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极限参数：a.集电极较大允许电流ICM集电极较大允许电流是指当集电极电流IC增加到某一数值，引起β值下降到额定值的2/3或1/2时的IC值。所以当集电极电流超过集电极较大允许电流时，虽然不致使管子损坏，但β值明显下降，影响放大质量。b.集电极—基极击穿电压U(BR)CBO集电极—基极击穿电压是指当发射极开路时，集电结的反向击穿电压。c.发射极—基极反向击穿电压U(BR)EBO发射极—基极反向击穿电压是指当集电极开路时，发射结的反向击穿电压。d.集电极—发射极击穿电压U(BR)CEO集电极—发射极击穿电压是指当基极开路时，加在集电极和发射极之间的较大允许电压，使用时如果UCE＞U(BR)CEO，管子就会被击穿。e.集电极较大允许耗散功率PCM集电极较大允许耗散功率是指管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的较大集电极耗散功率。绝缘栅场效应晶体管（IGBT）是一种高功率、高频率开关管，适用于电力电子领域。安庆三极管现货直发

半导体三极管的好坏检测：a.先选量程：R﹡100或R﹡1K档位；b.测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值。红表笔接基极，黑表笔接发射极，所测得阻值为发射极正向电阻值，若将黑表笔接集电极（红表笔不动），所测得阻值便是集电极的正向电阻值，正向电阻值愈小愈好。c.测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值。将黑表笔接基极，红表笔分别接发射极与集电极，所测得阻值分别为发射极和集电极的反向电阻，反向电阻愈小愈好。d.测量NPN型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值的方法和测量PNP型半导体三极管的方法相反。合肥NPN三极管注意事项包括避免三极管过热、防止反接等，以保证其稳定可靠地工作。

三极管放大信号，三极管在放大信号时，首先要进入导通状态，即要先建立合适的静态工作点，也叫 建立偏置 ，否则会放大失真。我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流Ic。这两个电流的方向都是流入发射极的，所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。关于三极管β值：硅三极管β值常用范围为：30~200；锗三极管β值常用范围为：30~100。β值越大，漏电流越大，β值过大的三极管性能不稳定。

三极管简介，三极管，全称为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件，其作用是把基极电流的微小变化去控制集电极电流的巨大变化， 也用作无触点开关。单片机应用电路中三极管主要的作用就是开关作用。三极管的常用型号，三极管常用的型号有MMBTxxxx（单管）、MMDTxxxx（2合1三极管）、SS/Sxxxx（SS是原装进口，S是国产）、2Nxxxx。单管：MMBT3904或3906（注：3904是NPN管，3906是PNP管）、8050或8550（注：8050是NPN管，8550是PNP管）、9013或9014（都是NPN管）、MMBT5551或5401、MMBT2222A、D882、BCX56。2合1三极管：MMDT5551或5401、MMDT2227。三极管的放大功能实现还要求基极和发射极之间加正向电压（发射结正偏），基极与集电极之间加反向电压（集电结反偏）。三极管还可以用于设计振荡器、稳压器、电压比较器和电源调节器等电路。

三极管其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号，也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的主要元件。接下来小编为大家介绍三极管的作用及三极管工作原理。三极管的作用：电流放大，三极管的作用之一就是电流放大，这也是其较基本的作用。以共发射极接法为例，一旦由基极输入一个微小的电流，在集电极输出的电流大小便是输入电流的β倍，β被叫做三极管的电流放大系数。将输入的微弱信号扩大β倍后输出，这便是三极管的电流放大作用。三极管还可用作开，通过基极电变化实现集电极与射极间的通或截止。合肥NPN三极管

使用三极管时应注意防静电，避免损坏敏感器件。安庆三极管现货直发

三极管工作原理，三极管按材料差异可以分为：锗管三极管和硅管三极管两种，每一种有NPN和PNP两种结构形式，现在市面上使用较为普遍的为：锗PNP和硅NPN两种三极管，那么什么是三极管呢？N表示在高纯度硅中加入适当磷，在电压刺激下三极管产生自由电子导电，p指的是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电。这两种三极管除电源极性存在差异外，其工作原理都是相同的，对于NPN三极管，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，集电区与基区形成的PN结称之为集电结。安庆三极管现货直发