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SiP 封装优势。在IC封装领域,是一种先进的封装,其内涵丰富,优点突出,已有若干重要突破,架构上将芯片平面放置改为堆叠式封装,使密度增加,性能较大程度上提高,表示着技术的发展趋势,在多方面存在极大的优势特性,体现在以下几个方面。SiP 实现是系统的集成。采用要给封装体来完成一个系统目标产品的全部互联以及功能和性能参数,可同时利用引线键合与倒装焊互连技术以及别的IC芯片堆叠等直接内连技术,将多个IC芯片与分立有源和无源器件封装在一个管壳内。SiP技术路线表明,越来越多的半导体芯片和封装将彼此堆叠,以实现更深层次的3D封装。江西MEMS封装定制
近年来,半导体公司面临更复杂的高集成度芯片封装的挑战,消费者希望他们的电子产品体积更小,性能参数更高,功耗更低,并将更多功能集成到单部设备中。半导体封装工艺的提升,对于解决这些挑战具有重要意义。当前和未来的芯片封装工艺,对于提高系统性能,增加使用功能,降低系统功耗、缩小外形尺寸的要求,需要一种被称为系统集成的先进封装方法。模块划分是指从电子设备中分离出一块功能,既便于后续的整机集成又便于SiP封装。SiP工艺技术难点:清洗,定制清洗设备、清洗溶液要求、清洗参数验证、清洗标准制定;植球,植球设备选择、植球球径大小、球体共面性检查、BGA测试、助焊剂残留要求等;基板,陶瓷基板的设计及验证难度高,工艺难度高,加工成本高;有机基板的导热性差,容易导致IC焊接处电气链接失效。贵州MEMS封装测试系统级封装(SiP)技术是通过将多个裸片(Die)及无源器件整合在单个封装体内的集成电路封装技术。
对于堆叠结构,可以区分如下几种:芯片堆叠、PoP、PiP、TSV。堆叠芯片,是一种两个或更多芯片堆叠并粘合在一个封装中的组装技术。这较初是作为一种将两个内存芯片放在一个封装中以使内存密度翻倍的方法而开发的。 无论第二个芯片是在头一个芯片的顶部还是在它旁边,都经常使用术语“堆叠芯片”。技术已经进步,可以堆叠许多芯片,但总数量受到封装厚度的限制。芯片堆叠技术已被证明可以多达 24 个芯片堆叠。然而,大多数使用9 芯片高度的堆叠芯片封装技术的来解决复杂的测试、良率和运输挑战。芯片堆叠也普遍应用在传统的基于引线框架的封装中,包括QFP、MLF 和 SOP 封装形式。如下图2.21的堆叠芯片封装形式。
除了 2D 与 3D 的封装结构外,另一种以多功能性基板整合组件的方式,也可纳入 SiP 的涵盖范围。此技术主要是将不同组件内藏于多功能基板中,亦可视为是 SiP 的概念,达到功能整合的目的。不同的芯片排列方式,与不同的内部接合技术搭配,使 SiP 的封装形态产生多样化的组合,并可依照客户或产品的需求加以客制化或弹性生产。SiP 的应用场景SiP 技术是一项先进的系统集成和封装技术,与其它封装技术相比较,SiP 技术具有一系列独特的技术优势,满足了当今电子产品更轻、更小和更薄的发展需求,在微电子领域具有广阔的应用市场和发展前景。先进封装的制造过程中,任何一个环节的失误都可能导致整个封装的失败。
无引线缝合(Wireless Bonding):1、定义,不使用金线连接芯片电极和封装基板的方法。2、分类;3、TAB,① 工艺流程,使用热棒工具,将划片后的芯片Al焊盘(通过电镀工艺形成Au凸点)与TAB引脚(在聚酰亚胺胶带开头处放置的Cu引脚上镀金而成)进行热黏合,使其键合到一起。② 特色,TAB引线有规则地排列在聚酰亚胺带上,以卷轴的形式存放。4、FCB,FCB工艺流程:① 在芯片电极上形成金球凸点;② 将芯片翻转朝下,与高性能LSI专门使用的多层布线封装基板的电极对齐,然后加热连接;③ 注入树脂以填满芯片与封装基板之间的间隙(底部填充);④ 在芯片背面贴上散热片,在封装基板外部引脚挂上锡球。SiP涉及许多类型的封装技术,如超精密表面贴装技术(SMT)、封装堆叠技术,封装嵌入式技术等。贵州MEMS封装测试
随着SiP模块成本的降低,且制造工艺效率和成熟度的提高。江西MEMS封装定制
5G手机集成度的进一步提高,极大提升了SiP需求。SiP技术正成为半导体行业的一个重要趋势,它通过高度的集成化和微型化,为现代电子产品的设计和功能提供了新的可能性。随着技术的不断成熟和应用的不断拓展,SiP有望在未来的电子设备中扮演更加重要的角色。SiP系统级封装,SiP封装是合封电子的其中一种技术。SiP封装( System In a Package)是将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件,以及诸如MEMS或者光学器件等其他器件优先组装到一起,实现一定功能的单个标准封装件。江西MEMS封装定制
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