规格书WILLSEMI韦尔WL2862K
WL2811EA系列是一款高精度、低噪声、高速、高电源抑制比（PSRR）、低压降的CMOS线性稳压器，具有出色的纹波抑制能力。该系列为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了具有成本效益的新一代性能。所有标准产品均不含铅和卤素，符合环保要求。
特点与优势：
· 输出电流折返
· 宽输入电压范围：2V至5.5V
· 可调输出电压：0.8V至5V
· 输出电流：300mA
· 低功耗：静态电流典型值为75μA，关机电流小于1μA
· 低压降：在输出电流为0.3A时，压降为141mV。
· 电源抑制比：在1kHz、输出电压为3V时，PSRR高达70dB
· 低输出电压噪声：典型值为12μVRMS
· 输出电压容差：±2%
· 推荐电容器：建议使用1μF的电容器以优化性能
· 封装与环保：SOT-23-5L
应用领域：
· MP3/MP4播放器
· 手机、无线电话、数码相机
· 蓝牙、无线手持设备
· 其他便携式电子设备
WL2811EA系列以其出色的性能、灵活的输出电压调整、高效的电流管理以及环保的封装特性，成为便携式电子设备的理想电源解决方案。无论是音频播放、通信还是无线连接，它都能为设备提供稳定、高效的电源支持。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WAS4766C-9/TR 模拟开关 封装：WLCSP-9L。规格书WILLSEMI韦尔WL2862K
WL2836E：低噪声、高PSRR、高速CMOSLDO
产品描述：
WL2836E系列是一款高精度、低噪声、高速、高PSRR（电源抑制比）、低压降CMOS线性稳压器，具有出色的抗纹波能力。这些器件为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了具有成本效益的新一代性能。WL2836E具有随输出电压变化的折返至高输出电流，因此电流限制功能既作为短路保护，又作为输出电流限制器。WL2836E稳压器采用标准的SOT-23-5L封装。标准产品为无铅和无卤素。
产品特性
· 输入电压范围：1.4V~5.5V
· 输出电压范围：0.8V~3.3V
· 输出电流：300mA
· 静态电流：50μATyp
· 关机电流：<1μA
· 压降电压：140mV@IOUT=0.3A
· PSRR：78dB@1kHz,VOUT=1.8V
· 低输出电压噪声：20μVRMSTyp
· 输出电压容差：±2%@VOUT>2V
· 推荐电容器：1μF
· 热过载和短路保护
应用领域
· MP3/MP4播放器
· 手机、无线电话、数码相机
· 蓝牙、无线手持设备
· 其他便携式电子设备
WL2836E是高性能CMOS线性稳压器，专为低噪声、高PSRR和高速性能的便携式电子设备设计。宽输入电压范围和可调输出电压使其应用灵活。内置折返至高输出电流和电流限制功能，提供额外保护。紧凑SOT-23-5L封装，无铅无卤素，满足环保要求。详情查阅数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WNM3056SPD9105W-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：SOD-323。
ESDA6V8AV6静电放电（ESD）保护的瞬态电压抑制器
产品描述：
ESDA6V8AV6是一款五线路的ESD瞬态电压抑制器，为可能受到静电放电（ESD）影响的敏感电子组件提供了极高的保护水平。对于正瞬态，这些设备将电压钳制在逻辑电平供电之上；对于负瞬态，则钳制在低于地的二极管压降。ESDA6V8AV6能够安全地消散±20kV的ESD冲击，超过了IEC61000-4-2国际标准的至高上限要求。使用MILSTD-883（方法3015）中的人体模型（HBM）ESD规格，该设备为大于±16kV的接触放电提供了保护。ESDA6V8AV6采用SOT-563SMT封装，工作电压为5伏特。
规格特性：
· 工作峰值反向电压：5V
· 低漏电流：<1uA@3V
· 高ESD保护水平：每HBM>20kV
· IEC61000-4-2四级ESD保护
· IEC61000-4-4四级EFT保护
· 五种单独的单向配置
机械特性：
· 无空洞、转移模制、热固性塑料外壳
· 耐腐蚀表面，易于焊接
应用领域：
· 手机和配件
· 个人数字助理（PDA）
· 笔记本电脑、台式机和服务器
· 便携式仪器
· 数码相机
· 外设MP3播放器
ESDA6V8AV6是五线路ESD保护器，保护电子组件免受静电放电影响。具有强ESD保护和低漏电流，能承受±20kV冲击。符合电磁兼容性标准，适用于手机、笔记本等便携式设备。详情查阅手册或联系我们。
ESD73034D四线路、双向、极低电容瞬态电压抑制器
产品描述：
ESD73034D是一种极低电容的瞬态电压抑制器（TVS）阵列，专为保护高速数据接口而设计。它被特别设计用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件，免受静电放电（ESD）引起的过度应力。ESD73034D结合了四对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，ESD73034D可用于提供高达±10kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD73034D采用DFN2510-10L封装。标准产品为无铅和无卤素。
产品特性
截止电压：±3.3VMax
根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线路瞬态保护：±10kV（接触放电）
根据IEC61000-4-4（EFT）的瞬态保护：40A（5/50ns）
根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：5.5A（8/20μs）
极低电容：CJ=0.2pFtyp
低漏电流
低箝位电压：VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)
固态硅技术
应用领域
USB3.0和USB3.1
HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0
便携式电子设备
笔记本电脑
ESD73034D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器，保护敏感元件免受静电放电损害，适用于USB3.0、HDMI等高速接口和便携式设备，紧凑且环保。详情查阅数据手册或联系我们。 WMM7037AT2-4/TR MEMS麦克风（硅麦）封装：LGA-4(3x3.8)。
WAS4729QB：低导通电阻（0.8Ω）双SPDT模拟开关，具有负摆幅音频功能
产品描述：
WAS4729QB是一款高性能的双单极双掷（SPDT）模拟开关，具有负摆幅音频功能，其典型导通电阻Ron为0.8Ω（在3.6VVCC下）。该开关在2.3V至5.5V的宽VCC范围内工作，并设计为先断后通的操作模式。选择输入与TTL电平兼容。WAS4729QB还配备了智能电路，即使在控制电压低于VCC电源电压时，也能至小化VCC泄漏电流。这一特性非常适合移动手机应用，因为它允许直接与基带处理器的通用I/O接口，同时极大限度地减少电池消耗。换句话说，在实际应用中，无需额外的设备来将控制电平调整到与VCC相同。WAS4729QB采用QFN1418-10L封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性
供电电压：2.3V~5.5V
极低导通电阻：0.8Ω（在3.6V下）
高关断隔离度：-81dB@1KHz
串扰抑制：-83dB@1KHz-3dB带宽：80MHz
轨到轨信号范围
先断后通开关
HBM JEDEC：JESD22-A114IO至GND：±8KV
电源至GND：±5KV
应用领域
手机、PDA、数码相机和笔记本电脑
LCD显示器、电视和机顶盒
音频和视频信号路由
WAS4729QB是高性能模拟开关，专为移动设备设计，适合音频和视频信号路由，性能优越可靠。详情请查阅数据手册或联系我们。 ESD5311Z-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN0603-2L。代理分销商WILLSEMI韦尔WNMD6003
WPM2019-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-523-3。规格书WILLSEMI韦尔WL2862K
ESD5304D是一个专为保护连接到数据和传输线的敏感电子组件免受静电放电（ESD）引起的过应力而设计的极低电容瞬态电压抑制器（TVS）阵列。它结合了四对极低电容转向二极管和一个TVS二极管，旨在提供优异的ESD保护。
特性：
· 截止电压：5V
· 根据IEC61000-4-2标准的每线瞬态保护：±20kV（接触放电）
· 根据IEC61000-4-4标准的EFT保护：40A（5/50ns）
· 根据IEC61000-4-5标准的浪涌保护：4A（8/20μs）
· 极低电容：CJ=0.4pF（典型值）
· 极低漏电流：IR<1nA（典型值）
· 低箝位电压：VCL=14V（典型值）@IPP=16A（TLP）
· 固态硅技术
应用：
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便携式电子产品
· 笔记本电脑
ESD5304D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器，保护接口免受静电放电和其他瞬态事件损害。利用先进固态硅技术，结合极低电容转向二极管和TVS二极管，提供优异保护。能承受±20kV接触放电和其他瞬态事件。极低电容和漏电流不影响数据传输。适用于USB、HDMI、SATA等接口，是电子设备中的关键保护组件。小巧封装且环保，易于集成。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WL2862K