甘肃高负载电容型晶振可调性

时间:2023年04月12日 来源:

晶振工作温度范围与温度频差:在提出温度频差时,应考虑设备工作引起的温升容限。当对温度频差要求很高,同时空间和功率都允许的情况下,应考虑恒温工作,恒温晶体振荡器就是为此而设计的。4、负载电容与频率牵引:在许多应用中,都有用一负载电抗元件来牵引晶体频率的要求,这在锁相环回路及调频应用中非常必要,大多数情况下,这个负载电抗呈容性,当该电容值为CL时,则相对负载谐振频率偏移量为:DL=C1/[2(C0+CL)]。而以CL作为可调元件由DL1调至DL2时,相对频率牵引为:DL1,L2=C1(CL1-CL2)/[2(C0+CL1)(C0+CL2)]。晶振是电子电路中**常用的电子元件之一,一般用字母“X”、“G”或“Z”表示,单位为Hz。甘肃高负载电容型晶振可调性

串联型晶体振荡器如图6所示。该振荡器采用了两级放大电路,石英晶体X1除了构成反馈电路外,还具有选频功能,其选频频率f0=fs,电位器RP1用来调节反馈信号的幅度。石英晶体振荡器分为非温度补偿式晶体振荡器、温度补偿式晶体振荡器(TCXO)、电压控制晶体振荡器(VCXO)、恒温控制式晶体振荡器(OCXO)和数字化/μp补偿式晶体振荡器(DCXO/MCXO)等几种类型。其中,非温度补偿式晶体振荡器是**简单的一种,在日本工业标准(JIS)中称之为标准封装晶体振荡器(SPXO)。低负载电容型晶振老化晶振可以提供较稳定的脉冲,广泛应用于微芯片的时钟电路里。

电路振荡过程:接通电源后,三极管VT导通,有变化Ic电流流过VT,它包含着微弱的0~∞各种频率的信号。这些信号加到C1、C2、X1构成的选频电路,选频电路从中选出f0信号,在X1、C1、C2两端有f0信号电压,取C2两端的f0信号电压反馈到VT的基-射极之间进行放大,放大后输出信号又加到选频电路,C1、C2两端的信号电压增大,C2两端的电压又送到VT基-射极,如此反复进行,VT输出的信号越来越大,而VT放大电路的放大倍数逐渐减小,当放大电路的放大倍数与反馈电路的衰减系数相等时,输出信号幅度保持稳定,不会再增大,该信号再送到其他的电路。

标称频率。不同的晶振标称频率不同,标称频率大都标注在晶振外壳上。②负载电容。负载电容是指晶振的两条引线连接的集成电路(IC)内部及外部所有有效电容之和,可看作晶振片在电路中串接电容。负载电容不同,振荡器的振荡频率不同。但标称频率相同的晶振,负载电容不一定相同。一般来说,有低负载电容(串联谐振晶体)和高负载电容(并联谐振晶体)之分。因此,标称频率相同的晶体互换时还必须要求负载电容一致,不能轻易互换,否则会造成电路工作不正常。晶体是指其中的原子、分子、或离子以规则、重复的模式朝各方向延伸的一种固体。

有一些电子设备需要频率高度稳定的交流信号,而LC振荡器稳定性较差,频率容易漂移(即产生的交流信号频率容易变化)。在振荡器中采用一个特殊的元件——石英晶体,可以产生高度稳定的信号,这种采用石英晶体的振荡器称为晶体振荡器。在石英晶体上按一定方位切下薄片,将薄片两端抛光并涂上导电的银层,再从银层上连出两个电极并封装起来,这样构成的元件叫石英晶体谐振器,简称石英晶体。石英晶体有两个谐振频率,即fs和fp,fp略大于fs。当加到石英晶体两端信号的频率不同时,它会呈现出不同的特性。石英晶振封装按上板组装方可以划分为直插(DIP)和贴片(SMD)。山西高精度型晶振工作电压

压控晶体振荡器(VCXO):通过施加外部控制电压使振荡频率可变或是可以调制的石英晶体振荡器。甘肃高负载电容型晶振可调性

有源晶振有4只引脚是一个完整的振荡器,里面除了石英晶体外,还有晶体管和阻容元件。有源晶振不需要DSP的内部振荡器,信号质量好,比较稳定,而且连接方式相对简单(主要是做好电源滤波,通常使用一个电容和电感构成的PI型滤波网络,输出端用一个小阻值的电阻过滤信号即可),不需要复杂的配置电路。相对于无源晶体,有源晶振的缺陷是其信号电平是固定的,需要选择好合适输出电平,灵活性较差,价格相对较高。对于时序要求敏感的应用,还是有源的晶振好,因此可以选用比较精密的晶振,甚至是***的温度补偿晶振。有些DSP内部没有起振电路,只能使用有源的晶振,如TI的6000系列等。有源晶振相比于无源晶体通常体积较大,许多有源晶振是表贴的,体积和晶体相当,有的甚至比许多晶体还要小。甘肃高负载电容型晶振可调性

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