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产生不良次品;同时由于所述侧支撑件44的移动,可带动玻璃在所述玻璃加工治具4上的摆动,从而实现玻璃与喷淋液的充分均匀接触。较佳的,所述底座41和实施支撑架42上均设置有若干流通孔,所述流通孔便于所述玻璃加工治具4上的所述喷淋液流至所述收集槽内。实施例四所述支撑架42包括对应设置的架体和第二架体,所述架体和所述第二架体均固定设置在所述底座41上,所述架体包括平行对应设置的两竖直平板421,所述第二架体为与所述竖直平板421连接的对应两侧板422,所述架体和所述第二架体形成盛放部,玻璃设置在所述盛放部内;所述侧板422和所述竖直平板421可均固定设置于所述底座41上,也可相互固定连接形成稳定的矩形框架。所述架体和所述第二架体均设置有若干所述侧支撑件44,且所述侧支撑件44对应所述底支撑件43设置。较佳的,所述架体上固定设置有若干固定孔,所述侧支撑件44可根据玻璃的具体尺寸在相应所述固定孔上固定设置;所述第二架体上设置有调节槽,对应所述调节槽还设置有固定板423,所述固定板423的两端分别设置在对应两所述侧板422的所述调节槽上,并可在所述调节槽内调节移动,从而可使所述玻璃加工治具4适用于不同尺寸的玻璃放置。一般的。去除多余涂层,减薄用清洗剂是您不可或缺的好帮手。池州哪家减薄用清洗剂私人定做
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在本发明的一个实施例中,抛光液110的主要成分包括:碳化硅颗粒,颗粒直径为50nm~200nm,体积比为3%~5%;次氯酸盐,体积比为30%~40%;氢溴酸,体积比为5%~7%,di水,体积比50~60%。本发明的一个实施例中,如图3所示,磁转子12包括截面为半圆形的柱状磁性结构120和位于柱状磁性结构120的底部平面的研磨层121,以通过研磨层121对待加工部件20的待加工表面进行机械研磨。当然,本发明并不仅限于此,在其他实施例中,可以根据实际需求选择合适的磁转子形状。可选地,研磨层121为金属氧化物层,进一步可选地,金属氧化物层包括三氧化二铝层。可选地,研磨层121的厚度为10μm。本发明实施例中,如图4所示,磁转子12沿箭头所示方向旋转,如沿逆时针或顺时针方向旋转,并且,磁转子12的长度近似等于待加工部件20如inp基晶圆的直径,以对整个待加工表面进行研磨。本发明实施例中,抛光减薄装置还包括控制部件。控制部件与磁转子12和喷头11相连,用于控制喷头11和磁转子12交替工作,以对待加工表面交替进行抛光和减薄。其中,控制部件通过脉冲方式控制喷头11和磁转子12交替工作。可选地,控制部件控制磁转子12的转速为80rpm~200rpm。
来对所述待加工表面进行减薄。可选地,还包括:在所述磁转子运行一段时间后,更换所述磁转子。可选地,将待加工部件固定在托盘上包括:采用光刻胶将所述待加工部件固定在所述托盘上。可选地,对所述待加工部件的待加工表面进行抛光和减薄之后,还包括:对所述待加工部件进行清洗;采用特定溶液对所述光刻胶进行腐蚀,以将所述待加工部件与所述托盘分离。与现有技术相比,本发明所提供的技术方案具有以下优点:本发明所提供的抛光减薄装置和抛光减薄方法,采用托盘固定待加工部件,采用喷头向待加工部件的待加工表面喷涂抛光液,来对所述待加工表面进行抛光,采用磁转子旋转对待加工表面进行机械研磨,来对所述待加工表面进行减薄,由于减薄过程中待加工部件如inp基晶圆本身不旋转,因此,可以降低抛光减薄过程中对待加工部件如inp基晶圆的挤压应力,降低待加工部件如inp基晶圆的机械加工损伤。附图说明为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。苏州哪家公司的减薄用清洗剂的价格比较划算?
本发明涉及半导体制造技术领域,更具体地说,涉及一种抛光减薄装置和抛光减薄方法。背景技术:采用iii-v族化合物制作的半导体器件和超高速数字/数模混合电路等凭借其优良的频率特性,已经成为通讯、雷达、制导、空间防御、高速智能化武器及电子对抗等现代化装备的部件之一。在众多的iii-v族化合物中,inp(磷化铟)化合物具有独特的优势,这主要得益于其优良的材料特性,例如,inp和ingaas(铟镓砷)之间的晶格失配很小,以及电子饱和速率很高等,所以不论是hemt(highelectronmobilitytransistor,高电子迁移率晶体管)结构还是hbt(heterojunctionbipolartransistor,异质结双极晶体管)结构,都具有非常优异的高频、大功率性能。但是,inp材料的物理性能却很差,非常易碎,很小的碰撞或振动都会导致晶圆碎裂而前功尽弃,因此,inp材料的制造加工面临着很多工艺上的难题。尤其是在超高频率、大功率的inp基rfic(射频集成电路)的制造工艺中,如何在对inp基晶圆进行减薄抛光时,减小或避免inp基晶圆的损伤是本领域技术人员亟待解决的问题之一。技术实现要素:有鉴于此,本发明提供了一种抛光减薄装置和抛光减薄方法,以减小或避免inp基晶圆的减薄抛光损伤。为实现上述目的。哪家公司的减薄用清洗剂的是有质量保障的?芜湖显示面板用减薄用清洗剂生产
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