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据外媒报道，美国威斯康星大学麦迪逊分校（UWMadison）的研究人员们，已经同合作伙伴联手实现了一种突破性的方法。不仅大达简化了低成本高性能、无线灵活的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的制造工艺，还克服了许多使用标准技术制造设备时所遇到的操作上的问题。该技术可用于制造大卷的柔性塑料印刷线路板，并在可穿戴电子设备和弯曲传感器等领域派上大用场。研究人员称，这项突破性的纳米压印平板印刷制造工艺，可以在普通的塑料片上打造出整卷非常高性能的晶体管。由于出色的低电流需求和更好的高频性能，MOSFET已经迅速取代了电子电路中常见的双极晶体管。为了满足不断缩小的集成电路需求，MOSFET尺寸也在不断变小，然而这也引发了一些问题。EVG770纳米压印保修期多久EVG ® 720是自动SmartNIL ® UV紫外光纳米压印光刻系统。

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