金华平面三极管
电子制作中常用的三极管有9 0× ×系列，包括低频小功率硅管9013（NPN）、9012（PNP），低噪声管9014（NPN），高频小功率管9018（NPN）等。它们的型号一般都标在塑壳上，而样子都一样，都是TO-92标准封装。在老式的电子产品中还能见到3DG6（低频小功率硅管）、3AX31 （低频小功率锗管） 等，它们的型号也都印在金属的外壳上。一部分的3表示为三极管。 二部分表示器件的材料和结构，A： PNP型锗材料 B： NPN型锗材料 C： PNP型硅材料 D： NPN型硅材料 三部分表示功能，U：光电管 K：开关管 X：低频小功率管 G：高频小功率管 D：低频大功率管 A：高频大功率管。另外，3DJ型为场效应管，BT打头的表示半导体特殊元件。 三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的关键元件。金华平面三极管
晶体三极管的特性曲线：晶体三极管的输入特性曲线。当UCE=0时，相当于集电极与发射极短路，即发射结与集电结并联。因此，输入特性曲线与PN结的伏安特性类似，呈指数关系。当UCE增大时，曲线将右移。对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以近似UCE大于1V的所有输入特性曲线。晶体三极管的输出特性曲线5所示。对于每一个确定的IB,都有一条曲线，所以输出特性的一族曲线。截止区:发射结电压小于开启电压，且集电结反向偏置。放大区:发射结正向偏置且集电结反向偏置。饱和区:发射结与集电结均处于正向偏置。泰州高频三极管型号盟科有生产SOT-23 SOT-23-3L的三极管，MMBT3904 S8050 S8550 B772 D882。
双极型三极管的电流传输关系：发射结加正偏时，从发射区将有大量的电子向基区扩散，形成的电流为IEN。与PN结中的情况相同。从基区向发射区也有空穴的扩散运动，但其数量小，形成的电流为IEP。这是因为发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。进入基区的电子流因基区的空穴浓度低，被复合的机会较少。又因基区很薄，在集电结反偏电压的作用下，电子在基区停留的时间很短，很快就运动到了集电结的边上，进入集电结的结电场区域，被集电极所收集，形成集电极电流ICN。在基区被复合的电子形成的电流是 IBN。
三极管的 β 值不是一个不变的常数。在实际使用中，调整三极管的集电极电流 I ， β 值会随着发生变化。一般说来，在 I c 很小（例如几十微安）或很大（即接近集电极大允电流 I CM ）时， β 值都比较小，在 1mA 以上相当宽的范围内，小功率管的 β 值都比较大，所以，同学们在调试放大电路时，要确定合适的工作电流 I c ，以获得佳放大状态。另外， β 值也和三极管的其它参数一样，跟温度有密切的关系。温度升高， β 值相应变大。一般温度每升高 1℃ ， β 值增加 0.5 ％～ 1 ％。三级管硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。
三极管的电子运动原理：发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流IE发射结加正向电压且发射区杂质浓度高，所以大量自由电子因扩散运动越过发射结到达基区。与此同时，空穴也从基区向发射区扩散，但由于基区杂质浓度低，所以空穴形成的电流非常小，近似分析时可忽略不计。可见，扩散运动形成了发射极电流IE。由于基区很薄，杂质浓度很低，集电结又加了反向电压，所以扩散到基区的电子中只有极少部分与空穴复合，其余部分均作为基区的非平衡少子到达集电结。又由于电源 VBE的作用，电子与空穴的复合运动将源源不断地进行，形成基极电流IB。两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。珠海半导体三极管测量方法
三极管从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。金华平面三极管
在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电子流。由于基区很薄，加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Icn，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibn。 金华平面三极管
深圳市盟科电子科技有限公司正式组建于2010-11-30，将通过提供以MOSFETs,场效应管，开关二极管，三极管 ，三端稳压管 LDO，集成电路IC 整流器等服务于于一体的组合服务。盟科电子经营业绩遍布国内诸多地区地区，业务布局涵盖MOSFETs,场效应管，开关二极管，三极管 ，三端稳压管 LDO，集成电路IC 整流器等板块。我们强化内部资源整合与业务协同，致力于MOSFETs,场效应管，开关二极管，三极管 ，三端稳压管 LDO，集成电路IC 整流器等实现一体化，建立了成熟的MOSFETs,场效应管，开关二极管，三极管 ，三端稳压管 LDO，集成电路IC 整流器运营及风险管理体系，累积了丰富的电子元器件行业管理经验，拥有一大批专业人才。盟科电子始终保持在电子元器件领域优先的前提下，不断优化业务结构。在MOSFETs,场效应管，开关二极管，三极管 ，三端稳压管 LDO，集成电路IC 整流器等领域承揽了一大批高精尖项目，积极为更多电子元器件企业提供服务。