硅树脂压敏电阻MOV接法

压敏电阻基本参数：标称压敏电压(V)：指通过规定持续时间的脉冲电流（一般为1mA持续时间一般小于400mS）时压敏电阻器两端的电压值。2．电压比：指压敏电阻器的电流为1mA时产生的电压值与压敏电阻器的电流为0.1mA时产生的电压值之比。3．比较大限制电压(V)：在压敏能承受的比较大脉冲峰值电流Ip及规定波形下压敏电阻两端电压峰值。4．残压比：通过压敏电阻器的电流为某一值时，在它两端所产生的电压称为这一电流值的残压。残压比则是残压与标称电压之比。5．通流容量(kA)：通流容量也称通流量，是指在规定的条件（规定的时间间隔和次数，施加标准的冲击电流）下，允许通过压敏电阻器上的比较大脉冲（峰值）电流值。6．漏电流(mA)：漏电流也称等待电流，是指压敏电阻器在规定的温度和比较大直流电压***过压敏电阻器电流。常用的压敏电阻型号有561KD10或10D561K。硅树脂压敏电阻MOV接法

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压敏电阻的控制电压：控制电压一般是写成Vop=Operatingvoltage，控制电压是指压敏电阻器两端所能承受的高电压值，它表示在规定的冲击电流Ip通过压敏电阻时次两端所产生的电压，此电压又称为残压，所以选用的压敏电阻的控制电压（Vp）（残压）一定要小于被保护物的耐压水平Vo，否则便达不到可靠的保护目的。一般地说，压敏电阻器常常与被保护器件或装置并联使用，在正常情况下，压敏电阻器两端的直流或交流电压应低于标称压敏电压，即使在电源波动情况坏时，也不应高于额定值中选择的连续工作电压，该连续工作电压值所对应的标称电压值即为选用值。对于过压保护方面的应用，压敏电压值应大于实际电路的电压值，一般V1mA=1.5Vp=2.2VAC。

ZnO压敏电阻的电性能ZnO压敏电阻**重要的是其非线性的I-V特性，如图所示2.3，从功能上看，在电压值达到称为击穿电压或阀值电压的数值以前，压敏电阻接近于绝缘体;而在电压值超过这个数值以后就成为导体。使ZnO压敏电阻设计人员感兴趣的电性能是:在导电状态的非线性或者叫非欧姆性，以及稳态工作电压下的漏电流很小，观看一下曲线上三个重点的区段，对ZnO压敏电阻的这些特点就可以更明显了。曲线可以划分为三个阶段:预击穿区、非线性区、上升区。压敏电阻器的保护功能，绝大多数应用场合下，是可以多次反复作用的。

在压敏电阻器的应用过程中，当其出现性能劣化时，常见的劣化模式有两种，第一种是开路模式，第二种是短路模式。开路模式主要发生在MOV流过远远超出自身承受的浪涌电流时，通常表现为压敏电阻本体炸裂，但这种模式不会引起燃烧现象。短路模式大体上可分为老化失效和暂态过电压破坏两种类型。首先我们来看压敏电阻器的老化失效问题。这一问题主要指的是电阻体的低阻线性逐步加剧，此时漏电流将会恶性增加且集中注入薄弱点，导致薄弱点材料融化，形成一千欧左右的短路孔后，电源继续推动一个较大的电流灌入短路点，形成高热而起火。氧化锌压敏电阻器是一种“Ⅱ-Ⅵ族氧化物半导体”。插件压敏电阻MOV功率

14D压敏电阻脚间距一般为7.5mm。硅树脂压敏电阻MOV接法

    压敏电阻的失效模式有三种：一是劣化，表现为泄漏电流增加，压敏电阻电压下降，直至为零。如果过电压引起的浪涌能量过大，超过了所选变阻器限值的承载能力，变阻器抑制过电压时会出现陶瓷爆裂现象。第三种穿孔，如果峰值过电压特别高，压敏电阻的大多数故障模式都会退化。解决方法是在使用变阻器时，将合适的断路器或熔断器串联在变阻器上，以避免短路引起的事故。总之，当变阻器吸收浪涌时，它会崩溃，当电压降低时，它的工作电流会过大，直到烧坏；如果发生爆裂（封装层破裂，引线与陶瓷体分离），电路将断开，导致保护失效；如果短路，它会烧坏。当变阻器的使用环境或湿度过高时，变阻器会恶化（崩溃电压降低），使其工作电流过大，直到烧坏或短路。当变阻器的工作电压超过额定工作电压时，变阻器会劣化（崩溃电压会降低），使其工作电流过大，直到烧坏或短路为止。 硅树脂压敏电阻MOV接法

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