天津陶瓷氧化铝价格
氮化铝的应用:压电装置应用:氮化铝具备高电阻率,高热导率(为Al2O3的8-10倍),与硅相近的低膨胀系数,是高温和高功率的电子器件的理想材料。电子封装基片材料:常用的陶瓷基片材料有氧化铍、氧化铝、氮化铝等,其中氧化铝陶瓷基板的热导率低,热膨胀系数和硅不太匹配;氧化铍虽然有优良的性能,但其粉末有剧毒。在现有可作为基板材料使用的陶瓷材料中,氮化硅陶瓷抗弯强度很高,耐磨性好,是综合机械性能很好的陶瓷材料,同时其热膨胀系数很小。而氮化铝陶瓷具有高热导率、好的抗热冲击性、高温下依然拥有良好的力学性能。氮化铝有较高的传热能力,至使氮化铝被大量应用于微电子学。天津陶瓷氧化铝价格

氮化铝陶瓷是一种综合性能优良的新型陶瓷材料,具有优良的热传导性、可靠的电绝缘性、低的介电常数和介电损耗、无毒以及与硅相匹配的热膨胀系数等一系列优良特性,被认为是新一代高集程度半导体基片和电子器件封装的理想材料,受到了国内外研究者的较广重视。理论上,氮化铝的热导率接近于氧化铍的热导率,但由于氧化铍有剧毒,在工业生产中逐渐被停止使用。与其它几种陶瓷材料相比较,氮化铝陶瓷综合性能优良,非常适用于半导体基片和结构封装材料,在电子工业中的应用潜力非常巨大。另外,氮化铝还耐高温,耐腐蚀,不为多种熔融金属和融盐所浸润,因此,可用作高级耐火材料和坩埚材料,也可用作防腐蚀涂层,如腐蚀性物质的容器和处理器的里衬等。氮化铝粉末还可作为添加剂加入各种金属或非金属中来改善这些材料的性能。高纯度的氮化铝陶瓷呈透明状,可用作电子光学器件。氮化铝还具有优良的耐磨耗性能,可用作研磨材料和耐磨损零件。天津陶瓷氧化铝价格氮化铝薄膜用于薄膜器件的介质和耐磨、耐热、散热好的镀层。

纳米氮化铝粉体主要用途:导热塑料中的应用:纳米氮化铝粉体可以大幅度提高塑料的导热率。通过实验产品以5-10%的比例添加到塑料中,可以使塑料的导热率从原来的0.3提高到5。导热率提高了1l6倍多。相比较目前市场上的导热填料(氧化铝或哦氧化镁等)具有添加量低,对制品的机械性能有提高作用,导热效果提高更明显等特点。目前相关应用厂家已经大规模采购纳米氮化铝粉体,新型的纳米导热塑料将投放市场。高导热硅橡胶的应用:与硅匹配性能好,在橡胶中容易分散,在不影响橡胶的机械性能的前提下(实验证明对橡胶的机械性能还有提高作用)可大幅度提升硅橡胶的导热率,在添加过程中不象氧化物等使黏度上升很快,添加量很小(根据导热要求一般在5%左右就可以使导热率提高50%-70%),现较广应用与,航空以及信息工程中。
氮化铝(AlN)综合性能相当优良,是当前具有高热传导性和出色的电绝缘特性这一有趣组合的先进陶瓷材料,这样得天独厚的优点使得业界对它的应用潜力十分看好。尽管氮化铝是当前材料科学界很炙手可热的材料之一,但其发展其实并不顺遂。尽管在1877年就已合成,但随后的100多年间其实都没什么实际应用,直到20世纪50年代,人们才成功制得氮化铝陶瓷,并作为耐火材料应用于纯铁、铝以及铝合金的熔炼。要发展氮化铝陶瓷,选对方向很关键。目前氮化铝陶瓷的制备工艺日趋成熟,应用范围也在不断扩大,尤其是进入21世纪后,人们对微电子技术的重视又为氮化铝材料的发展增添了不少筹码。由于氮化铝压电效应的特性,氮化铝晶体的外延性伸展也用於表面声学波的探测器。
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颗粒形状的影响:相较于颗粒尺寸对氮化铝陶瓷的影响,颗粒的形貌对其的影响主要集中在粉体的流动性以及填充率的增加上。工业上一般认为氮化铝粉体呈球形为合理的选择。球形粉体比其他形状如棒状,双头六角形状流动性更好,且填充率也会相对高一些。特别是对于把氮化铝作为填料的工业领域,流动性差意味着难以均匀混合,势必会对产品的性能造成一定的负面影响。氮化铝粉体填充率越高,其热膨胀系数就越小,热导率越高。相较于其它形状来说,球形粉体制成的封装材料应力集中小、强度高。而且球形粉体摩擦系数小,对模具的磨损小,可延长模具的使用寿命,提高经济效益。利用AIN陶瓷耐热耐熔体光学性能可作红外线窗口。深圳单晶氮化铝粉体品牌
利用AlN陶瓷耐热耐侵蚀性,可用于制作坩埚、Al蒸发皿等高温耐蚀部件。天津陶瓷氧化铝价格
氮化铝粉体的制备工艺:高温自蔓延合成法:高温自蔓延合成法是直接氮化法的衍生方法,它是将Al粉在高压氮气中点燃后,利用Al和N2反应产生的热量使反应自动维持,直到反应完全,其化学反应式为:2Al(s)+N2(g)→2AlN(s);其优点是高温自蔓延合成法的本质与铝粉直接氮化法相同,但该法不需要在高温下对Al粉进行氮化,只需在开始时将其点燃,故能耗低、生产效率高、成本低。其缺点是要获得氮化完全的粉体,必需在较高的氮气压力下进行,直接影响了该法的工业化生产。化学气相沉淀法:它是在远高于理论反应温度,使反应产物蒸气形成很高的过饱和蒸气压,导致其自动凝聚成晶核,而后聚集成颗粒。天津陶瓷氧化铝价格
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