规格书WILLSEMI韦尔WL2851E

    ESD5431Z-2/TR：电子设备的瞬态电压守护神

    ESD5431Z-2/TR是一款高效、可靠的双向瞬态电压抑制器，专为保护电子设备免受静电放电、电气快速瞬变和雷电等瞬态电压威胁而设计。其独特的双向保护机制，确保在数据线和控制线受到过应力时，能够迅速抑制电压波动，保护敏感电子元件免受损坏。 

    这款ESD具有出色的截止电压和瞬态保护能力，根据IEC61000-4-2标准，它能承受高达±30kV的接触放电，确保在极端情况下仍能有效保护电路，能够承受高达40A（5/50ns）的EFT和10A（8/20μs）的浪涌电流。其小型DFN0603-2L封装设计使得集成更为便捷，同时无铅和不含卤素的标准也符合环保要求。

    无论是手机、计算机还是微处理器，它都能为这些设备提供坚实的电压保护，确保它们在各种恶劣环境下都能稳定运行。应用在工业、医疗还是消费电子领域等。

    安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐ESD5431Z-2/TR这款ESD，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持，请随时联系我们。 ESD5Z5VL-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：SOD-523。规格书WILLSEMI韦尔WL2851E

     SD5302F是一款专为保护高速数据接口设计的极低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列。它特别设计用于保护连接到数据线和传输线的敏感电子组件免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5302F结合了两对极低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可用于提供高达±20kV（接触和空气放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5302F采用SOT-23封装。标准产品为无铅和无卤素。

主要特性：

· 截止电压：5V

· 每条线路均符合IEC61000-4-2（ESD）标准的瞬态保护：±20kV（接触和空气放电）

· 符合IEC61000-4-4（EFT）标准的瞬态保护：40A（5/50ns）

· 符合IEC61000-4-5（浪涌）标准的瞬态保护：4A（8/20μs）

· 极低电容：CJ=0.4pF（典型值）

· 极低漏电流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位电压：VCL=20V@IPP=16A（TLP）

· 固态硅技术

应用领域：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

      ESD5302F保护高速数据接口免受静电放电等损害，确保信号完整性，承受力强。适合紧凑设备，环保。是高速数据接口的理想保护组件。详情查阅手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔SPD9811BWS3202E61-6/TR 过压过电流保护IC 监控和复位芯片 封装：SOT-23-6L。

     ESD9X5VL是一款单向瞬态电压抑制器（TVS），为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供极高水平的保护。它被设计用于替代消费设备中的多层变阻器（MLV），适用于手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、液晶电视等设备。ESD9X5VL结合了一对极低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可用于提供高达±20kV（接触和空气放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受8/20μs脉冲的峰值电流高达4A。ESD9X5VL采用FBP-02C封装，标准产品为无铅、无卤素。

特性：

· 截止电压：5V

· 根据IEC61000-4-2（ESD）为每条线路提供瞬态保护：±20kV（接触和空气放电）

· IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

· IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8/20μs）

· 极低电容：CJ=1.2pF（典型值）

· 极低漏电流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位电压：VCL=18V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固态硅技术

应用：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便携式电子产品

· 笔记本电脑

    ESD9X5VL是保护高速数据接口免受静电放电损害的瞬态电压抑制器。响应迅速，避免噪声和干扰，高可靠且适用于便携式设备。详情查阅手册或联系我们。

    WL2803E系列是一种采用CMOS工艺制造的低压差线性稳压器，具有极低的压降、低静态电流和高电源抑制比（PSRR）等特点。在500mA的负载电流下，其压降只有130mV（典型值）。这使得它在需要高输出电流的消费者和网络应用中极具吸引力。

特性：

· 输入电压范围：2.5V至5.5V

· 输出电压范围：1.2V至3.3V，步长为0.1V

· 输出电流：500mAPSRR（电源抑制比）：在1KHz时为65dB

· 压降电压：在IOUT=0.5A时为130mV

· 输出噪声：100uV

· 静态电流：典型值为150μA

此外，WL2803E系列还具备热关断（OTP）和电流限制功能，以确保在异常条件下芯片和电源系统的稳定性。同时，采用微调技术保证输出电压精度在±2%以内。

应用：

· LCD电视

· 机顶盒（STB）

· 计算机、图形卡

· 网络通信设备

· 其他便携式电子设备

    WL2803E系列CMOSLDO为现代电子设备提供稳定电源，具有极

低压降、低静态电流和高电源抑制比，有效减少电源噪声干扰。宽输出电压范围和微调技术满足各种应用需求，适用于LCD电视、机顶盒和计算机通信设备。紧凑封装和环保设计使其易于集成。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。 WS7802DE-6/TR 模拟开关/多路复用器 封装：DFN-6L(1.1x0.7)。

    WNM2030是一种N型增强型MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)与低栅极电荷。这款器件适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2030为无铅产品。小型SOT-723封装。

主要特性：

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 优异的开启电阻

· 极低的阈值电压

应用领域：

· DC/DC转换器

· 电源转换器电路

· 便携式设备的负载/电源切换

   WNM2030是专为现代电子系统电源管理设计的高性能MOS场效应晶体管。其RDS(ON)和低栅极电荷特性使其在DC-DC转换、电源开关和充电电路中表现出色。采用先进沟槽技术，提供高密度和低功耗。快速开关操作适用于高频电源管理。小型SOT-723封装适合便携式设备，且无铅设计满足环保要求。WNM2030为现代电源管理提供高效、可靠和环保的解决方案。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WNMD2171-4/TR 场效应管(MOSFET) 封装：CSP-4L。代理分销商WILLSEMI韦尔WPM2081

ESD5451X-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：FBP-02C。规格书WILLSEMI韦尔WL2851E

    WL2811EA系列是一款高精度、低噪声、高速、高电源抑制比（PSRR）、低压降的CMOS线性稳压器，具有出色的纹波抑制能力。该系列为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了具有成本效益的新一代性能。所有标准产品均不含铅和卤素，符合环保要求。

特点与优势：

· 输出电流折返

· 宽输入电压范围：2V至5.5V

· 可调输出电压：0.8V至5V

· 输出电流：300mA

· 低功耗：静态电流典型值为75μA，关机电流小于1μA

· 低压降：在输出电流为0.3A时，压降为141mV。

· 电源抑制比：在1kHz、输出电压为3V时，PSRR高达70dB

· 低输出电压噪声：典型值为12μVRMS

· 输出电压容差：±2%

· 推荐电容器：建议使用1μF的电容器以优化性能

· 封装与环保：SOT-23-5L

应用领域：

· MP3/MP4播放器

· 手机、无线电话、数码相机

· 蓝牙、无线手持设备

· 其他便携式电子设备

    WL2811EA系列以其出色的性能、灵活的输出电压调整、高效的电流管理以及环保的封装特性，成为便携式电子设备的理想电源解决方案。无论是音频播放、通信还是无线连接，它都能为设备提供稳定、高效的电源支持。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WL2851E