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    这样可以减小瓶壁的吸附作用。如果需要浓度更低的气体,在大瓶子中配气后,可用抽真空法再进行稀释。例如,将大瓶子中的气体压力抽至原有压力的一半,然后再充进干净空气至原来的压力,即可得到原来浓度一半的标准气体。2.注射器配气法对于需气量较小的工作,用注射器配气是很方便的。取两个大小不等的注射器,大注射器一般用100毫升的,小注射器根据配气情况而定。配气时,在大注射器中放一小金属片,将活塞推入,再用小注射器取一定量的原料气,将两注射器按图2连接,把小注射器的气体推入大注射器,去掉小注射器和橡皮帽,抽动大注射器活塞,用干净空气将气体稀释到100毫升,摇动注射器中的金属片,使气体混合均匀,即得到较低浓度的标准气体。稀释后的浓度可根据稀释前后气体体积计算出来。如果一次稀释达不到要求,还可进行第二次、第三次稀释…。进行再次稀释时,只要将大注射器中配好的气体推出一部分,然后吸入干净空气进行稀释,即可得到更低浓度的标准气体。740)">3.塑料袋配气法用100毫升注射器或通过湿式流量计将一部分空气注入塑料袋内,然后按图3连接一个事先装入原料气的气体定量管。继续通气将定量管中的原料气压入塑料袋中,稀释至一定体积。用手揉捏塑料袋,使气体混合均匀。四川标准气体源头厂家推荐四川侨源气体股份有限公司。

    CVD)的方法生长一层或多层材料所用气体称为外延气体。硅外延气体有4种,即硅烷、二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅,主要用于外延硅淀积,多晶硅淀积,淀积氧化硅膜,淀积氮化硅膜,太阳电池和其他光感受器的非晶硅膜淀积。外延生长是一种单晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。此外延层的电阻率往往与衬底不同。5.蚀刻气体(Etchinggases)：蚀刻就是把基片上无光刻胶掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金属膜等蚀刻掉,而使有光刻胶掩蔽的区域保存下来,这样便在基片表面得到所需要的成像图形。蚀刻的基本要求是,图形边缘整齐,线条清晰,图形变换差小,且对光刻胶膜及其掩蔽保护的表面无损伤和钻蚀。蚀刻方式有湿法化学蚀刻和干法化学蚀刻。干法蚀刻所用气体称蚀刻气体,通常多为氟化物气体,例如四氟化碳、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷等。干法蚀刻由于蚀刻方向性强、工艺控制精确、方便、无脱胶现象、无基片损伤和沾污,所以其应用范围日益***。6.掺杂气体(DopantGases)：在半导体器件和集成电路制造中,将某种或某些杂质掺入半导体材料内,以使材料具有所需要的导电类型和一定的电阻率,用来制造PN结、电阻、埋层等。掺杂工艺所用的气体掺杂源被称为掺杂气体。重庆标准气体源头厂家推荐四川侨源气体股份有限公司。四川一氧化碳标准气体供应商

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    混合罐。标准气体分压法1、适用范围分压法适用于制备常温下是气体，含量在1~60%的标准混合气体2、所需设备配气设备：气瓶汇流排，压力表，阀门，真空泵，管道，气瓶卡具。标准气体扩散法1、适用范围扩散法适用于制备常温下是液体的有机气体2、所需设备配气设备：气瓶，阀门，流量控制阀，流量计，液体组分，分析仪表气瓶，卡具。标准气体容积法1、适用范围静态容积法适用于实验室制备多种小、少量的标准气体，压力接近大气压力。2、所需设备配气设备：气瓶，气瓶减压阀门，定体积管，压力计，真空泵。标准气体饱和法1、适用范围饱和法法适用于易于冷凝的气体和蒸汽。2、所需设备配气设备：气瓶，气瓶减压阀门，冷凝器，饱和器，恒温控制器，压力计，循环风机。标准气体流量法1、适用范围流量比法法是动态配气方法，是严格控制一定比例的组分气体和释稀释气体的流量，经混合而得到的标准气体。2、所需设备气瓶，气瓶减压阀门，单向阀，流量控制器，压力表，管道，机箱。标准气体稀释法1、适用范围稀释法法法是制备低含量标准气体的方法之一。2、所需设备气瓶，气瓶减压阀门，流量控制器，压力表，管道。标准气体体积法1、适用范围体积比法是简单的配气方法。重庆一氧化氮标准气体厂家直销

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