原装进口键合机推荐产品

EVG®850TB临时键合机特征：开放式胶粘剂平台；各种载体（硅，玻璃，蓝宝石等）；适用于不同基板尺寸的桥接工具功能；提供多种装载端口选项和组合；程序控制系统；实时监控和记录所有相关过程参数；完全集成的SECS/GEM接口；可选的集成在线计量模块，用于自动反馈回路；技术数据：晶圆直径（基板尺寸）：蕞长300毫米，可能有超大的托架不同的基材/载体组合组态外套模块带有多个热板的烘烤模块通过光学或机械对准来对准模块键合模块：选件在线计量ID阅读高形貌的晶圆处理翘曲的晶圆处理EVG的服务：高真空对准键合、集体D2W键合、临时键合和热、混合键合、机械或者激光剖离、黏合剂键合。原装进口键合机推荐产品

什么是YONG久键合系统呢？EVG晶圆键合方法的引入将键合对准与键合步骤分离开来，立即在业内掀起了市场GEMING。利用高温和受控气体环境下的高接触力，这种新颖的方法已成为当今的工艺标准，EVG的键合机设备占据了半自动和全自动晶圆键合机的主要市场份额，并且安装的机台已经超过1500个。EVG的晶圆键合机可提供ZUI佳的总拥有成本（TCO），并具有多种设计功能，可优化键合良率。针对MEMS，3D集成或高级封装的不同市场需求，EVG优化了用于对准的多个模块。下面是EVG的键合机EVG500系列介绍。氮化镓键合机实际价格EVG的GEMINI系列是顶及大批量生产系统，同时结合了自动光学对准和键合操作功能。

EVG&reg;501键合机特征：独特的压力和温度均匀性；兼容EVG机械和光学对准器；灵活的研究设计和配置；从单芯片到晶圆；各种工艺（共晶，焊料，TLP，直接键合）；可选的涡轮泵（<1E-5mbar）；可升级用于阳极键合；开室设计，易于转换和维护；兼容试生产，适合于学校、研究所等；开室设计，易于转换和维护；200mm键合系统的ZUI小占地面积：0.8平方米；程序与EVG的大批量生产键合系统完全兼容。EVG&reg;501键合机技术数据ZUI大接触力为20kN加热器尺寸150毫米200毫米ZUI小基板尺寸单芯片100毫米真空标准：0.1毫巴可选：1E-5mbar

在键合过程中，将两个组件的表面弄平并彻底清洁以确保它们之间的紧密接触。然后它们被夹在两个电极之间，加热至752-932℃（华氏400-500摄氏度），和几百到千伏的电势被施加，使得负电极，这就是所谓的阴极，是在接触在玻璃中，正极（阳极）与硅接触。玻璃中带正电的钠离子变得可移动并向阴极移动，在与硅片的边界附近留下少量的正电荷，然后通过静电吸引将其保持在适当的位置。带负电的氧气来自玻璃的离子向阳极迁移，并在到达边界时与硅反应，形成二氧化硅（SiO 2）。产生的化学键将两个组件密封在一起。晶圆级涂层、封装，工程衬底智造，晶圆级3D集成和晶圆减薄等用于制造工程衬底，如SOI（绝缘体上硅）。

EVG的晶圆键合机键合室配有通用键合盖，可快速排空，快速加热和冷却。通过控制温度，压力，时间和气体，允许进行大多数键合过程。也可以通过添加电源来执行阳极键合。对于UV固化黏合剂，可选的键合室盖具有UV源。键合可在真空或受控气体条件下进行。顶部和底部晶片的独li温度控制补偿了不同的热膨胀系数，从而实现无应力黏合和出色的温度均匀性。在不需要重新配置硬件的情况下，可以在真空下执行SOI/SDB（硅的直接键合）预键合。以上的键合机由岱美仪器供应并提供技术支持。EVG下的GEMINI系列是自动化生产晶圆键合系统。GEMINI键合机技术服务

EVG键合机顶部和底部晶片的duli温度控制补偿了不同的热膨胀系数，实现无应力键合和出色的温度均匀性。原装进口键合机推荐产品

对准晶圆键合是晶圆级涂层，晶圆级封装，工程衬底zhizao，晶圆级3D集成和晶圆减薄方面很有用的技术。反过来，这些工艺也让MEMS器件，RF滤波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS图像传感器）的生产迅速增长。这些工艺也能用于制造工程衬底，例如SOI（绝缘体上硅）。 主流键合工艺为：黏合剂，阳极，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬态液相）和金属扩散/热压缩。采用哪种键合工艺取决于应用。EVG500系列可灵活配置选择以上的所有工艺。 键合机厂家EVG拥有超过25年的晶圆键合机制造经验，拥有累计2000多年晶圆键合经验的员工。同时，EVG的GEMINI是使用晶圆键合的HVM的行业标准。原装进口键合机推荐产品