湖南高负载电容型晶振测试

晶振是电子电路中**常用的电子元件之一，一般用字母“X”、“G”或“Z”表示，单位为Hz。晶振常与主板、南桥、声卡等电路连接使用。晶振可比喻为各板卡的“心跳”发生器，如果主卡的“心跳”出现问题，必定会使其他各电路出现故障。并联型晶体振荡器。并联型晶体振荡器如图5所示。三极管VT与R1、R2、R3、R4构成放大电路；C3为交流旁路电容，对交流信号相当于短路；X1为石英晶体，在电路中相当于电感。从交流等效图可以看出，该电路是一个电容三点式振荡器，C1、C2、X1构成选频电路，其选频频率主要由X1决定，频率接近fp。通信网络、无线数据传输等系统就需要精度高的晶振。湖南高负载电容型晶振测试

晶振工作温度范围与温度频差：在提出温度频差时，应考虑设备工作引起的温升容限。当对温度频差要求很高，同时空间和功率都允许的情况下，应考虑恒温工作，恒温晶体振荡器就是为此而设计的。4、负载电容与频率牵引：在许多应用中，都有用一负载电抗元件来牵引晶体频率的要求，这在锁相环回路及调频应用中非常必要，大多数情况下，这个负载电抗呈容性，当该电容值为CL时，则相对负载谐振频率偏移量为：DL=C1/[2（C0+CL）]。而以CL作为可调元件由DL1调至DL2时，相对频率牵引为：DL1，L2=C1（CL1－CL2）/[2（C0+CL1）（C0+CL2）]。吉林玻璃真空密封型晶振工作电压压控晶体振荡器(VCXO)：通过施加外部控制电压使振荡频率可变或是可以调制的石英晶体振荡器。

间接补偿型。间接补偿型又分模拟式和数字式两种类型。模拟式间接温度补偿是利用热敏电阻等温度传感元件组成温度-电压变换电路，并将该电压施加到一只与晶体振子相串接的变容二极管上，通过晶体振子串联电容量的变化，对晶体振子的非线性频率漂移进行补偿。该补偿方式能实现±0.5×10-6的高精度，但在3V以下的低电压情况下受到限制。数字式间接温度补偿是在模拟式间接温度补偿电路中的温度-电压变换电路之后再加一级模/数（A/D）转换器，将模拟量转换成数字量。该法可实现自动温度补偿，使晶体振荡器频率稳定度非常高，但具体的补偿电路比较复杂，成本也较高，只适用于基地站和广播电台等要求高精度化的情况。

压控晶体振荡器(VCXO)：通过施加外部控制电压使振荡频率可变或是可以调制的石英晶体振荡器。主要应用***电子仪器，5G基建，无线通信信号塔，精密仪表，智能监控等，光纤，服务器，接收器等。恒温晶体振荡器(OCXO)：利用恒温槽使晶体振荡器或石英晶体振子的温度保持恒定，将由周围温度变化引起的振荡器输出频率变化量削减到**小的晶体振荡器。主要应用在通信基站、3C电子、汽车电子、医疗设备、工业设备、仪器仪表、航空航天、****、科研等众多领域。在晶体振荡器中，晶体作为谐振器振动，产生的频率决定了振荡频率。

晶体是指其中的原子、分子、或离子以规则、重复的模式朝各方向延伸的一种固体。晶体与几乎所有的弹性物质都具有自然共振频率，透过适当的传感器可加以利用。例如钢铁具有良好弹性、音速快，在石英晶体大量应用以前，钢铁被用作机械式滤波器。共振频率取决于晶体的尺寸、形状、弹性、与物质内的音速。高频用的晶体通常是切成简单的形状，如方形片状。典型的低频用晶体则常切成音叉形，例如手表所使用的。如不需要太高的精确度，则也可以使用陶瓷谐振器取代石英晶体谐振器。石英晶体有两个谐振频率，即fs和fp，fp略大于fs。重庆有源晶振启动时间

负载电容是指晶振的两条引线连接的集成电路内部及外部所有有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。湖南高负载电容型晶振测试

石英晶体谐振器根据其外型结构不同可分为HC-49U、HC-49U/S、HC-49U/S·SMD、UM-1、UM-5及柱状晶体等。HC-49U适用于具有宽阔空间的电子产品如通信设备、电视机、电话机、电子玩具中。HC-49U/S适用于空间高度受到限制的各类薄型、小型电子设备及产品中。HC-49U/S·SMD为准表面贴装型产品，适用于各类超薄型、小型电脑及电子设备中。柱状石英晶体谐振器适用于空间狭小的稳频计时电子产品如计时器、电子钟、计算器等。UM系列产品主要应用于移动通讯产品中，如BP机、移动手机等。石英晶体谐振器主要用于频率控制和频率选择电路。本指南有助于确保不出现性能不满意、成本不合适及可用性不良等现象。湖南高负载电容型晶振测试

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