高温环氧树脂压敏电阻MOV型号

压敏电阻导电机理：晶界由晶粒的边界线和晶间相共同组成,也称晶界相。多晶陶瓷的晶界是气体和离子迁移的快速通道，也是掺杂物聚集的地方。从微观结构看ZnO晶界层组分和结构的变化常会引起氧化物晶体的能带畸变，这是在晶界处产生肖特基势垒的根本原因,从而使ZnO压敏电阻具有非线性电特性。同时，与氧的平衡压相对应，晶粒边界部分发生氧化或还原其空间电荷分布发生变化。具有自发介电极化的晶粒界面电荷在平衡状态下因获得离子或电子而中和,这些缺陷将影响ZnO压敏电阻的稳定性。因此，晶界的性质对ZnO电阻的性能起决定性的使用ZnO压敏电阻器的压敏电压和能量吸收能力以及老化性能等可以通过对晶界的控制而得到改善和提高。压敏电阻的包装形式有多种包装形式：散装、卷装包装、卷包装。高温环氧树脂压敏电阻MOV型号

MOV的特点：MOV特点具有较强的浪涌吸收能力，MOV在8/20μs波形的通流范围为几百安培至几十千安培，我司直径为53mm的MOV单体在8/20μs波形的单次通流量可达70kA；压敏电压范围为18V~1800V，电压精度通常为±10%，满足低压到高压的应用需求；MOV具有双向对称的击穿电压特性，常用于交变电源线或低频信号线的保护；MOV尺寸多样化，我司可提供直径尺寸为5mm~53mm的MOV；MOV是一种老化型元器件，用于大功率电源保护时常与陶瓷气体放电管（GDT）或玻璃气体放电管（SPG）串联使用，以减缓MOV的老化，延长MOV使用寿命。北京压敏电阻MOV通流量压敏电阻器的保护功能，绝大多数应用场合下，是可以多次反复作用的。

“压敏电阻"是一种具有非线性伏安特性的电阻器件，主要用于在电路承受过压时进行电压钳位，吸收多余的电流以保护敏感器件。英文名称叫“VoltageDependentResistor”简写为“VDR”,或者叫做“Varistor"。压敏电阻器的电阻体材料是半导体，所以它是半导体电阻器的一个品种。现在大量使用的"氧化锌"（ZnO）压敏电阻器，它的主体材料有二价元素锌（Zn）和六价元素氧（O）所构成。所以从材料的角度来看，氧化锌压敏电阻器是一种“Ⅱ-Ⅵ族氧化物半导体”。在中国台湾，压敏电阻器称为"突波吸收器",有时也称为“电冲击（浪涌）抑制器（吸收器）”。

压敏电阻是大家都会经常用的一款电阻器，那么对于压敏电阻发展历史你们有所了解吗？为此小编跟大家科普一下这方面的知识。一起进入本文的主题吧！1929～1930年，美国和德国几乎同时用碳化硅压敏材料制成高压避雷器。40年代末，苏联制成低压碳化硅压敏电阻器。1968年日本研制出氧化锌压敏材料。这种材料具有比其他材料更为优异的电气性能，至今仍获得广泛应用。其他金属氧化物(Fe2O3、tiO等)压敏电阻器也得到发展。目前压敏电阻在各类电源设备被使用。 压敏电阻电压范围一般为18V至1800V。

    压敏电阻的失效模式有三种：一是劣化，表现为泄漏电流增加，压敏电阻电压下降，直至为零。如果过电压引起的浪涌能量过大，超过了所选变阻器限值的承载能力，变阻器抑制过电压时会出现陶瓷爆裂现象。第三种穿孔，如果峰值过电压特别高，压敏电阻的大多数故障模式都会退化。解决方法是在使用变阻器时，将合适的断路器或熔断器串联在变阻器上，以避免短路引起的事故。总之，当变阻器吸收浪涌时，它会崩溃，当电压降低时，它的工作电流会过大，直到烧坏；如果发生爆裂（封装层破裂，引线与陶瓷体分离），电路将断开，导致保护失效；如果短路，它会烧坏。当变阻器的使用环境或湿度过高时，变阻器会恶化（崩溃电压降低），使其工作电流过大，直到烧坏或短路。当变阻器的工作电压超过额定工作电压时，变阻器会劣化（崩溃电压会降低），使其工作电流过大，直到烧坏或短路为止。 压敏电阻具有多种浪涌承受能力，分别有标准、高浪涌、超高浪涌。高温环氧树脂压敏电阻MOV型号

**（20mm）压敏电阻的通流量一般为6.5kA，高焦耳产品通流量一般为10kA。高温环氧树脂压敏电阻MOV型号

压敏电阻比较大限制电压(CLAMPINGVOLTAGE(MAX.))：比较大限制电压是指压敏电阻器两端所能承受的最高电压值，它表示在规定的冲击电流Ip通过压敏电阻器两端所产生的电压此电压又称为残压，所以选用的压敏电阻的残压一定要小于被保护物的耐压水平Vo，否则便达不到可靠的保护目的，通常冲击电流Ip值较大，例如2.5A或者10A，因而压敏电阻对应的比较大限制电压Vc相当大，例如MYG7K471其Vc=775（Ip=10A时。）压敏电阻的比较大限制电压与流过压敏电阻的瞬时电流有关，电流越大，限制电压也越大。高温环氧树脂压敏电阻MOV型号

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