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锂电池充电管理XA4246：丝印：2YL6、2YL4、2YL2、2YLA、H1JC、UN8HX、54B4、S9VH、1IEK、19jH、IJH55、B701、6QK103、XA4054可替代XA4055丝印：55B0、55B1、55B2、55B3、55B4、55B5、55B6、55B7、55B8、55B9、55Ba、55Bb、XA4058；丝印：58B0、58B1、58B2、58B3、58B4、58B5、58B6、58B7、58B8、58B9、588Ba、58Bb、XA4057；丝印：57B0、57B1、57B2、57B3、57B4、57B5、57B6、57B7、57B8、57B9、57Ba、57Bb、XA4059；丝印：59B0、59B1、59B2、59B3、59B4、59B5、59B6、59B7、59B8、59B9、59Ba、59Bb、XA4017：丝印:017K、017G、57b9、57Ba、017t、HXNNH、017e、XA5056丝印：5056 、XA4217丝印：HXN-WL变更连接在 CCSEL 管脚的下拉电阻的阻值，可以配置应用方案为不同的充电功率。3m1FAB

当同时连接充电电源和用电设备时，自动进入边充边放模式。在该模式下，芯片会自动关闭内部快充输入请求。为保证用电设备的正常充电，DS5036B会将充电欠压环路提高到4.8V以上，以保证优先给用电设备供电。在VSYS电压只有5V的情况下，开启放电路径给用电设备供电；为了安全考虑，如果VSYS电压大于5.6V，不会开启放电路径。在边充边放过程中，如果拔掉充电电源，DS5036B会关闭充电功能，重新启动放电功能给用电设备供电。为了安全考虑，同时也为了能够重新使能用电设备请求快充，转换过程中会有一段时间输出电压掉到0V。在边充边放过程中，如果拔掉用电设备、用电设备充满持续15s时，DS5036B会自动关闭对应的放电路径。当放电路径都关闭，状态回到单充电模式时，会重新给移动电源快充。XBM3205MDA适用范围：适用于标称电压3.7V，充满电压4.2V的锂电池。2组电池的容量/内阻越接近越好!

DS2730 集成了 2 路高效 DC-DC 电压变换器和 CV/CC 补偿电路。结合外置的 NMOS 功率管，实现 2 路分离的 DC-DC 降压变换功能，支持 100%占空比输出和直通模式，并根据设备的插入/移除状态，控制放电通路的自动导通或关闭。在放电过程中，实时监测放电通路的输出电压、负载电流和系统温度。当有异常发生时，启动执行相应的保护机制。 内置的同步降压变换器，允许 5V~30V 的输入电压和 3.3V~20V 的输出电压，上限输出效率可达 98%（VIN=20V，VBUS=20V@5A）。

可用太阳能电池供电的锂电池充电管理芯片CN3063  CN3063是可以用太阳能电池供电的单节锂电池充电管理芯片。该器件内部包括功率晶体管，应用时不需要外部的电流检测电阻和阻流二极管。内部的8位模拟-数字转换电路，能够根据输入电压源的电流输出能力自动调整充电电流，用户不需要考虑坏情况，可大限度地利用输入电压源的电流输出能力，非常适合利用太阳能电池等电流输出能力有限的电压源供电的锂电池充电应用。CN3063只需要极少的元器件，并且符合USB 总线技术规范，非常适合于便携式应用的领域。热调制电路可以在器件的功耗比较大或者环境温度比较高的时候将芯片温度控制在安全范围内。内部固定的恒压充电电压为4.2V，也可以通过一个外部的电阻调节。充电电流通过一个外部电阻设置。当输入电压掉电时，CN3063自动进入低功耗的睡眠模式，此时电池的电流消耗小3微安。其它功能包括输入电压过低锁存，自动再充电，电池温度监控以及充电状态/充电结束状态指示等功能。在锁定状态，必须要有充电动作才能使能芯片功能。

锂电池保护IC通常具有以下功能：电池电压监测：监测锂电池的电压，当电压过高或过低时，保护IC会采取相应的措施，如切断电池与负载的连接，以防止电池过充或过放。电池电流监测：监测锂电池的充放电电流，当电流超过设定的安全范围时，保护IC会限制电流或切断电池与负载的连接，以防止过流。温度监测：监测锂电池的温度，当温度过高时，保护IC会采取措施，如限制电流或切断电池与负载的连接，以防止过热。短路保护：当锂电池与负载之间发生短路时，保护IC会立即切断电池与负载的连接，以防止电池过放或过热。均衡充电：对于多节锂电池组，保护IC可以监测和控制每个电池节的电压，以确保各个电池节之间的电压均衡，避免电池过充或过放。锂电转干电池充放电管理芯片。XC31012u

可用模拟和PWM信号调光的高压线性LED驱动集成电路。3m1FAB

ESD（ Electrostatic Discharge）静电放电：在半导体芯片行业，根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同，可以分为以下四种方式：人体放电模式（HBM：Human-body Model）、机器放电模式 （MM：Machine Model）、元件充电模式（CDM：Charge-Device Model）、电场感应模式（FIM：Field-Induced Model），但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD，不是系统级ESD； 芯片级ESD：HBM 大于2KV，较高的是8KV。 系统级ESD：接触ESD和空气ESD，指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD，一般空气是15KV，接触是8KV。3m1FAB