金华半导体二极管参数

小功率晶体二极管判别正、负电极（1）观察外壳上的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端是负极。（2）观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上，通常标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环，带色环的一端则为负极。 （3）以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的一端为正极，红表笔所接的一端则为负极。观察二极管外壳，带有银色带一端为负极。当LED产生的光是频宽极窄的同调光时，则称为激光二极管。金华半导体二极管参数

二极管种类：激光二极管当LED产生的光是频宽极窄的同调光（Coherent Light）时，则称为激光二极管。光电二极管光线射入PN接面，P区电洞、N区电子大量发生，产生电压（光电效应）。借由测量此电压或电流，可作为光感应器使用。有PN、PIN、萧特基、APD等类型。太阳电池也是利用此种效应。隧道二极管（Tunnel Diode）、江崎二极管（Esaki Diode）、透纳二极管1957年发明。是利用量子穿隧效应的作用，会出现在一定偏置范围内顺向电压增加时流通的电流量反而减少的“负电阻”的现象。这是能耐受核辐射的半导体二极管。无锡阻尼二极管特点点接触型二极管的PN结接触面积小，不能通过较大的正向电流和承受较高的反向电压。

二极管的结构组成：二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。 采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。由P区引出的电极称为阳极，N区引出的电极称为阴极。因为PN结的单向导电性，二极管导通时电流方向是由阳极通过管子内部流向阴极。 二极管的电路符号所示。二极管有两个电极，由P区引出的电极是正极，又叫阳极；由N区引出的电极是负极，又叫阴极。三角箭头方向表示正向电流的方向，二极管的文字符号用VD表示。

二极管在20世纪20年代由热离子二极管所取代。20世纪50年代，高纯度的半导体材料出现。因为新出现的锗二极管价格便宜，晶体收音机重新开始被大规模使用。贝尔实验室还开发了锗二极管微波接收器。20世纪40年代中后期，美国电话电报公司在美国四处新建的微波塔上开始应用这种微波接收器，主要用于传输电话和网络电视信号。不过贝尔实验室并未研发出效果令人满意的热离子二极管微波接收器。之后随着量子力学和半导体材料的发展和应用，逐渐发展并形成了目前人们使用的半导体二极管结构和配套的应用产业。二极管在20世纪20年代由热离子二极管所取代。

二极管的正向特性:外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。 当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。 当二极管两端的正向电压超过一定数值 ，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。 叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。二极管PN结的单向导电性，二极管导通时电流方向是由阳极通过管子内部流向阴极。绍兴二极管供应商

二极管具有单向导电性，二极管的伏安特性曲线。金华半导体二极管参数

二极管的反向电流反向电流是指二极管在常温（25℃）和反向电压作用下，其流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250μA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500μA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25℃时反向电流为5μA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160μA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。金华半导体二极管参数

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