陕西陶瓷封装方式

SiP失效机理：失效机理是指引起电子产品失效的物理、化学过程。导致电子产品失效的机理主要包括疲劳、腐蚀、电迁移、老化和过应力等物理化学作用。失效机理对应的失效模式通常是不一致的，不同的产品在相同的失效机理作用下会表现为不一样的失效模式。SiP产品引入了各类新材料和新工艺，特别是越来越复杂与多样化的界面和互连方式，这也必然引入新的失效机理与失效模式。SiP的基本组成包括芯片、组件和互连结构。不同功能的芯片通过粘接等方式安装在基板上，电学连接是通过键合丝键合、倒装焊、粘接、硅通孔等方式实现的。SiP封装通常在一块大的基板上进行，每块基板可以制造几十到几百颗SiP成品。陕西陶瓷封装方式

无引线缝合（Wireless Bonding）：1、定义，不使用金线连接芯片电极和封装基板的方法。2、分类；3、TAB，① 工艺流程，使用热棒工具，将划片后的芯片Al焊盘（通过电镀工艺形成Au凸点）与TAB引脚（在聚酰亚胺胶带开头处放置的Cu引脚上镀金而成）进行热黏合，使其键合到一起。② 特色，TAB引线有规则地排列在聚酰亚胺带上，以卷轴的形式存放。4、FCB，FCB工艺流程：① 在芯片电极上形成金球凸点；② 将芯片翻转朝下，与高性能LSI专门使用的多层布线封装基板的电极对齐，然后加热连接；③ 注入树脂以填满芯片与封装基板之间的间隙（底部填充）；④ 在芯片背面贴上散热片，在封装基板外部引脚挂上锡球。陕西陶瓷封装方式SIP与SOC，SOC(System On a Chip，系统级芯片)是将原本不同功能的IC，整合到一颗芯片中。

除了 2D 与 3D 的封装结构外，另一种以多功能性基板整合组件的方式，也可纳入 SiP 的涵盖范围。此技术主要是将不同组件内藏于多功能基板中，亦可视为是 SiP 的概念，达到功能整合的目的。不同的芯片排列方式，与不同的内部接合技术搭配，使 SiP 的封装形态产生多样化的组合，并可依照客户或产品的需求加以客制化或弹性生产。SiP 的应用场景SiP 技术是一项先进的系统集成和封装技术，与其它封装技术相比较，SiP 技术具有一系列独特的技术优势，满足了当今电子产品更轻、更小和更薄的发展需求，在微电子领域具有广阔的应用市场和发展前景。

2.5D SIP，2.5D本身是一种在客观世界并不存在的维度，因为其集成密度超越了2D，但又达不到3D集成密度，取其折中，因此被称为2.5D。其中的表示技术包括英特尔的EMIB、台积电的CoWos、三星的I-Cube。在先进封装领域，2.5D是特指采用了中介层（interposer）的集成方式，中介层目前多采用硅材料，利用其成熟的工艺和高密度互连的特性。物理结构：所有芯片和无源器件均在XY平面上方，至少有部分芯片和无源器件安装在中介层上，在XY平面的上方有中介层的布线和过孔，在XY平面的下方有基板的布线和过孔。电气连接：中介层可提供位于中介层上芯片的电气连接。虽然理论上讲，中介层可以有TSV也可以没有TSV，但在进行高密度互连时，TSV几乎是不可或缺的，中介层中的TSV通常被称为2.5D TSV。SiP 兼具低成本、低功耗、高性能、小型化和多元化的优势。

SiP以后会是什么样子的呢？理论上，它应该是一个与外部没有任何连接的单独组件。它是一个定制组件，非常适合它想要做的工作，同时不需要外部物理连接进行通信或供电。它应该能够产生或获取自己的电力，自主工作，并与信息系统进行无线通信。此外，它应该相对便宜且耐用，使其能够在大多数天气条件下运行，并在发生故障时廉价更换。随着对越来越简化和系统级集成的需求，这里的组件将成为明天的SiP就绪组件，而这里的SiP将成为子系统级封装（SSiP）。SiP就绪组件和SSiP将被集成到更大的SiP中，因为系统集成使SiP技术越来越接近较终目标：较终SiP。SiP并没有一定的结构形态，芯片的排列方式可为平面式2D装和立体式3D封装。安徽芯片封装技术

SiP 封装技术采取多种裸芯片或模块进行排列组装。陕西陶瓷封装方式

3D SIP。3D封装和2.5D封装的主要区别在于：2.5D封装是在Interposer上进行布线和打孔，而3D封装是直接在芯片上打孔和布线，电气连接上下层芯片。3D集成目前在很大程度上特指通过3D TSV的集成。物理结构：所有芯片及无源器件都位于XY平面之上且芯片相互叠合，XY平面之上设有贯穿芯片的TSV，XY平面之下设有基板布线及过孔。电气连接：芯片采用TSV与RDL直接电连接。3D集成多适用于同类型芯片堆叠，将若干同类型芯片竖直叠放，并由贯穿芯片叠放的TSV相互连接而成，见下图。类似的芯片集成多用于存储器集成，如DRAM Stack和FLASH Stack。陕西陶瓷封装方式