重庆高效整流二极管分类

时间:2023年02月19日 来源:

瞬态电压抑制二极管(TransientVoltageSuppressor)简称TVS,是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,它能以10的负12次方秒量级的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电压钳位于一个预定值,有效地保护电子线路中的精密元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。TVS二极管过电压反应的速度会比其他的过电压保护元件(例如压敏电阻或是气体放电管)要快。实际的箝位大约只有一皮秒,但因为实际电路中导线存在电感,因此保护元件需容许较长时间的大电压。因此TVS二极管会比其他元件适合保护电路不受很快,而且有破坏性的电压突波。像许多分散式的电路都有这种快速的过电压突波,可能因为内部因素或是外部因素造成,例如闪电或是马达短路。 插件二极管的封装类型有DO-201,DO-27,DO-41等。重庆高效整流二极管分类

熟悉二极管的特性就知道,二极管***的一个特性就是单向导电性。当电流流过二极管处时,由于二极管的单向导电性,阻止了电流流过,此时的负载无法构成回路,对负载电路没有任何影响。假如没有这个防电源接反二极管,当电源接反时,此时负载电路构成回路,负载流过的电流与正常情况不一样,从而导致负载电路烧毁。一般情况下,电路板输入电源中都会加二极管来防止电源接反时,而烧毁电路板。防反二极管一般接在电源输入端的正极上,当然也可接在负极上。 浙江大功率二极管特性硅开关二极管的反向恢复时间只有几纳秒,即使是锗开关二极管,也不过几百纳秒。

桥式整流器是由四只整流硅芯片作桥式连接,外用绝缘朔料封装而成,大功率桥式整流器在绝缘层外添加锌金属壳包封,增强散热。桥式整流器品种多:有扁形、圆形、方形、板凳形(分直插与贴片)等,有GPP与O/J结构之分。比较大整流电流从,比较高反向峰值电压从50V到1600V。全桥的正向电流有、1A、、2A、、3A、5A、10A、20A、35A、50A等多种规格,耐压值(比较高反向电压)有25V、50V、100V、200V、300V、400V、500V、600V、800V、1000V等多种规格。一般桥式整流器(整流桥)命名中有3个数字,***个数字**额定电流,A;后两个数字**额定电压(数字*100),V。如:KBL407即4A,700V。KBPC5010即50A,1000V(1234567,005、01、02、04、06、08、10分别**电压档的50V,100V,200V,400V,600V,800V,1000V)。

    肖特基二极管又称SBD,是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的。肖特基二极管不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,肖特基二极管也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中*有极少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A,B表面电子浓度逐渐降低,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场方向为B→A。但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从A→B的漂移运动,从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后,电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡,便形成了肖特基势垒。 二极管是电路中基本的电子元器件。

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一般反向恢复时间大于开通时间,故在开关二极管的使用参数上只给出反向恢复时间。重庆高效整流二极管分类

二极管额定正向平均电流(额定电流)IF:指在规定+40℃的环境温度和标准散热条件下,元件结温达额定且稳定时,容许长时间连续流过工频正弦半波电流的平均值。将此电流整化到等于或小于规定的电流等级,则为该的额定电流。在选用大功率二极管时,应按元件允许通过的电流有效值来选取。对应额定电流if的有效值为1.57IF。大功率二极管的型号:普通型大功率二极管型号用ZP表示,其中Z**整流特性,P为普通型。普通型大功率二极管型号可表示如下,ZP[电流等级]—[电压等级/100][通态平均电压组别],如型号为ZP50—16的大功率二极管表示:普通型大功率二极管,额定电流为50A,额定电压为1600V。 重庆高效整流二极管分类

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