半导体设备键合机干涉测量应用

BONDSCALE™自动化生产熔融系统启用3D集成以获得更多收益特色技术数据EVGBONDSCALE™自动化生产熔融系统旨在满足广fan的熔融/分子晶圆键合应用，包括工程化的基板制造和使用层转移处理的3D集成方法，例如单片3D（M3D）。借助BONDSCALE，EVG将晶片键合应用于前端半导体处理中，并帮助解决内部设备和系统路线图（IRDS）中确定的“超摩尔”逻辑器件扩展的长期挑战。结合增强的边缘对准技术，与现有的熔融键合平台相比，BONDSCALE大幅提高了晶圆键合生产率，并降低了拥有成本（CoO）。EVG键合机跟应用相对应，键合方法一般分类页是有或没有夹层的键合操作。半导体设备键合机干涉测量应用

EVG®501晶圆键合机（系统） ■研发和试生产的蕞/低购置成本 ■真正的低强度晶圆楔形补偿系统，可实现蕞/高产量 ■强劲的压力和温度均匀性 ■自动键合和数据记录 ■高真空键合室 (使用真空涡轮增压泵，低至10-5mbar) ■开放式腔室设计，可实现快速转换和维护 ■Windows®操作软件和控制界面 ■蕞小占地面积的200mm键合系统，只有0.88m2 EVG®510晶圆键合机（系统） ■拥有EVG®501键合机的所有功能 ■150和200mm晶圆的单腔系统 ■研发和试生产的蕞/佳购置成本 ■强劲的压力和温度均匀性 ■通过楔形补偿实现高产量 ■兼容EVG的HVM键合系统 ■高产量，加速加热和优异的泵送能力半导体设备键合机质量怎么样晶圆键合系统EVG501可以用于学术界和工业研究。

GEMINI ® FB自动化生产晶圆键合系统 集成平台可实现高精度对准和熔融 特色 技术数据 半导体器件的垂直堆叠已经成为使器件密度和性能不断提高的日益可行的方法。晶圆间键合是实现3D堆叠设备的重要工艺步骤。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系统扩展了当前标准，并结合了更高的生产率，更高的对准度和覆盖精度，适用于诸如存储器堆叠，3D片上系统（SoC），背面照明CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。该系统具有新的Smart View NT3键合对准器，该键合对准器是专门为 <50 nm的熔融和混合晶片键合对准要求而开发的。

GEMINI自动化生产晶圆键合系统集成的模块化大批量生产系统，用于对准晶圆键合特色技术数据GEMINI自动化生产晶圆键合系统可实现ZUI高水平的自动化和过程集成。批量生产的晶圆对晶圆对准和ZUI大200毫米（300毫米）的晶圆键合工艺都在一个全自动平台上执行。器件制造商受益于产量的增加，高集成度以及多种键合工艺方法的选择，例如阳极，硅熔合，热压和共晶键合。特征全自动集成平台，用于晶圆对晶圆对准和晶圆键合底部，IR或Smaiew对准的配置选项多个键合室晶圆处理系统与键盘处理系统分开带交换模块的模块化设计结合了EVG的精密对准EVG所有优点和®500个系列系统与duli系统相比，占用空间ZUI小可选的过程模块：LowTemp™等离子活化晶圆清洗涂敷模块紫外线键合模块烘烤/冷却模块对准验证模块技术数据蕞大加热器尺寸150、200、300毫米装载室5轴机器人ZUI高键合模块4个ZUI高预处理模块200毫米：4个300毫米：6个。自动晶圆键合机系统EVG®560，拥有多达4个键合室，能满足各种键合操作；可以自动装卸键合室和冷却站。

表面带有微结构硅晶圆的界面已受到极大的损伤，其表面粗糙度远高于抛光硅片( Ｒa ＜ 0． 5 nm) ，有时甚至可以达到 1 μm 以上。金硅共晶键合时将金薄膜置于欲键合的两硅片之间，加热至稍高于金—硅共晶点的温度，即 363 ℃ ， 金硅混合物从预键合的硅片中夺取硅原子，达到硅在金硅二相系( 其中硅含量为 19 % ) 中的饱和状态，冷却后形成良好的键合［12，13］。而光刻、深刻蚀、清洗等工艺带来的杂质对于金硅二相系的形成有很大的影响。以表面粗糙度极高且有杂质的硅晶圆完成键合，达到既定的键合质量成为研究重点。EVG键合机提供的加工服务。3D IC键合机国内代理

自动键合系统EVG®540，拥有300 mm单腔键合室和多达4个自动处理键合卡盘。半导体设备键合机干涉测量应用

SmartView®NT自动键合对准系统，用于通用对准。全自动键合对准系统，采用微米级面对面晶圆对准的专有方法进行通用对准。用于通用对准的SmartViewNT自动键合对准系统提供了微米级面对面晶圆级对准的专有方法。这种对准技术对于在lingxian技术的多个晶圆堆叠中达到所需的精度至关重要。SmartView技术可以与GEMINI晶圆键合系统结合使用，以在随后的全自动平台上进行长久键合。特征：适合于自动化和集成EVG键合系统（EVG560®，GEMINI®200和300mm配置）。用于3D互连，晶圆级封装和大批量MEMS器件的晶圆堆叠。 半导体设备键合机干涉测量应用