上海常用单通道频率综合器

由于频率源的体积尺寸有限，工作频率高，对集成密度、加工精度和电磁空间隔离等问题均提出很高要求。LTCC基板具有加工精度高、可任意层互连、能内埋器件、加工灵活、一致性好和损耗低等优点，适合于频率源高密度集成和高频宽带信号传输等需求。整个电路以LTCC基板为载体，共10层，厚度约为1 mm，表层为高频信号传输层，其余分别是参考地层、控制层和电源层。为保证高频信号传输质量和便于芯片固定粘接，在基板表层局部开腔和槽，实现芯片下沉安装，从而达到高密度集成和良好电性能。LTCC基板表面安装微尺寸的屏蔽框，将整个电路基板按功能与信号频率组成分割为不同区域，以提高区域之间信号隔离度。金属壳体采用铝质材料加工，用于气密封装和提供散热，整个基板粘接安装在金属盒体底部。频率综合器在通讯、 雷达、 电子对抗、 遥控遥测和仪器仪表等众多领域得到了普遍应用。上海常用单通道频率综合器

锁相频率源输出信号在环路带宽内的相噪主要受参考信号、鉴相器、分频器以及分频比影响，在环路带宽以外主要取决于VCO相噪。降低相噪重要的是降低分频比， 但会降低频率分辨率，实现高的频率分辨率通常需要采用多环路设计或插入DDS合成器。选择低相噪的参考源和VCO、低相噪本底的鉴相器和分频器对降低相噪也是很重要的。环路对带内外噪声抑制特性、环路附加相位噪声等都与环路设计参数有关，因此相噪特性优化的关键是选择合适的环路带宽并合理设计环路滤波器。AnaPico多通道频率综合器采购频率发生器是指产生频率精确度为定值的信号源。

锁相式频综由于反馈电路固有的惰性，决定其锁定速度较慢，其锁定（频率切换）速度跟环路带宽、初始频差有关。提高频率切换速度的一般方法是增加锁相环环路带宽、采用可变增益的数字鉴频鉴相器等，此外在高性能频率源中还普遍采用加入高速D/A电路对VCO进行频率预置的方法。微波频率源的设计和调试是一项细致和专业的工作，设计者需从电路和空间结构等多方面充分考虑信号的隔离、屏蔽、交调、滤波等的具体要求，并根据频率源的使用状态进行精心的调试，才能制作出频谱纯净、性能优良的频率源。频率源的使用者也需要清楚频率源的主要技术指标并理解其含义，了解所用频率源的基本实现原理，这样才能提出符合使用要求的频率源技术指标，及时发现频率源的潜在问题，减少在应用中出现问题。

频率合成器，或频率综合器简称频综，是基于一个输入参考频率源，产生一个或多个频率信号的射频器件，在信号源中是中心器件。现代常用频率合成技术，是PLL锁相合成技术与DDS直接数字合成技术，工程实现上经常采用两者结合的方式。PLL锁相合成技术，原理是对VCO的RF输出进行锁相锁频精确化控制。参考频率源，是高稳定、高频谱纯度的基准源，常用TCXO或OCXO，参考源分频后输入鉴相器参考输入端，VCO的RF输出信号，耦合反馈、分频后进入鉴相器的反馈输入端，鉴相器输出包括2×fp分量和直流电压分量，经低通滤波后是VCO控制电压Vc，当Vc = 0环路达到锁定目标频率RF=VNfp。DDS的原理：一个信号周期是2π，每个时钟相位累加一次，较小相位增量2π/2^N；FCW=k时，每次相位增量k•2π/2^N。N：相位累加器比特数；M：ROM实际寻址查表比特数；S：只读存储器输出离散正弦的比特数。频率合成器按照频率产生机理，可以分为：直接模拟合成法、锁相环合成法和直接数字合成法。

提到相位噪声性能，综合器设计师主要依靠100MHz恒温晶体振荡器（OCXO）技术。如今商用OCXO的输出在10KHz和100MHz偏移量达到-170至-176dBc/Hz（甚至更好）。如果频率综合器电路是“理想”的话，在10GHz可实现-130或-136dBc/Hz的相位噪声。虽然没有理想电路，所有当前的发展方向是力求理想。10MHz的OCXO的表现在较低的频率偏移（100Hz以下）时更好。此外，它的短期稳定性也优于100MHz振荡器。因此，综合器的设计通常将其输出到锁定10MHz参考频率。同样高频振荡器（如SAW和DRO）在100KHz及其以上频率偏移量上有更好的表现24-29。一个组合参考源包含几个彼此锁定的振荡器，可在任何频率偏移上实现较低的相位噪声。频率综合器有哪些类型？武汉频率源有哪些

频率综合器有哪些主要的指标？上海常用单通道频率综合器

频率源有哪些？石英晶体振荡器是一种高稳定的频率源，但只能工作于几百兆赫范围内，微波频率的稳定频率源通常用石英晶体振荡器经倍频来实现，倍频可以采用锁相倍频或直接倍频。采用直接倍频方式可以获得较低的频谱近端相位噪声。随着大规模集成电路的发展，数字分频锁相电路由于附加相位噪声大幅降低、可靠性高、采用数字接口使用灵活等特点，在微波系统中得到普遍的应用。合成频率源又称频率合成器或频率综合器，按其构成方式可分为直接式和间接式。上海常用单通道频率综合器

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