江苏半导体三极管

大功率三极管大功率三极管一般是指耗散功率大于1瓦的三极管。可普遍应用于高、中、低频功率放大、开关电路，稳压电路，模拟计算机功率输出电路。常见的大功率三极管的特点是工作电流大，而且体积也大，各电极的引线较粗而硬，集电极引线与金属外壳或散热片相连。这样金属外壳就是管子的集电极，塑封三极管的自带散热片也就成为集电极了。大功率三极管根据其特征频率的不同分为高频大功率三极管(f(t)>3mhz)和低频大功率三极管 (f(t)<(3mhz)。三极管基本的和重要的特性。江苏半导体三极管

共基极放大电路共基极放大器的应用较前两种放大器要少得多。是一种典型的共基极放大器。在该放大器内，VT是放大管，C1是输入信号耦合电容，C2是输出信号耦合电容，C3是基极的交流接地电容，R1、R2是VT基极的直流偏置电阻，R3是VT的集电极负载电阻，R4是VT的发射极电阻，VCC是供电电压，Ui是输入信号，Uo是输出信号。直流偏置电源电压VCC不通过R3加到VT的集电极，为它供电，而且通过R1、R2分压后，加到VT的基极，为基极提供直流偏置电压，Ub≈VCCR2/（R1+R2）。流过R1的电流分两路到地：一路是通过R2到地，另一路是通过VT的发射结、R4到地。金华硅管三极管特点三极管的口诀：三颠倒，找基极；PN结，定管型；顺箭头，偏转大；测不准，动嘴巴。

晶体三极管的特性曲线：晶体三极管的输入特性曲线。当UCE=0时，相当于集电极与发射极短路，即发射结与集电结并联。因此，输入特性曲线与PN结的伏安特性类似，呈指数关系。当UCE增大时，曲线将右移。对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以近似UCE大于1V的所有输入特性曲线。晶体三极管的输出特性曲线5所示。对于每一个确定的IB,都有一条曲线，所以输出特性的一族曲线。截止区:发射结电压小于开启电压，且集电结反向偏置。放大区:发射结正向偏置且集电结反向偏置。饱和区:发射结与集电结均处于正向偏置。

三极管的注意事项：三极管选择“开关三极管”，以提高开关转换速度；电路设计，要保证三极管工作在“饱和/截止”状态，不得工作在放大区；也不要使三极管处于深度过饱和，否则也影响截止转换速度；至于截止，不一定需要“负电压”偏置，输入为零时就截止了，否则也影响导通转换速度。三极管作为开关时需注意它的可靠性；在基极人为接入了一个负电源VEE，即可解决它的可靠性。三极管的开关速度一般不尽人意；需要调整信号的输入频率。盟科电子MMBT5401可以用在蓝牙音箱领域。

晶体三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电结。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。盟科有生产SOT-23 SOT-23-3L的三极管，MMBT3904 S8050 S8550 B772 D882。湖州电子三极管厂家直销

三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零。江苏半导体三极管

三极管的穿透电流ICEO的数值近似等于管子的倍数β和集电结的反向电流ICBO的乘积。ICBO随着环境温度的升高而增长很快，ICBO的增加必然造成ICEO的增大。而ICEO的增大将直接影响管子工作的稳定性，所以在使用中应尽量选用ICEO小的管子。通过用万用表电阻直接测量三极管e－c极之间的电阻方法，可间接估计ICEO的大小，具体方法如下：万用表电阻的量程一般选用R×100或R×1K挡，对于PNP管，黑表管接e极，红表笔接c极，对于NPN型三极管，黑表笔接c极，红表笔接e极。要求测得的电阻越大越好。e－c间的阻值越大，说明管子的ICEO越小；反之，所测阻值越小，说明被测管的ICEO越大。一般说来，中、小功率硅管、锗材料低频管，其阻值应分别在几百千欧、几十千欧及十几千欧以上，如果阻值很小或测试时万用表指针来回晃动，则表明ICEO很大，管子的性能不稳定。江苏半导体三极管

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