3月10日-12日中国上海市先进陶瓷技术发展论坛

传统硅器件主要采用高温扩散掺杂，但铝、硼和氮在SiC中扩散系数低，需极高温度，会恶化器件性能。因此，离子注入工艺成为SiC掺杂的優先选择。为实现离子注入区域掺杂浓度均匀，常采用多步离子注入，通过调节注入能量和剂量，控zhi掺杂浓度和深度。离子注入设备是SiC产线难度较高的设备，全球设备厂商少、交期长，国产化率低于10%，是我国碳化硅晶圆线建设的较大瓶颈。國際主流厂商包括美国亚舍立（Axcelis）及应用材料（收购瓦里安），日本爱发科及日清公司，國内厂商主要有中國电科48所（烁科中科信），中车思锐（收购IBS）和凯世通也在介入。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，國内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！中國‌國際先進陶瓷展览会将于2025年3月10-12日在上海隆重举办，行业人士齐聚一堂，共襄盛会！3月10日-12日中国上海市先进陶瓷技术发展论坛

半导体材料作为一种在常温下导电性能介于绝缘体与导体之间的特殊物质，在现代科技产业中发挥着至关重要的作用，被誉为现代工业的“粮食”。从研究和规模化应用的时间顺序来看，半导体材料可分为三代。与以硅（Si）、锗（Ge）为dai表的一代半导体和以砷化镓（GaAs）为dai表的第二代半导体相比，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为dai表的第三代半导体具有高禁带宽度、高击穿电场、高热导率、高电子饱和漂移速率等特征，可以满足科技发展对高温、高功率、gao压、高频等复杂场景的器件要求。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等一应俱全的产品、服务和整体解决方案。诚邀您莅临参观！2025年3月10日中国上海市国际先进陶瓷技术发展论坛中國‌國際先進陶瓷展览会，为行业搭建品质的全产业链创新互动平台。2025年3月10日上海世博展览馆！

在半导体制造领域，增大晶片尺寸是提高半导体产品竞争力的关键途径。对于同一规格的芯片，随着晶圆尺寸增加，边缘管芯（Die）数量占比缩小，晶圆利用率大幅增加。按晶圆面积测算，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圆面积是6英寸晶圆面积的1.8倍，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圆面积则是4英寸晶圆面积的近4.3倍。根据Wolfspeed测算，一片8英寸碳化硅晶片可以产出845颗32mm2的芯片，是6英寸碳化硅外延晶片产出的近2倍；边缘管芯占比下降到7%，大幅度提高晶圆利用率，将进一步降低碳化硅芯片单位成本。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！诚邀您莅临参观！

碳化硅外延需经过光刻、沉积、离子注入等前段工艺形成碳化硅晶圆，再经过减薄、封装等后段工艺分别形成碳化硅芯片、功率器件及功率模块。在制程上，SiC芯片与硅基器件的工艺类似，但SiC制备需要特殊设备，如高温离子注入机和高温热处理设备等。刻蚀、减薄等环节也需特殊设备。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！五展联动；第17届中國‌國際粉末冶金及硬质合金展览会（PM CHINA）、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会（AM CHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会（POWDEX CHINA）同期同地举办。五展联动，串联相关产业链，吸引更多的观众群体，形成既汇聚更多参展企业同台竞技，又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！汇中外優秀企业，展前沿技术产品，“中國‌國際先進陶瓷展览会：2025年3月10-12日将于上海世博展览馆开幕。

“中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕，高压烧结有两种方式，第一种为高压成型常压烧结，第二种为高压气氛烧结。1、高压成型常压烧结高压成型常压烧结中，样品在高压下再次加压后，颗粒之间的接触点增加且气孔减少，导致烧结前坯体的相对密度明显增加，而陶瓷烧结活性与样品的压坯密度紧密相关，所以烧结温度明显降低。高压成型常压烧结使烧结温度降低了至少200℃（无压烧结温度一般高于1200℃）。2、高压气氛烧结高压气氛烧结中，高压能够明显增加陶瓷致密的驱动力，并且由于成核势垒的降低使成核速率增加，扩散能力的降低使生长速率减小。高压气氛烧结被认为是一种比较理想的得到致密细晶陶瓷的方法，而常压烧结无法得到纳米陶瓷。晶粒尺寸对BaTiO3的晶体结构和铁电性有很大的影响，随着晶粒尺寸的减小，在BaTiO3陶瓷中会出现多相共存和铁电性消失的现象。近年来，随着微电子和通讯的发展，需要铁电组件的小型化和集成化，很有必要获得细晶陶瓷以便得到比较好的电学性能。但是此方法的缺点为需要能够耐高压的模具，工艺较复杂，较难操作。“中國‌國際先進陶瓷展览会”以先進材料为基点：2025年3月10-12日上海世博展览馆。诚邀您莅临参观！3月10日-12日中国上海市先进陶瓷技术发展论坛

“第十七届中國國際先進陶瓷展览会同期展会：粉末冶金及硬质合金展、 2025年3月10-12日上海世博展览馆。3月10日-12日中国上海市先进陶瓷技术发展论坛

从国内看，碳化硅制造厂商包括长飞先進、芯联集成、上海积塔、比亚迪、三安光电、士兰微、泰科天润等，其中长飞先進、芯联集成、上海积塔已实现碳化硅MOSFET产品的大规模量产，其他企业尚不具备大规模量产能力。三家企业产能合计为25万片/年，规划产能为44.8万片/年。国外he心技术封锁为常态，国产替代需求迫切。和许多先進科技一样，国内发展碳化硅产业也受到国外技术禁运的限制，尤其是宽禁带半导体器件在jun事领域的应用，这进一步催生了国产替代的迫切需求。国内碳化硅产业在自主创新的推动下，正加速自主研发步伐，以bao障供应链的安全稳定。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！五展联动，串联相关产业链，吸引更多的观众群体，形成既汇聚更多参展企业同台竞技，又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！3月10日-12日中国上海市先进陶瓷技术发展论坛