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，ESD5311Z可用于提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5311Z采用DFN0603-2L封装。标准产品为无铅且无卤素。

产品特性

截止电压：5V

每条线路根据IEC61000-4-2（ESD）标准进行瞬态保护：±20kV（接触放电）

根据IEC61000-4-4（EFT）标准进行瞬态保护：40A（5/50ns）

根据IEC61000-4-5（浪涌）标准进行瞬态保护：4A（8/20μs）

极低电容：CJ=0.25pF（典型值）

极低漏电流：IR<1nA（典型值）

低钳位电压：VCL=21V（典型值）@IPP=16A（TLP）

应用领域

USB2.0和USB3.0

HDMI1.3和HDMI1.4

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便携式电子设备

笔记本电脑 

     ESD5311Z专为高速数据接口设计，极低电容，出色保护，防止静电放电损害。适用于USB、HDMI等接口，保护敏感组件。紧凑封装，适合便携式设备。详情查阅手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔ESD5345E