广州微安光电测量

光电二极管的速度（带宽）通常受到电气参数（电容和外部电阻）或内部效应的限制，如耗竭区的载流子传输时间。(在某些情况下，耗尽区外产生的载流子的相对缓慢的扩散限制了带宽）。几十千兆赫的带宽通常是通过小的有源区（直径远低于1毫米）和小的吸收体积实现的。这种小面积的有源器件仍然是实用的，特别是对于光纤耦合器件，但它们将可实现的光电流限制在1毫安或更少，对应的光功率为≈2毫瓦或更少。更高的光电流实际上对抑制射出噪声和热噪声是可取的。(更高的光电流在值上会增加射出噪声，但相对于信号来说会减少它）。较大的有源区（直径可达1厘米）允许处理较大的光束和更高的光电流，但代价是速度较低。高带宽（几十千兆赫）和高光电流（几十毫安培）的组合是在速度匹配的光电探测器中实现的，它包含几个小面积的光电探测器，它们与光波导弱耦合并将其光电流输送到一个共同的射频波导结构中。四川低噪声光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。广州微安光电测量

当一个电信号通过两个光电二极管时，电容就会快速放电，两个光电二极管就会发出噪声信号，这就形成了雪崩效应。当这两个光电二极管进行驱动恢复时，电容又会收缩，进行了新的电信号的新的刺激，这样就可以控制雪崩光电二极管的速度和准确性。从外形和用途来看，雪崩光电二极管是一种PC端型的特殊光电探测器，但它的功能强大得多。它的特点包括：高速性能，可以快速捕获容易破坏的脉冲，可以保护工程负载中的信号；高抗干扰性，能够适应较大的电磁干扰；自动跳闸开关，电路中有一个自动跳闸开关芯片可以将脉冲电压快速掐断；雪崩特性，在输入信号电压变化范围内，其开关特性几乎不受影响。重庆IV光电传感器小信号光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。

通过加载一个大约50欧姆左右的阻值的光电二极管，你就可以从光敏模式中得到很多益处。如果二极管电压没超过20mV，就没必要对二极管进行正向偏置，同时响应也是是合理的并且快速的。然而灵敏度会很低。雪崩式光电二极管是特殊的模式，需要对其提供接近于击穿电压的反向偏置电压。这就使得在低光强的情况下，输出电流可以被放大。选择光电二极管的时候会存在很多权衡，包括光电二极管的尺寸，电容，噪声，暗电流以及封装类型。一般来说，是选用较小的同时带有反射器或者透镜可以聚集光源的光电二极管。德州仪器没有生产单独的光电二极管，然而对于很多基本的应用，将光电二极管和跨阻放大器集成在一块芯片上

一个典型的光电二极管模型包含以下关键元素，一个二极管并联一个电流源，并且电流源与光强成正比。寄生元件CD和RD会影响器件性能。光伏模式-光电流在如图2所示的环路中流动，并且给二极管提供正向偏置。由于二极管的电压电流间成对数关系，因此空载的输出电压与光电流间近似成对数关系，并且通过RD上的一个小电流得到修正。所以，输出电压与光强之间是高度非线性的关系。某些应用将很受益于对数关系，因为在很大的范围内，光强的改变（眼睛是完美的对数型）会使电压发生类似的改变。由于二极管电压电流特性与温度相关，电压与光强之间的关系很差。广州IV光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。

为了在千兆赫兹区域获得特别高的检测带宽，需要使用先进的光电二极管设计。例如，一些器件在薄的吸收部分周围包含一个光学谐振器。通过这种方式，人们可以实现有效的吸收，从而获得高的量子效率，尽管本征区的厚度相当小，这是为减少漂移时间所选择的。所谓的波导光电二极管包含一个光波导，它将光沿着其路径限制在吸收区。然后，该区域可以再次非常薄，尽管如此，人们可以在很短的长度内获得有效的吸收。通过限度地减少有源区的长度，我们也可以限度地减少电容量，并达到一个非常高的带宽。在某些情况下，电极结构被制作成形成一个电波导，其中电波可以与光波导中的光波平行传播。这种行波光电二极管的带宽可以达到远远超过100GHz。成都可见光光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。重庆IV光电传感器

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性能良好的雪崩光电二极管的光电流平均增益嚔可以达到几十、几百倍甚至更大。半导体中两种载流子的碰撞离化能力可能不同，因而使具有较高离化能力的载流子注入到耗尽区有利于在相同的电场条件下获得较高的雪崩倍增。但是，光电流的这种雪崩倍增并不是理想的。一方面，由于嚔随注入光强的增加而下降，使雪崩光电二极管的线性范围受到一定的限制，另一方面更重要的是，由于载流子的碰撞电离是一种随机的过程，亦即每一个别的载流子在耗尽层内所获得的雪崩增益可以有很泛的几率分布，因而倍增后的光电流I比倍增前的光电流I0有更大的随机起伏，即光电流中的噪声有附加的增加。与真空光电倍增管相比，由于半导体中两种载流子都具有离化能力，使得这种起伏更为严重。广州微安光电测量