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时间:2024年04月23日 来源:

WS4603E:可调电流限制、电源分配开关 

描述

   WS4603E是一款具有高侧开关和低导通电阻P-MOSFET的开关。其集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入,从而保护电源。此外,WS4603E还集成了反向保护功能,当设备关闭时,可以消除开关上的任何反向电流流动。设备关闭时,输出自动放电,使输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。WS4603E采用SOT-23-5L封装。标准产品无铅且不含卤素。

特性

1、输入电压范围:2.5~5.5V

2、主开关RON:80mΩ@VIN=5V

3、调整电流限制范围:0.4~2A(典型值)

4、电流限制精度:±20%

5、自动放电

6、反向阻断(无“体二极管”)

7、过温保护

应用

· USB外设

· USB Dongle

· USB 3G数据卡

· 3.3V或5V电源开关

· 3.3V或5V电源分配

    安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销,可以提供样品供您测试。如有关于WS4603E的进一步问题或需求,请随时与我们联系。我们期待与您合作,为您提供优异的产品和服务。 WNM3018-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:SOT-323。代理分销商WILLSEMI韦尔WS4621C

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WD3133高效率、1.2-MHzDC-DC升压转换器

产品描述:

     WD3133是一款高效率、高功率的峰值电流模式升压转换器。内部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET,小电流限制为1A。对于使用锂离子电池的便携式设备,WD3133可以从3.3V~5V的输入电压输出典型的12V/200mA~300mA。这款升压转换器WD3133采用脉冲宽度调制(PWM)模式,固定开关频率为1.2MHz,以减少输出纹波并提高转换效率。它还允许使用小型外部组件。在轻负载电流下,转换器进入跳过模式,以在绝大部分的负载电流范围内保持高效率。内置的软启动电路可以小化启动时的涌入电流。WD3133采用SOT-23-5L封装。标准产品为无铅且无卤素。

产品特性:

宽输入电压范围:2.7V至5.5V1.25V(±2%)

高精度参考电压1.2MHz开关频率

高达93%的效率

超过1A(小值)的功率开关电流限制

从3.3V~5V的输入提供典型的12V/200mA~300mA输出

内置软启动


应用领域:

智能手机

平板电脑

便携式游戏机

平板电脑(PADs)

      WD3133是专为便携式设备设计的高效升压转换器,1.2MHz开关频率和宽输入电压范围使其适用于多种场景,如智能手机、平板电脑和游戏机等。其软启动电路和电流限制功能增强了安全性和可靠性,是电源管理的理想选择。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WCL058N10DNESD54211N-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:WBFBP-02C-C。

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ESD5341N:单线、单向、低电容瞬态电压抑制器

     ESD5341N是一款低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它被特别用来保护连接到数据和传输线的敏感电子组件,以防止由静电放电(ESD)引起的过度压力。ESD5341N包含一个低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,它可以提供高达±20kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD5341N采用DFN1006-2L封装,为标准产品,无铅且不含卤素。

其主要特性包括:

· 截止电压:5V

· 根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线瞬态保护:±20kV(接触放电)

· 根据IEC61000-4-4(EFT)的瞬态保护:40A(5/50ns)

· 根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:4A(8/20μs)

· 低电容:CJ=1.0pF(典型值)

· 极低漏电流:IR<1nA(典型值)

· 低箝位电压:VCL=18V(典型值)@IPP=16A(TLP)

· 固态硅技术

应用领域包括:

· USB接口

· HDMI接口

· DVI

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

      ESD5341N为高速数据接口提供了出色的静电放电保护,特别适用于需要高数据传输速率和严格ESD防护的应用。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系制造商。

WPM1481:单P沟道、-12V、-5.1A功率MOSFET

产品描述:

    WPM1481是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1481为无铅产品。小型DFN2*2-6L封装。

产品特性:

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 出色的导通电阻

· 适用于更高的直流电流

· 极低的阈值电压

应用领域:

· 继电器、电磁阀、电机、LED等的驱动器

· DC-DC转换电路

· 电源开关

· 负载开关

· 充电应用  

     WPM1481是一款高性能的P沟道功率MOSFET,专为高电流应用而设计。其出色的RDS(ON)和极低的阈值电压使其成为DC-DC转换、电源开关和充电电路的理想选择。同时,其小型DFN2*2-6L封装使得它在空间受限的应用中也能发挥出色。WPM1481作为无铅产品,还符合环保要求。无论是用于驱动继电器、电磁阀、电机还是LED,WPM1481都能提供可靠且高效的性能。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WAS4729QB-10/TR 模拟开关/多路复用器 封装:QFN-10(1.8x1.4)。

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    WS3222是一款具有可调OVLO(过压锁定)阈值电压的过压保护(OVP)负载开关。当输入电压超过阈值时,该设备将关闭内部MOSFET,断开输入到输出的连接,以保护负载。当OVLO输入设定低于外部OVLO选择电压时,WS3222会自动选择内部固定的OVLO阈值电压。过压保护阈值电压可以通过外部电阻分压器进行调整,OVLO阈值电压范围为4V~15V。过热保护(OTP)功能监控芯片温度,以保护设备。WS3222采用DFN2×2-8L封装。标准产品无铅且无卤素。

特点:

· 输入电压:29V

· 导通电阻:45mΩ(典型值)

· 超快OVP响应时间:450ns(典型值)

· 可调OVLO

· 阈值电压:4V~15V

应用:

· 手机和平板电脑

· 便携式媒体播放器

· STB、OTT(机顶盒、互联网电视)

· 汽车DVR、汽车媒体系统外设

    WS3222是专为现代便携设备设计的灵活高效过压保护开关。其特色在于可调OVLO阈值,为不同应用提供定制化保护。超快450纳秒OVP响应时间确保负载在瞬间过压下得到保护。低导通电阻减少正常功耗。集成OTP功能增强可靠性。紧凑封装适合空间受限应用,符合环保标准。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。 ESD5441N02-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1006-2L。规格书WILLSEMI韦尔WS3202E

WS72552S-8/TR 运算放大器 封装:SOP-8。代理分销商WILLSEMI韦尔WS4621C

    ESD9X5VU是一种单向瞬态电压抑制器(TVS),专为可能遭受静电放电(ESD)的敏感电子组件提供高水平的保护。它被设计用于替代多层变阻器(MLV),并广泛应用于消费设备,如手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、LCD电视等。

特性:

· 极低电容:CJ=0.5pFtyp

· 极低漏电流:IR<1nAtyp

· 低箝位电压:VCL=18Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固态硅技术

· 根据IEC61000-4-2标准,每条线提供±20kV(接触和空气放电)的瞬态保护

· 根据IEC61000-4-4标准,提供40A(5/50ns)的EFT保护

· 根据IEC61000-4-5标准,可承受4A(8/20μs)的浪涌电流

应用:

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便携式电子产品

· 笔记本电脑

     ESD9X5VU采用了一对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。它为敏感电子组件提供了高水平的ESD保护,使其免受静电放电的损害。与传统的多层变阻器相比,ESD9X5VU具有更低的电容和漏电流,以及更低的箝位电压,从而提供了更好的性能。此外,其固态硅技术确保了高效、可靠的电源保护。无论是用于USB、HDMI、SATA还是其他接口,ESD9X5VU都能为现代电子设备提供坚实的ESD防护屏障。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WS4621C

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