中端轮廓仪试用

时间:2023年03月04日 来源:

轮廓仪在晶圆的IC封装中的应用:晶圆的IC制造过程可简单看作是将光罩上的电路图通过UV刻蚀到镀膜和感光层后的硅晶圆上这一过程,其中由于光罩中电路结构尺寸极小,任何微小的黏附异物和下次均会导致制造的晶圆IC表面存在缺陷,因此必须对光罩和晶圆的表面轮廓进行检测,检测相应的轮廓尺寸。

白光轮廓仪的典型应用:对各种产品,不见和材料表面的平面度,粗糙度,波温度,面型轮廓,表面缺陷,磨损情况,腐蚀情况,孔隙间隙,台阶高度,完全变形情况,加工情况等表面形貌特征进行测量和分析。 光学系统:同轴照明无限远干涉成像系统。中端轮廓仪试用

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轮廓仪的性能测量模式:移相干涉(PSI),白光垂直扫描干涉(VSI),单色光垂直扫描干涉(CSI)样品台:150mm/200mm/300mm样品台(可选配)XY平移:±25mm/150mm/200mm/300mm,倾斜:±5°可选手动/电动样品台CCD相机像素:标配:1280×960视场范围:560×750um(10×物镜)具体视场范围取决于所配物镜及CCD相机光学系统:同轴照明无限远干涉成像系统光源:高效LEDZ方向聚焦80mm手动聚焦(可选电动聚焦)Z方向扫描范围精密PZT扫描(可选择高精密机械扫描,拓展达10mm)纵向分辨率<0.1nmRMS重复性*0.005nm,1σ台阶测量**准确度≤0.75%;重复性≤0.1%,1σ横向分辨率≥0.35um(100倍物镜)检测速度≤35um/sec,与所选的CCDNanoScopy轮廓仪技术支持几何特征(关键孔径尺寸,曲率半径,特征区域的面积和集体,特征图形的位置和数量等)。

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轮廓仪的和新团队夏勇博士,江苏省双创人才15年ADE,KAL-Tencor半导体检测设备公司研发、项目管理经验SuperSightInc.CEO/共同创始人,太阳能在线检测设备唐寿鸿博士,国家千人****25年ADE,KAL-Tencor半导体检测设备公司研发经验KLA-Tencor资申研发总监,世界即图像处理、算法**许衡博士,软件系统研发10年硅谷世界500强研发经验(BDMedicalInstrument)光学测量、软件系统岱美仪器与**组为您提供轮廓仪的技术支持,为您排忧解难。

轮廓仪的技术原理被测表面(光)与参考面(光)之间的光程差(高度差)形成干涉移相法(PSI)高度和干涉相位f=(2p/l)2h形貌高度:<120nm精度:<1nmRMS重复性:0.01nm垂直扫描法(VSI+CSI)精度:/1000干涉信号~光程差位置形貌高度:nm-mm,精度:>2nm干涉测量技术:快速灵活、超纳米精度、测量精度不受物镜倍率影响以下来自网络:轮廓仪,能描绘工件表面波度与粗糙度,并给出其数值的仪器,采用精密气浮导轨为直线基准。轮廓测试仪是对物体的轮廓、二维尺寸、二维位移进行测试与检验的仪器,作为精密测量仪器在汽车制造和铁路行业的应用十分广范。菜单式系统设置,一键式操作,自动数据存储。

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NanoX-80003D轮廓测量主要技术参数3D测量主要技术指标(1):测量模式:PSI+VSI+CSIZ轴测量范围:大行程PZT扫描(300um标配/500um选配)10mm精密电机拓展扫描CCD相机:1920x1200高速相机(标配)干涉物镜:(标配),20X,50X,100X(NIKON)物镜切换:5孔电动鼻切换FOV:1100x700um(10X物镜),220x140um(50X物镜)Z轴聚焦:高精密直线平台自动聚焦照明系统:高效长寿白光LED+滤色镜片电动切换(绿色/蓝色)倾斜调节:±5°电动调节横向分辨率:≥μm(与所配物镜有关)3D测量主要技术指标(2):垂直扫描速度:PSI:<10s,VSI/CSI:<38um/s高度测量范围:–10mm表面反射率:>(1σ)台阶高重复性:(1σ)VSI/CSI:垂直分辨率<(1σ,10um台阶高)。轮廓仪反映的是零件的宏观轮廓。自动测量轮廓仪可以免税吗

NanoX-8000的XY光栅分辨率 0.1um,定位精度 5um,重复精度 1um。中端轮廓仪试用

轮廓仪对所测样品的尺寸有何要求?答:轮廓仪对载物台xy行程为140*110mm(可扩展),Z向测量范围蕞大可达10mm,但由于白光干涉仪单次测量区域比较小(以10X镜头为例,在1mm左右),因而在测量大尺寸的样品时,全检的方式需要进行拼接测量,检测效率会比较低,建议寻找样品表面的特征位置或抽取若干区域进行抽点检测,以单点或多点反映整个面的粗糙度参数;4.测量的蕞小尺寸是否可以达到12mm,或者能够测到更小的尺寸?如果需要了解更多,请访问官网。中端轮廓仪试用

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