吉林大电流二极管原理

二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件，它具有单向导电性能，在各种电子电路中，利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接，构成不同功能的电路，可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能。我们可提供的二极管类型有：普通整流二极管，快恢复二极管，高效整流二极管、超快恢复二极管、肖特基二极管、瞬态抑制二极管、稳压二极管，开关二极管、触发二极管等。封装类型有：TO-220AB、ITO-220、DO-27、TO-252、SMA、SMB、SMC、DO-41、SMAF、SMBF、SOD-123、SOD-123FL、SOD-323、SOD-323FL、DO-15、DO-27等。用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。吉林大电流二极管原理

典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图1所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。 安徽高效整流二极管分类SBD的结构及特点使其适合于在高速逻辑电路中用作箝位。

    SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，比较高*约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路**率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～，只有使用快速恢复外延二极管（FRED）和超快速恢复二极管（UFRD）。UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS，由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使SMPS体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此，发展100V以上的高压SBD，一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年，SBD已取得了突破性的进展，150V和200V的高压SBD已经上市，使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。

由于多种原因，当前***使用的是可视激光二极管(英文简称"VLD""Visible Laser Diode")。激光二极管的可靠性非常好，寿命要比氦氖激光长几倍，而且工作电压很低（通常只有2伏），没有特殊供电要求。它们的封装非常小而轻，并且密封坚固。由于耗能非常小，它们可用在直接从计算机甚至电池取电的条形码读码器中。之所以选用可视激光而不是红外激光，是因为IR类型的扫描仪不能识读打印在某些特殊材质上的条形码。尽管条码本身在人眼看来是暗条打印在浅色背景上，红外激光与可见光的被吸收程度是不同的。肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的。

发光二极管，简称为LED，是一种常用的发光器件，通过电子与空穴复合释放能量发光，它在照明领域应用***。发光二极管可高效地将电能转化为光能，在现代社会具有***的用途，如照明、平板显示、医疗器件等。这种电子元件早在1962年出现，早期只能发出低光度的红光，之后发展出其他单色光的版本，能发出的光已遍及可见光、红外线及紫外线，光度也提高到相当的光度。而用途也由初时作为指示灯、显示板等；随着技术的不断进步，发光二极管已被***地应用于显示器和照明。 二极管工作频率的值主要取决于PN结结电容的大小。四川激光二极管功率

稳压管具有良好的重复击穿特性。吉林大电流二极管原理

    变容二极管(VaractorDiodes)又称"可变电抗二极管"，是利用PN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的。反偏电压增大时结电容减小、反之结电容增大，变容二极管的电容量一般较小，其比较大值为几十pF到几百pF，比较大电容与**小电容之比约为5:1。它主要在高频电路中用作自动调谐、调频、调相等、例如在电视接收机的调谐回路中作可变电容。变容二极管的作用是利用PN结之间电容可变的原理制成的半导体器件，在高频调谐、通信等电路中作可变电容器使用。图2变容二极管与反向偏压变容二极管属于反偏压二极管，改变其PN结上的反向偏压，即可改变PN结电容量。反向偏压越高，结电容则越少，反向偏压与结电容之间的关系是非线性的，如图2所示。2、变容二极管的电容值与反向偏压值的关系图解：(a)反向偏压增加，造成电容减少；(b)反向偏压减少，造成电容增加。电容误差范围是一个规定的变容二极管的电容量范围。数据表将显示**小值、标称值及比较大值，这些经常绘在图上。 吉林大电流二极管原理

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