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HIT电池HIT电池是异质结(hetero-junctionwithintrinsicthin-layer,HIT)太阳能电池的简称。电池制作过程大致为：利用PECVD在表面织构化后的n型CZ-Si片的正面沉积很薄的本征α-Si:H层和p型α-Si:H，然后在硅片的背面沉积薄的本征α-Si:H层和n型α-Si:H层；利用溅射技术在电池的两面沉积透明氧化物导电薄膜（TCO），用丝网印刷的方法在TCO上制作Ag电极。值得注意的是所有的制作过程都是在低于200℃的条件下进行，这对保证电池的优异性能和节省能耗具有重要的意义。HIT电池具有高效的原理是：1、全部制作工艺都是在低温下完成，有效地保护载流子寿命；2、双面制结，可以充分利用背面光线；3、表面的非晶硅层对光线有非常好的吸收特性；4、采用的n型硅片其载流子寿命很大，远大于p型硅，并且由于硅片较薄，有利于载流子扩散穿过衬底被电极收集；5、织构化的硅片对太阳光的反射降低；6、利用PECVD在硅片上沉积非晶硅薄膜过程中产生的原子氢对其界面进行钝化，这是该电池取得高效的重要原因。尽管电容器品种繁多，但它们的基本结构和原理是相同的。上海国产进口SMT线路板加工公司

SMT是表面组装技术（表面贴装技术）（SurfaceMountedTechnology的缩写），是电子组装行业里当下流行的一种技术和工艺。电子电路表面组装技术（SurfaceMountTechnology，SMT），称为表面贴装或表面安装技术。它是一种将无引脚或短引线表面组装元器件（简称SMC/SMD，中文称片状元器件）安装在印制电路板（PrintedCircuitBoard，PCB）的表面或其它基板的表面上，通过再流焊或浸焊等方法加以焊接组装的电路装连技术。SMT贴片指的是在PCB基础上进行加工的系列工艺流程的简称。上海国产SMT线路板加工销售价格锡膏印刷所用设备为印刷机(锡膏印刷机)，位于SMT生产线的前端。

SMT贴片加工的优点：1、电子产品体积小。贴片元件的体积只有传统插装元件的1/10左右，一般SMT贴片加工之后，电子产品体积缩小40%~60%。2、功效且成本低。SMT贴片加工易于实现自动化，提高生产效率，节省材料、能源、设备、人力、时间等，降低成本达30%~50%。3、重量轻。贴片元件的重量也只有传统插装元件的10%，一般采用SMT之后，重量减轻60%~80%。4、可靠性高，抗振能力强。5、高频特性好，减少了电磁和射频干扰。6、焊点缺陷率低。

SMT线路板回流焊缺陷分析：锡珠(SolderBalls)：原因：1、丝印孔与焊盘不对位，印刷不精确，使锡膏弄脏PCB。2、锡膏在氧化环境中暴露过多、吸空气中水份太多。3、加热不精确，太慢并不均匀。4、加热速率太快并预热区间太长。5、锡膏干得太快。6、助焊剂活性不够。7、太多颗粒小的锡粉。8、回流过程中助焊剂挥发性不适当。锡球的工艺认可标准是：当焊盘或印制导线的之间距离为0.13mm时，锡珠直径不能超过0.13mm，或者在600mm平方范围内不能出现超过五个锡珠。锡桥(Bridging)：一般来说，造成锡桥的因素就是由于锡膏太稀，包括锡膏内金属或固体含量低、摇溶性低、锡膏容易榨开，锡膏颗粒太大、助焊剂表面张力太小。焊盘上太多锡膏，回流温度峰值太高等。根据焊接特殊的需要，含有充氮的回流焊炉。比较流行大多是远红外回流焊、红外加热风回流焊和全热风回流焊。

SMT 是SuRFace mount technology的简写，意为表面贴装技术。 亦即是无需对PCB***装孔而直接将元器件贴焊到PCB表面规定位置上的装联技术。SMT的特点从上面的定义上，我们知道SMT是从传统的穿孔插装技术（THT）发展起来的，但又区别于传统的THT。那么，SMT与THT比较它有什么优点呢？下面就是其极为突出的优点：1. 组装密度高、电子产品体积小、重量轻，贴片元件的体积和重量只有传统插装元件的1/10左右，一般采用SMT之后，电子产品体积缩小40%~60%，重量减轻60%~80%。2. 可靠性高、抗振能力强。焊点缺陷率低。3. 高频特性好。减少了电磁和射频干扰。4. 易于实现自动化，提高生产效率。5. 降低成本达30%~50%。节省材料、能源、设备、人力、时间等。 采用表面贴装技术(SMT)是电子产品业的趋势。  电容器的基本作用就是阻直流通交流；充电和放电。常见SMT线路板加工收费

规定把电容器外加1伏特直流电压时所储存的电荷量称为该电容器的电容量。上海国产进口SMT线路板加工公司

传统的分立式DC/DC降压开关电源无法满足对更高功耗密度的要求，也不能解决高开关频率下的寄生参数影响问题。随着技术的革新与进步，把驱动器和MOSFET整合在一起，构建多芯片模块已经成为了现实，这种整合方式同时可以节省相当可观的空间从而提升功耗密度，通过对驱动器和MOS管的优化提高电能效率和质量DC电流，这就是整合驱动IC的DrMOS。经过QFN-56无脚封装，让DrMOS热阻抗很低;借助内部引线键合以及铜夹带设计，可很大程度减少外部PCB布线，从而降低电感和电阻。另外，采用的深沟道硅(trenchsilicon)MOSFET工艺，还能出色降低传导、开关和栅极电荷损耗;并能兼容多种控制器，可实现不同的工作模式，支持主动相变换模式APS(AutoPhaseSwitching)。除了QFN封装外，双边扁平无引脚封装(DFN)也是一种新的电子封装工艺，在安森美的各种元器件中得到了普遍采用，与QFN相比，DFN少了两边的引出电极。上海国产进口SMT线路板加工公司

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