代理分销商WILLSEMI韦尔WPM3027

    WD3168：5V/300mA开关电容电压转换器，它能够从一个非稳压输入电压中产生一个稳定、低噪声、低纹波的5V输出电压。即使在VIN大于5V的情况下，它也能维持5V的稳压输出。它能够以小巧的封装提供≧300mA的电流。当负载电流在典型条件下低于4mA时，WD3168会进入跳模模式，此时其静态电流会降低到170uA。只需3个外部电容器即可产生输出电压，从而节省PCB空间。

    此外，其软启动功能在开机和电源瞬态状态下会限制涌入电流。WD3168内置了电流限制保护功能，适合HDMI、USBOTG和其他电池供电的应用。SOT-23-6L封装，并在-40℃至+85℃的环境温度范围内工作。

   其主要特性包括：

1、 输出电流为300mA

2、宽输入电压范围：2.7V至5.5V

3、固定输出电压为5.0V

4、双倍电荷泵

5、较小外部元件：无需电感器

6、高频操作：1.7MHz

7、自动软启动限制涌入电流

8、低纹波和EMI

9、过热和过流保护

10、无负载条件下典型静态电流为170uA（跳模模式）

   其应用领域包括：

1、3V至5V的升压转换

2、USBOn-The-Go或HDMI5V供电

3、从较低轨道提供的本地5V供电

4、电池备份系统

5、手持便携式设备

    WD3168是一种效率高、可靠的电源IC，适用于各种需要5V稳定输出的应用场景。如需更详细的信息或产品规格书请联系我们。 WNM2021-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-323。代理分销商WILLSEMI韦尔WPM3027

    WAS7227Q是一款高性能、双刀双掷（DPDT）CMOS模拟开关，可在+2.5V至+5.5V的单一电源供电下工作。它专为在手持设备和消费电子产品中切换高速USB2.0信号而设计，如手机、数码相机和带有集线器或有限USBI/O控制器的笔记本电脑。WAS7227Q具有低比特间偏斜和高通道间噪声隔离，并与各种标准兼容，如高速USB2.0（480Mbps）。每个开关都是双向的，对高速信号的输出衰减很小。其带宽足以传递高速USB2.0差分信号（480Mbps）并保持信号完整性。

特性：

D+/D-上的特殊电路设计，使设备能够承受VBUS短路到D+或D-，无论USB设备是关闭还是开启。

SEL/OE引脚具有过压保护，允许电压高于VCC，高达7.0V存在于引脚上，而不会损坏或中断部件的操作，无论工作电压如何。

还具有智能电路，用于至小化VCC泄漏电流，即使SEL/OE控制电压低于VCC电源电压也是如此。换句话说，在实际应用中，无需额外设备将SEL/OE电平与VCC电平相同。

应用：

· 手机

· MID（移动设备）

· 路由器

· 其他电子设备

    WAS7227Q是专为高速USB2.0设计的稳定、高效CMOS开关，适用于手持和消费电子产品，确保数据传输顺畅。独特电路和过压保护增强其可靠性，环保封装易集成。是高速数据传输的理想选择。详情请查数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WNMD2196ESD5305F-6/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：SOT-23-6。

WNM2016A：N沟道增强型MOSFET场效应晶体管

产品描述：

WNM2016A它采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2016A为无铅且无卤素。小型SOT-23封装。

产品特性：

· 沟槽技术

· 超高密度单元

· 设计出色的ON电阻

· 极低的阈值电压

应用领域：

· DC/DC转换器

· 电源转换器

· 电路便携式设备的负载/电源开关      

      WNM2016A是一款高性能的N沟道MOSFET，专为现代电子设备中的高效能量转换和开关应用而设计。其独特的沟槽技术和高密度单元设计提供了优越的电气性能，包括低RDS(ON)和低栅极电荷，从而实现高效能量转换和减少热量损失。此外，极低的阈值电压和SOT-23小型封装使其成为便携式设备中的理想选择，因为它既能够提供强大的性能，又能够节省空间。无论是DC/DC转换器、电源转换器电路，还是便携式设备的负载/电源开关，WNM2016A都是一个出色的选择，能够确保设备的稳定运行和高效能量管理。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。

    WL2801E系列是一款高精度、低噪声、高速、低压差CMOS线性稳压器，具有优异的纹波抑制能力。该系列为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了经济高效的新一代性能。其电流限制器的折回电路不止作为短路保护，还在输出引脚处作为输出电流限制器。

产品特点：

· 输入电压范围：2.7V至5.5V

· 输出电压范围：1.2V至3.3V

· 输出电流：在输出电压小于2V时，典型值为200mA；在输出电压大于2V时，典型值为300mA。

· 电源抑制比（PSRR）：在217Hz时达到75dB

· 压差电压：在输出电流为200mA时，压差为170mV

· 静态电流：典型值为70μA

· 关断电流：小于0.1μA

· 推荐电容器：1uF

应用领域：

· MP3/MP4播放器

· 手机和无线电话

· 数码相机

· 蓝牙和无线手持设备

· 其他便携式电子设备

    WL2801E系列以其高精度、低噪声和高效能的特点，为现代便携式设备提供了理想的电源管理解决方案。无论是手机、笔记本电脑还是MP3播放器，它都能确保设备在长时间使用中保持出色的性能和稳定的电力供应。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WMM7040DTHN0-8/TR MEMS麦克风（硅麦）封装：SMD-8P,3x4mm。

ESD5341N：单线、单向、低电容瞬态电压抑制器

     ESD5341N是一款低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它被特别用来保护连接到数据和传输线的敏感电子组件，以防止由静电放电（ESD）引起的过度压力。ESD5341N包含一个低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可以提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5341N采用DFN1006-2L封装，为标准产品，无铅且不含卤素。

其主要特性包括：

· 截止电压：5V

· 根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线瞬态保护：±20kV（接触放电）

· 根据IEC61000-4-4（EFT）的瞬态保护：40A（5/50ns）

· 根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：4A（8/20μs）

· 低电容：CJ=1.0pF（典型值）

· 极低漏电流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位电压：VCL=18V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固态硅技术

应用领域包括：

· USB接口

· HDMI接口

· DVI

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

      ESD5341N为高速数据接口提供了出色的静电放电保护，特别适用于需要高数据传输速率和严格ESD防护的应用。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系制造商。 WMM7027ATSN1-4/TR MEMS麦克风（硅麦）封装：LGA-4(1.9x2.8)。中文资料WILLSEMI韦尔WAS7227Q

WS72042M-8/TR 运算放大器 封装：MSOP-8。代理分销商WILLSEMI韦尔WPM3027

    ESD5431N是一款双向瞬态电压抑制器（TVS），专为保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷电等过应力影响而设计。封装与环保特性：DFN1006-2L封装：紧凑的尺寸使得它易于集成到各种电路板中。无铅和无卤素：符合环保要求，适用于对无铅和无卤素有需求的场合。

特性：

· 截止电压：±3.3V

· 根据IEC61000-4-2标准，提供±30kV（接触放电）的ESD保护

· 根据IEC61000-4-4标准，提供40A（5/50ns）的EFT保护

· 根据IEC61000-4-5标准，提供10A（8/20μs）的浪涌保护

· 电容：典型值为17.5pF

· 低泄漏电流：典型值为1nA

· 低钳位电压：在脉冲电流为16A（TLP）时，典型值为8V。

· 固态硅技术

应用：

· 手机

· 计算机和外设：为计算机主板、显示器、键盘等

· 微处理器

· 电源线

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

    ESD5431N是专为保护电子元件免受静电、电气瞬变等过应力而设计的高性能双向瞬态电压抑制器。其瞬态保护出色，封装紧凑，环保特性强，广泛应用于手机、计算机和便携式设备，确保设备稳定运行和数据安全。如需详细信息，请查阅数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WPM3027