黑龙江功率型热敏电阻封装

热敏电阻的电阻－温度特性可近似地用下式表示：R=R0exp{B（1/T-1/T0)}：R：温度T(K）时的电阻值、Ro：温度T0、（K）时的电阻值、B:B值、*T(K)=t(ºC)+273.15。实际上，热敏电阻的B值并非是恒定的，其变化大小因材料构成而异，比较大甚至可达5K/°C。因此在较大的温度范围内应用式1时，将与实测值之间存在一定误差。此处，若将式1中的B值用式2所示的作为温度的函数计算时，则可降低与实测值之间的误差，可认为近似相等。PTC热敏电阻于1950年出现，随后1954年出现了以钛酸钡为主要材料的PTC热敏电阻。PTC热敏电阻在工业上可用作温度的测量与控制，也用于汽车某部位的温度检测与调节，还大量用于民用设备，如控制瞬间开水器的水温、空调器与冷库的温度，利用本身加热作气体分析和风速机等方面。下面简介一例对加热器、马达、变压器、大功率晶体管等电器的加热和过热保护方面的应用。标称阻值Rc：一般指环境温度为25℃时热敏电阻器的实际电阻值。黑龙江功率型热敏电阻封装

钛酸钡晶体属于钙钛矿型结构，是一种铁电材料，纯钛酸钡是一种绝缘材料．在钛酸钡材料中加入微量稀土元素，进行适当热处理后，在居里温度附近，电阻率陡增几个数量级，产生PTC效应，此效应与BaTiO3晶体的铁电性及其在居里温度附近材料的相变有关。钛酸钡半导瓷是一种多晶材料，晶粒之间存在着晶粒间界面。该半导瓷当达到某一特定温度或电压，晶体粒界就发生变化，从而电阻急剧变化。钛酸钡半导瓷的PTC效应起因于粒界（晶粒间界）。对于导电电子来说，晶粒间界面相当于一个势垒。当温度低时，由于钛酸钡内电场的作用，导致电子极容易越过势垒，则电阻值较小。当温度升高到居里温度（即临界温度）附近时，内电场受到破坏，它不能帮助导电电子越过势垒。这相当于势垒升高，电阻值突然增大，产生PTC效应。钛酸钡半导瓷的PTC效应的物理模型有海望表面势垒模型、丹尼尔斯等人的钡缺位模型和叠加势垒模型，它们分别从不同方面对PTC效应作出了合理解释。云南插件热敏电阻封装零功率电阻指在规定温度采用引起电阻值变化相对于总的测量误差来说可以忽略不计的测量功率测得的电阻值。

电容引起的浪涌电流计算：比如在输入电压V为220Vac，整个电路内阻（含整流桥和滤波电容）Rs=1Ω，若正好在电源输入波形达到90度相位的时候开机，那么开机瞬间浪涌电流的峰值将达到：I=（220×1.414）/1≈311（A）这个浪涌电流虽然时间很短（mS级），但如果不加以抑制，会减短输入电容和整流桥的寿命，还可能造成输入电源电压的降低，让使用同一输入电源的其它电源设备瞬间掉电，对临近设备的正常工作产生干扰。我们在选用功率型NTC热敏电阻针对滤波电容引起的浪涌电流保护时，需要选择什么样参数的功率型NTC热敏电阻呢？这里面还是有一些知识点的，我们建议从R25阻值、比较大稳态电流、允许比较大电容（焦耳能量）等几个方面对功率型NTC热敏电阻的参数进行选择。

热敏电阻的测试,测试时应注意以下几点：（1）Rt是生产厂家在环境温度为25℃时所测得的，所以用万用表测量Rt时，亦应在环境温度接近25℃时进行，以保证测试的可信度。（2）测量功率不得超过规定值，以免电流热效应引起测量误差。（3）注意正确操作。测试时，不要用手捏住热敏电阻体，以防止人体温度对测试产生影响。（4）注意不要使热源与PTC热敏电阻靠得过近或直接接触热敏电阻，以防止将其烫坏。热敏电阻主要缺点：①阻值与温度的关系非线性严重；②元件的一致性差，互换性差；③元件易老化，稳定性较差；④除特殊高温热敏电阻外，绝大多数热敏电阻*适合0～150℃范围，使用时必须注意。一般使用以各种包装的玻璃封装薄片来监测和控制充电镍铬电池和NiMH电池上的温度。

负温度系数(NegativeTemperatureCoefficient,NTC)热敏电阻因具有对温度变化敏感、响应时间短、价格便宜、测温范围宽和互换替代性好等诸多优点，已被***用于温度测量与控制、稳压、补偿、抑制浪涌电流以及流量流速测量等诸多领域，尤其是随着现代新兴产业的不断发展和新产品质量的不断改善，NTC热敏电阻的应用范围也越来越拓展，被大量应用在人们日常生活和工作中。封装在NTC热敏电阻内部的陶瓷芯片是该类电子元器件的**，该类NTC热敏陶瓷一般是由若干种3d过渡金属如Mn、Ni、Co、Fe、Cu和Zn的金属氧化物氧化物粉体为原料，采用半导体陶瓷制备工艺，在高温下烧结形成的以尖晶石结构为主晶相的一类无机功能材料。热敏电阻易加工成复杂的形状，可大批量生产；⑥稳定性好、过载能力强。湖北负温度系数热敏电阻电压

功率型NTC热敏电阻的焦耳能量计算公式：E=1/2 CV2。黑龙江功率型热敏电阻封装

电子跳跃模型(electronhoppingmodel)是目前在Ni-Mn-O系NTC热敏陶瓷中被***认可和接受的导电机理。该模型认为在该体系中电子导电存在两个条件：(1)金属离子的价态是可以变价的；(2)变价的金属离子在晶体学中占据相同的位置。对于Ni-Mn-O材料体系而言，一般都含有可变价的Mn离子，存在+4、+3、+2等诸多价态，其中Mn4++和Mn3+离子一般倾向于进入尖晶石结构中的B位，而Mn2+离子则会倾向进入A位。在尖晶石结构中，由于B-B位之间的距离略小于A-A位之间的距离，所以电子会在距离较短的B位Mn4+离子和Mn3+离子之间进行跳跃，产生跳约导电。黑龙江功率型热敏电阻封装

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